Модель тунельного струму у тунельному польовому транзисторі на базі двошарової графенової нанострічки за допомогою методу матриці переносу
| Автори | E. Suhendi, M.F. Fadhillah, I. Anjaningsih, S.D. Ulhaq, A. Fadhillah, D. Rusdiana |
| Приналежність |
Program Studi Fisika, Universitas Pendidikan Indonesia, Bandung, Indonesia |
| Е-mail | endis@upi.edu |
| Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 3 |
| Дати | Одержано 27 вересня 2019; у відредагованій формі 15 червня 2020; опубліковано online 25 червня 2020 |
| Посилання | E. Suhendi, M.F. Fadhillah, I. Anjaningsih, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 3, 03036 (2020) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(3).03036 |
| PACS Number(s) | 81.05.Zх, 85.30.Tv |
| Ключові слова | Тунельний струм, Тунельний польовий транзистор (4) , BAGNR, MMT, Частота зрізу. |
| Анотація |
Тунельний струм в тунельних польових транзисторах на базі двошарової графенової нанострічки (BAGNR) моделюється напівчисловими методами. Потенційні профілі польових транзисторів діляться на кілька сегментів за числовими методами. Метод матриці переносу (TMM) – це числовий метод, що використовується для обчислення коефіцієнта проходження електронів. Використовуючи результати обчислення коефіцієнта проходження електронів методом ММТ, тунельний струм був отриманий за формулою Ландауера за допомогою методу квадратур Гауса-Лежандра. Тунельний струм обчислюється варіацією числа змінних, а саме напруги затвору (VG), напруги стоку (VD), температури, коефіцієнту N, товщини оксидного шару та довжини пристрою. У цьому дослідженні також був проведений розрахунок частоти зрізу на тунельному польовому транзисторі. Результати розрахунку тунельного струму показують, що більше значення VG може впливати на струм насичення. Крім того, чим вища температура, тим нижче значення тунельного струму. Розрахунок тунельного струму також показує, що чим ширше BAGNR, тим більший тунельний струм. Це пов'язано з впливом ширини BAGNR, що робить ширину забороненої зони (Eg) меншою. Значення частоти зрізу на тунельному польовому транзисторі на базі BAGNR, отримане в цьому дослідженні, становить 3,96-8,9 ТГц. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Пучкові та секторні режими електронних потоків у циліндричному магнітному полі магнетронної гармати [03001-1-03001-5]2) Теоретичне дослідження щодо вдосконалення сонячних елементів на основі CIGS [03002-1-03002-5]
3) Підвищення продуктивності сонячних елементів a-Si:H шляхом введення наноструктурованого буферного шару p-nc-SiOx:H [03003-1-03003-5]
4) Optical Extraction Efficiency for External Cavity Quantum Cascade Lasers [03004-1-03004-5]
5) Числове моделювання параметрів FinFET транзисторів [03005-1-03005-4]
6) Числове моделювання розподілу температури та електричного поля при мікрохвильовому нагріванні нафтового коксу [03006-1-03006-5]
7) Наноструктуровані тонкі плівки ZnO і CuI на полі(етілентерафталатних) стрічках для захисту від ультрафіолетового випромінювання [03007-1-03007-8]
8) Механізми зміни провідності поруватого кремнію в атмосфері аміаку – DFT моделювання [03008-1-03008-7]
9) Розробка наночастинок фериту цинку міді: застосування в каталітичному вологому окисленні H2O2 фенолу [03009-1-03009-5]
10) Характеристики тонких плівок оксиду олова, отриманних методом центрифугування, для оптоелектронних застосувань [03010-1-03010-5]
11) Дослідження електричних та структурних властивостей наночастинок діоксиду марганцю [03011-1-03011-5]
12) Про температурну залежність поздовжніх коливань електричної провідності в вузькозонних електронних напівпровідниках [03012-1-03012-5]
13) Вплив лазерного опромінення на оптичні властивості високоомних кристалів CdTe та твердих розчинів Cd1 – хZnxTe в області фундаментального оптичного переходу Е0 [03013-1-03013-4]
14) Електронні властивості наногібридного капсуляту MCM-41 SmCl3 [03014-1-03014-5]
15) Застосування кремнієвої структури з глибоким бар'єром для виявлення солей хлорної кислоти [03015-1-03015-5]
16) Вирощування ZnO на підкладках макропоруватого Si методом ВЧ магнетронного розпилення [03016-1-03016-4]
17) Одноелектронний транзистор на основі металофулеренів Me@C60 (Me = Li, Na, K) [03017-1-03017-5]
18) Середньоквадратичні динамічні зміщення атомів та їх комплексів від положення рівноваги в кристалах [03018-1-03018-5]
19) Осадження рідкої фази плівок TiO2 для електронно-транспортного шару перовскітних сонячних елементів [03019-1-03019-5]
20) Особливості випромінювання нанорозмірного SnO2 в пористій матриці [03020-1-03020-4]
21) Моделювання просторових характеристик кремнієвого сонячного елементу: підхід штучної нейронної мережі [03021-1-03021-4]
22) Вивчення когерентних властивостей екситону в напівпровідникових квантових точках [03022-1-03022-6]
23) Вплив додавання Fe на структурні та оптоелектронні властивості тонких плівок ZnO p/n типу, нанесених методом центрифугування [03023-1-03023-6]
24) Кутова еліпсометрія поверхневих шарів поруватого кремнію [03024-1-03024-4]
25) Біоактивні полімер-апатитні покриття з протимікробними властивостями на модельних титанових субстратах [03025-1-03025-5]
26) Вплив постійного магнітного поля на механічні властивості та термостабільність аморфних сплавів на основі Co, Fe та Ni [03026-1-03026-4]
27) Оптимізація електричних характеристик діода Шотткі Au/n-InN/InP на основі контактної техніки різних діаметрів [03027-1-03027-6]
28) Метод функцій Гріна для феромагнітних нанотрубок з надрешіткою [03028-1-03028-4]
29) Механізм стрибкової провідності в плівках Cd3As2, отриманих магнетронним розпиленням [03029-1-03029-4]
30) Синтез та електрохімічні властивості мезопористого α-MnO2 для застосування в суперконденсаторах [03030-1-03030-4]
31) Дисперсійні властивості нелінійності третього роду поверхневого плазмонного резонансу в золотих наночастинках [03031-1-03031-6]
32) Електропровідні та поляризаційні властивості неорганічно-органічного інкапсулянта MCM-41 (PTHQ) [03032-1-03032-5]
33) Біосенсори: будова, класифікація та застосування [03033-1-03033-9]
34) Електропровідність та магніторезистивні властивості плівкових сплавів на основі пермалою Fe0.5Ni0.5 та міді [03034-1-03034-4]
35) Вплив фазового складу композиційного матеріалу системи В-N-С на його фізико-механічні та трибологічні характеристики [03035-1-03035-5]
36) Дослідження електрофізичного впливу на протизносні властивості вуглеводневих рідин [03037-1-03037-6]
37) Розрахунок фізико-хімічних умов процесу формування захисних покриттів на основі карбідів та нітридів хрому [03038-1-03038-4]
38) Структурний і фазово-елементний розподіл у імпульсному плазмовому покритті, отриманому з використанням твердосплавного катоду [03039-1-03039-6]
39) Аналіз поведінки динамічних і структурних характеристик у попередньо продеформованих та опромінених Х-променями монокристалах NaCl [03040-1-03040-3]
