Середньоквадратичні динамічні зміщення атомів та їх комплексів від положення рівноваги в кристалах
| Автори | Д.І. Вадець1 , О.В. Гаращенко1 , В.І. Гаращенко1 , О.Я. Романів1 , Я.І. Федишин2 , С.Л. Форсюк1 |
| Приналежність |
1Національний університет водного господарства та природокористування, вул. Соборна, 11, 33000 Рівне, Україна 2Львівський національний університет ветеринарної медицини та біотехнологій імені С. Ґжицького, вул. Пекарська, 50, 790010 Львів, Україна |
| Е-mail | v.i.harashchenko@nuwm.edu.ua |
| Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 3 |
| Дати | Одержано 07 лютого 2020; у відредагованій формі 15 червня 2020; опубліковано online 25 червня 2020 |
| Посилання | Д.І. Вадець, О.В. Гаращенко, В.І. Гаращенко, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 3, 03018 (2020) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(3).03018 |
| PACS Number(s) | 61.66.Dk, 65.40.De |
| Ключові слова | Ангармонізм коливань, Амплітуди коливань, Середньоквадратичні динамічні зміщення (2) . |
| Анотація |
Методом високотемпературного рентгенографування за допомогою камери КРОС з температурною насадкою проведено дослідження теплових характеристик групи іонних кристалів кубічної сингонії, гексаборидів типу CaB6 та додекаборидів металів типу UB12. На основі значень рентгенівської характеристичної температури розраховані повні середньоквадратичні динамічні зміщення гіпотетичних атомів або їх комплексів з середніми та зведеними масами. Пояснені температурне зростання амплітуд коливань та температурний спад рентгенівської характеристичної температури. Описані причини незначної розбіжності значень рентгенівської характеристичної температури з літературними даними. Встановлено, що зведені маси гіпотетичних атомів менші за їх середні маси. Стрімкість зростання середньоквадратичних динамічних зміщень з підвищенням температури для іонних кристалів показана графічно, а для гексаборидів і додекаборидів металів – аналітично, в діапазоні від кімнатної температури до 700-973 К. Зміна середньоквадратичних динамічних зміщень зі зміною мас спостерігається в іонних кристалах і не спостерігається в боридах металів. Це пояснюється структурою зміни міжатомних зв'язків. Для гексаборидів і додекаборидів наведені значення узагальнюючої міри ангармонізму теплових коливань. Показано, що у групі гексаборидів спостерігається закономірне зменшення параметра кристалічної гратки зі зростанням атомного номера металів, що пояснюється лантаноїдним стисканням. Це обумовлено напруженістю борного каркасу, що є наслідком збільшення атомного радіуса. Наведено пояснення, що збільшення ангармонічності теплових коливань атомів з підвищенням температури призводить до лінійного спаду ефективної рентгенівської характеристичної температури. Дослідженнями показано, що середньоквадратичні динамічні зміщення описуються слабким квадратичним поліномом з додатною стрімкістю, що корелює з температурною залежністю узагальнюючої міри ангармонізму коливного руху. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Пучкові та секторні режими електронних потоків у циліндричному магнітному полі магнетронної гармати [03001-1-03001-5]2) Теоретичне дослідження щодо вдосконалення сонячних елементів на основі CIGS [03002-1-03002-5]
3) Підвищення продуктивності сонячних елементів a-Si:H шляхом введення наноструктурованого буферного шару p-nc-SiOx:H [03003-1-03003-5]
4) Optical Extraction Efficiency for External Cavity Quantum Cascade Lasers [03004-1-03004-5]
5) Числове моделювання параметрів FinFET транзисторів [03005-1-03005-4]
6) Числове моделювання розподілу температури та електричного поля при мікрохвильовому нагріванні нафтового коксу [03006-1-03006-5]
7) Наноструктуровані тонкі плівки ZnO і CuI на полі(етілентерафталатних) стрічках для захисту від ультрафіолетового випромінювання [03007-1-03007-8]
8) Механізми зміни провідності поруватого кремнію в атмосфері аміаку – DFT моделювання [03008-1-03008-7]
9) Розробка наночастинок фериту цинку міді: застосування в каталітичному вологому окисленні H2O2 фенолу [03009-1-03009-5]
10) Характеристики тонких плівок оксиду олова, отриманних методом центрифугування, для оптоелектронних застосувань [03010-1-03010-5]
11) Дослідження електричних та структурних властивостей наночастинок діоксиду марганцю [03011-1-03011-5]
12) Про температурну залежність поздовжніх коливань електричної провідності в вузькозонних електронних напівпровідниках [03012-1-03012-5]
13) Вплив лазерного опромінення на оптичні властивості високоомних кристалів CdTe та твердих розчинів Cd1 – хZnxTe в області фундаментального оптичного переходу Е0 [03013-1-03013-4]
14) Електронні властивості наногібридного капсуляту MCM-41 SmCl3 [03014-1-03014-5]
15) Застосування кремнієвої структури з глибоким бар'єром для виявлення солей хлорної кислоти [03015-1-03015-5]
16) Вирощування ZnO на підкладках макропоруватого Si методом ВЧ магнетронного розпилення [03016-1-03016-4]
17) Одноелектронний транзистор на основі металофулеренів Me@C60 (Me = Li, Na, K) [03017-1-03017-5]
18) Осадження рідкої фази плівок TiO2 для електронно-транспортного шару перовскітних сонячних елементів [03019-1-03019-5]
19) Особливості випромінювання нанорозмірного SnO2 в пористій матриці [03020-1-03020-4]
20) Моделювання просторових характеристик кремнієвого сонячного елементу: підхід штучної нейронної мережі [03021-1-03021-4]
21) Вивчення когерентних властивостей екситону в напівпровідникових квантових точках [03022-1-03022-6]
22) Вплив додавання Fe на структурні та оптоелектронні властивості тонких плівок ZnO p/n типу, нанесених методом центрифугування [03023-1-03023-6]
23) Кутова еліпсометрія поверхневих шарів поруватого кремнію [03024-1-03024-4]
24) Біоактивні полімер-апатитні покриття з протимікробними властивостями на модельних титанових субстратах [03025-1-03025-5]
25) Вплив постійного магнітного поля на механічні властивості та термостабільність аморфних сплавів на основі Co, Fe та Ni [03026-1-03026-4]
26) Оптимізація електричних характеристик діода Шотткі Au/n-InN/InP на основі контактної техніки різних діаметрів [03027-1-03027-6]
27) Метод функцій Гріна для феромагнітних нанотрубок з надрешіткою [03028-1-03028-4]
28) Механізм стрибкової провідності в плівках Cd3As2, отриманих магнетронним розпиленням [03029-1-03029-4]
29) Синтез та електрохімічні властивості мезопористого α-MnO2 для застосування в суперконденсаторах [03030-1-03030-4]
30) Дисперсійні властивості нелінійності третього роду поверхневого плазмонного резонансу в золотих наночастинках [03031-1-03031-6]
31) Електропровідні та поляризаційні властивості неорганічно-органічного інкапсулянта MCM-41 (PTHQ) [03032-1-03032-5]
32) Біосенсори: будова, класифікація та застосування [03033-1-03033-9]
33) Електропровідність та магніторезистивні властивості плівкових сплавів на основі пермалою Fe0.5Ni0.5 та міді [03034-1-03034-4]
34) Вплив фазового складу композиційного матеріалу системи В-N-С на його фізико-механічні та трибологічні характеристики [03035-1-03035-5]
35) Модель тунельного струму у тунельному польовому транзисторі на базі двошарової графенової нанострічки за допомогою методу матриці переносу [03036-1-03036-5]
36) Дослідження електрофізичного впливу на протизносні властивості вуглеводневих рідин [03037-1-03037-6]
37) Розрахунок фізико-хімічних умов процесу формування захисних покриттів на основі карбідів та нітридів хрому [03038-1-03038-4]
38) Структурний і фазово-елементний розподіл у імпульсному плазмовому покритті, отриманому з використанням твердосплавного катоду [03039-1-03039-6]
39) Аналіз поведінки динамічних і структурних характеристик у попередньо продеформованих та опромінених Х-променями монокристалах NaCl [03040-1-03040-3]
