Числове моделювання параметрів FinFET транзисторів

Автори	І.П. Бурик¹ , А.О. Головня¹, М.М. Іващенко¹ , Л.В. Однодворець²
Афіліація	¹Конотопський інститут Сумського державного університету, пр. Миру, 24, 41615 Конотоп, Україна ²Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007 Суми, Україна
Е-mail
Випуск	Том 12, Рік 2020, Номер 3
Дати	Одержано 03 лютого 2020; у відредагованій формі 15 червня 2020; опубліковано online 25 червня 2020
Цитування	І.П. Бурик, А.О. Головня, М.М. Іващенко, Л.В. Однодворець, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 3, 03005 (2020)
DOI	https://doi.org/10.21272/jnep.12(3).03005
PACS Number(s)	85.30.De, 85.30.Tv, 73.40.Qv
Ключові слова	SOI TG FinFET, Короткоканальні ефекти (5) , Ефективна робота виходу, Порогова напруга (5) , High-k діелектрик (4) .
Анотація	Комплементарні польові метал-окисел-напівпровідник (МОН) транзистори з високою стабільністю параметрів та низьким енергоспоживанням використовуються як джерела живлення, підсилювачі, перетворювачі частоти в сенсорах та електронному обладнанні, а також як високочастотні комутаційні генератори та модулятори в медичних приладах для високочастотного і ультразвукового зварювання біологічних тканин. У роботі наведені результати 3D-числового моделювання p- та n-типів транзисторів SOI TG FinFET. Побудовано вольт-амперні характеристики, розраховані допустимі величини сили струму витоку та порогової напруги n- та p- транзисторів з електродами затвору на основі плівкових систем з ефективними роботами виходу 4,40 еВ і 4,85 еВ. Реалізація мультизатворних плівкових електродів на основі Ni і Ta має важливе значення для цифрового проектування надвеликих інтегральних схем. Результати моделювання дозволили визначити допустимі значення допорогового розкиду, зниження бар'єру, спричинене стоком, силу струму витоку та коефіцієнт Ion/Ioff. Основою проектування транзисторних структур є вивчення робочих параметрів транзистора у відкритому стані та геометричних розмірів окремих структурних елементів. Результати моделювання можуть бути використані для проектування 3D-транзисторів CMOS.
	Перелік посилань Повний текст Переклад англійською

Інші статті цього номера

1) Пучкові та секторні режими електронних потоків у циліндричному магнітному полі магнетронної гармати [03001-1-03001-5]
2) Теоретичне дослідження щодо вдосконалення сонячних елементів на основі CIGS [03002-1-03002-5]
3) Підвищення продуктивності сонячних елементів a-Si:H шляхом введення наноструктурованого буферного шару p-nc-SiOx:H [03003-1-03003-5]
4) Optical Extraction Efficiency for External Cavity Quantum Cascade Lasers [03004-1-03004-5]
5) Числове моделювання розподілу температури та електричного поля при мікрохвильовому нагріванні нафтового коксу [03006-1-03006-5]
6) Наноструктуровані тонкі плівки ZnO і CuI на полі(етілентерафталатних) стрічках для захисту від ультрафіолетового випромінювання [03007-1-03007-8]
7) Механізми зміни провідності поруватого кремнію в атмосфері аміаку – DFT моделювання [03008-1-03008-7]
8) Розробка наночастинок фериту цинку міді: застосування в каталітичному вологому окисленні H2O2 фенолу [03009-1-03009-5]
9) Характеристики тонких плівок оксиду олова, отриманних методом центрифугування, для оптоелектронних застосувань [03010-1-03010-5]
10) Дослідження електричних та структурних властивостей наночастинок діоксиду марганцю [03011-1-03011-5]
11) Про температурну залежність поздовжніх коливань електричної провідності в вузькозонних електронних напівпровідниках [03012-1-03012-5]
12) Вплив лазерного опромінення на оптичні властивості високоомних кристалів CdTe та твердих розчинів Cd1 – хZnxTe в області фундаментального оптичного переходу Е0 [03013-1-03013-4]
13) Електронні властивості наногібридного капсуляту MCM-41 SmCl3 [03014-1-03014-5]
14) Застосування кремнієвої структури з глибоким бар'єром для виявлення солей хлорної кислоти [03015-1-03015-5]
15) Вирощування ZnO на підкладках макропоруватого Si методом ВЧ магнетронного розпилення [03016-1-03016-4]
16) Одноелектронний транзистор на основі металофулеренів Me@C60 (Me = Li, Na, K) [03017-1-03017-5]
17) Середньоквадратичні динамічні зміщення атомів та їх комплексів від положення рівноваги в кристалах [03018-1-03018-5]
18) Осадження рідкої фази плівок TiO2 для електронно-транспортного шару перовскітних сонячних елементів [03019-1-03019-5]
19) Особливості випромінювання нанорозмірного SnO2 в пористій матриці [03020-1-03020-4]
20) Моделювання просторових характеристик кремнієвого сонячного елементу: підхід штучної нейронної мережі [03021-1-03021-4]
21) Вивчення когерентних властивостей екситону в напівпровідникових квантових точках [03022-1-03022-6]
22) Вплив додавання Fe на структурні та оптоелектронні властивості тонких плівок ZnO p/n типу, нанесених методом центрифугування [03023-1-03023-6]
23) Кутова еліпсометрія поверхневих шарів поруватого кремнію [03024-1-03024-4]
24) Біоактивні полімер-апатитні покриття з протимікробними властивостями на модельних титанових субстратах [03025-1-03025-5]
25) Вплив постійного магнітного поля на механічні властивості та термостабільність аморфних сплавів на основі Co, Fe та Ni [03026-1-03026-4]
26) Оптимізація електричних характеристик діода Шотткі Au/n-InN/InP на основі контактної техніки різних діаметрів [03027-1-03027-6]
27) Метод функцій Гріна для феромагнітних нанотрубок з надрешіткою [03028-1-03028-4]
28) Механізм стрибкової провідності в плівках Cd3As2, отриманих магнетронним розпиленням [03029-1-03029-4]
29) Синтез та електрохімічні властивості мезопористого α-MnO2 для застосування в суперконденсаторах [03030-1-03030-4]
30) Дисперсійні властивості нелінійності третього роду поверхневого плазмонного резонансу в золотих наночастинках [03031-1-03031-6]
31) Електропровідні та поляризаційні властивості неорганічно-органічного інкапсулянта MCM-41 (PTHQ) [03032-1-03032-5]
32) Біосенсори: будова, класифікація та застосування [03033-1-03033-9]
33) Електропровідність та магніторезистивні властивості плівкових сплавів на основі пермалою Fe0.5Ni0.5 та міді [03034-1-03034-4]
34) Вплив фазового складу композиційного матеріалу системи В-N-С на його фізико-механічні та трибологічні характеристики [03035-1-03035-5]
35) Модель тунельного струму у тунельному польовому транзисторі на базі двошарової графенової нанострічки за допомогою методу матриці переносу [03036-1-03036-5]
36) Дослідження електрофізичного впливу на протизносні властивості вуглеводневих рідин [03037-1-03037-6]
37) Розрахунок фізико-хімічних умов процесу формування захисних покриттів на основі карбідів та нітридів хрому [03038-1-03038-4]
38) Структурний і фазово-елементний розподіл у імпульсному плазмовому покритті, отриманому з використанням твердосплавного катоду [03039-1-03039-6]
39) Аналіз поведінки динамічних і структурних характеристик у попередньо продеформованих та опромінених Х-променями монокристалах NaCl [03040-1-03040-3]