Дослідження електричних та структурних властивостей наночастинок діоксиду марганцю
| Автори | S.C. Vella Durai1 , E. Kumar2, D. Muthuraj3, V. Bena Jothy4 |
| Афіліація |
1Department of Physics, JP College of Arts and Science, Agarakattu, Tenkasi, Tamilnadu, India 2School of Science, Department of Physics, Tamil Nadu Open University, Chennai. Tamilnadu, India 3PG and Research Department of Physics, The M.D.T Hindu College, Tirunelveli. Tamilnadu, India 4Department of Physics & Research Center, Women’s Christian College, Nagarcoil. Tamilnadu, India |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 3 |
| Дати | Одержано 08 січня 2020; у відредагованій формі 15 червня 2020; опубліковано online 25 червня 2020 |
| Цитування | S.C. Vella Durai, E. Kumar, D. Muthuraj, V. Bena Jothy, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 3, 03011 (2020) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(3).03011 |
| PACS Number(s) | 61.05.cp, 61.46.Df, 51.70. + f, 72.80.Jc, 72.80. – r |
| Ключові слова | Наночастинки (83) , Мікрохвильова піч (2) , Температура (41) , Імпеданс (22) , Частота (16) . |
| Анотація |
Кристалічний діоксид марганцю (MnO2) готували методом розчинення в мікрохвильовій печі з використанням гідроксиду натрію як агента. Електропровідність, електричний модуль та діелектричні властивості наночастинок MnO2 були проаналізовані методом імпедансної спектроскопії в діапазоні частот від 1 до 8 МГц та діапазоні температур від 273 до 423 К. Провідність MnO2 зростає зі збільшенням частоти. Було встановлено, що температурна залежність провідності наночастинок підкоряється діаграмі Арреніуса, енергія активації становить – 0,088 еВ. Максимальна провідність виявляється рівною 311,79 См/см при конкретній температурі 298 К. Відповідна не дебаєвська поведінка у матеріалах MnO2 аналізується за допомогою аналізу модулів та діелектричних спектрів. Модульний і діелектричний спектри підтвердили процес релаксації. Діелектрична константа та діелектричні втрати були виявлені діелектричним спектральним аналізом. Діелектрична константа була постійною в області високих частот і варіювалася в області низьких частот. Діелектрична константа виявилася рівною – 1211 при певній температурі 298 К в області дуже низьких частот. Діелектричні втрати також були постійними при високих частотах в будь-яких температурних умовах і змінювались в області низьких частот. Структуру наночастинок MnO2 проаналізували методом порошкової рентгенівської дифракції. Результати порошкової рентгенографії показали, що підготовлений зразок наночастинок був кристалічним з тетрагональною фазою. За формулою Шеррера середній розмір кристалітів становить близько 20 нм. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Пучкові та секторні режими електронних потоків у циліндричному магнітному полі магнетронної гармати [03001-1-03001-5]2) Теоретичне дослідження щодо вдосконалення сонячних елементів на основі CIGS [03002-1-03002-5]
3) Підвищення продуктивності сонячних елементів a-Si:H шляхом введення наноструктурованого буферного шару p-nc-SiOx:H [03003-1-03003-5]
4) Optical Extraction Efficiency for External Cavity Quantum Cascade Lasers [03004-1-03004-5]
5) Числове моделювання параметрів FinFET транзисторів [03005-1-03005-4]
6) Числове моделювання розподілу температури та електричного поля при мікрохвильовому нагріванні нафтового коксу [03006-1-03006-5]
7) Наноструктуровані тонкі плівки ZnO і CuI на полі(етілентерафталатних) стрічках для захисту від ультрафіолетового випромінювання [03007-1-03007-8]
8) Механізми зміни провідності поруватого кремнію в атмосфері аміаку – DFT моделювання [03008-1-03008-7]
9) Розробка наночастинок фериту цинку міді: застосування в каталітичному вологому окисленні H2O2 фенолу [03009-1-03009-5]
10) Характеристики тонких плівок оксиду олова, отриманних методом центрифугування, для оптоелектронних застосувань [03010-1-03010-5]
11) Про температурну залежність поздовжніх коливань електричної провідності в вузькозонних електронних напівпровідниках [03012-1-03012-5]
12) Вплив лазерного опромінення на оптичні властивості високоомних кристалів CdTe та твердих розчинів Cd1 – хZnxTe в області фундаментального оптичного переходу Е0 [03013-1-03013-4]
13) Електронні властивості наногібридного капсуляту MCM-41 SmCl3 [03014-1-03014-5]
14) Застосування кремнієвої структури з глибоким бар'єром для виявлення солей хлорної кислоти [03015-1-03015-5]
15) Вирощування ZnO на підкладках макропоруватого Si методом ВЧ магнетронного розпилення [03016-1-03016-4]
16) Одноелектронний транзистор на основі металофулеренів Me@C60 (Me = Li, Na, K) [03017-1-03017-5]
17) Середньоквадратичні динамічні зміщення атомів та їх комплексів від положення рівноваги в кристалах [03018-1-03018-5]
18) Осадження рідкої фази плівок TiO2 для електронно-транспортного шару перовскітних сонячних елементів [03019-1-03019-5]
19) Особливості випромінювання нанорозмірного SnO2 в пористій матриці [03020-1-03020-4]
20) Моделювання просторових характеристик кремнієвого сонячного елементу: підхід штучної нейронної мережі [03021-1-03021-4]
21) Вивчення когерентних властивостей екситону в напівпровідникових квантових точках [03022-1-03022-6]
22) Вплив додавання Fe на структурні та оптоелектронні властивості тонких плівок ZnO p/n типу, нанесених методом центрифугування [03023-1-03023-6]
23) Кутова еліпсометрія поверхневих шарів поруватого кремнію [03024-1-03024-4]
24) Біоактивні полімер-апатитні покриття з протимікробними властивостями на модельних титанових субстратах [03025-1-03025-5]
25) Вплив постійного магнітного поля на механічні властивості та термостабільність аморфних сплавів на основі Co, Fe та Ni [03026-1-03026-4]
26) Оптимізація електричних характеристик діода Шотткі Au/n-InN/InP на основі контактної техніки різних діаметрів [03027-1-03027-6]
27) Метод функцій Гріна для феромагнітних нанотрубок з надрешіткою [03028-1-03028-4]
28) Механізм стрибкової провідності в плівках Cd3As2, отриманих магнетронним розпиленням [03029-1-03029-4]
29) Синтез та електрохімічні властивості мезопористого α-MnO2 для застосування в суперконденсаторах [03030-1-03030-4]
30) Дисперсійні властивості нелінійності третього роду поверхневого плазмонного резонансу в золотих наночастинках [03031-1-03031-6]
31) Електропровідні та поляризаційні властивості неорганічно-органічного інкапсулянта MCM-41 (PTHQ) [03032-1-03032-5]
32) Біосенсори: будова, класифікація та застосування [03033-1-03033-9]
33) Електропровідність та магніторезистивні властивості плівкових сплавів на основі пермалою Fe0.5Ni0.5 та міді [03034-1-03034-4]
34) Вплив фазового складу композиційного матеріалу системи В-N-С на його фізико-механічні та трибологічні характеристики [03035-1-03035-5]
35) Модель тунельного струму у тунельному польовому транзисторі на базі двошарової графенової нанострічки за допомогою методу матриці переносу [03036-1-03036-5]
36) Дослідження електрофізичного впливу на протизносні властивості вуглеводневих рідин [03037-1-03037-6]
37) Розрахунок фізико-хімічних умов процесу формування захисних покриттів на основі карбідів та нітридів хрому [03038-1-03038-4]
38) Структурний і фазово-елементний розподіл у імпульсному плазмовому покритті, отриманому з використанням твердосплавного катоду [03039-1-03039-6]
39) Аналіз поведінки динамічних і структурних характеристик у попередньо продеформованих та опромінених Х-променями монокристалах NaCl [03040-1-03040-3]
