Оптимізація електричних характеристик діода Шотткі Au/n-InN/InP на основі контактної техніки різних діаметрів

Автори A. Baghdad Bey1, 2 , A. Talbi2, M. Berka1, 3 , M.A. Benamara2, F. Ducroquet4, A.H. Khediri2, Z. Benamara2
Приналежність

1Department of Electrotechnical, University Mustapha STAMBOULI of Mascara, 29000 Mascara, Algeria

2Laboratory AMEL, University of S.B.A, 22000 Sidi Bel Abbés, Algeria

3Laboratory E.P.O, University of S.B.A, 22000 Sidi Bel Abbés, Algeria

4University of Grenoble Alpes, Grenoble INP, IMEP-LaHC, 38000 Grenoble, France

Е-mail baghdadbey68a@yahoo.fr
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 3
Дати Одержано 03 лютого 2020; у відредагованій формі 15 червня 2020; опубліковано online 25 червня 2020
Посилання M.A. Benamara, F. Ducroquet, A.H. Khediri, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 3, 03027 (2020)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.12(3).03027
PACS Number(s) 85.30.Kk
Ключові слова Провідність (60) , Коефіцієнт ідеальності (6) , Потенційний бар'єр, Послідовний опір (3) , Діод Шотткі (2) .
Анотація

Оптимізація електричних характеристик електронних компонентів є основною метою більшості сучасних досліджень у цій галузі. У роботі проведено експериментальне дослідження діода Шотткі. Дослідження базується на застосуванні нового підходу вимірювання, який використовує контактний метод Шотткі при металізації золота. Досліджувана структура складається з підкладки InP обраного перерізу (1 см × 1 см), товщиною порядка 350 мкм, вирізаною в кристалографічній площині (100). На цій підкладці вигравіруваний тонкий шар InN (2 нм). Ми використовували золото для двох різних значень діаметрів, розміщених один біля іншого довільним чином; великий (  = 1,366038 мм) і малий (  = 0,815575 мм). Наша методика вимірювання дозволила отримати такі електричні характеристики діода Шотткі як I-V, C-V і G-V. Вимірювання дозволили обчислити коефіцієнт ідеальності (  1,79, 2,58), струм насичення, потенційний бар'єр (  = 0,66 еВ, еВ) і послідовний опір ( Ω, Ω) для двох різних діаметрів. Результати вимірювань, отримані на нашому діоді InN/InP Au/n типу, показують оптимізовані електричні характеристики досліджуваного діода Шотткі. Ми порівняли отримані результати для кожного контакту з результатами інших нещодавніх робіт у тієї ж галузі досліджень. Порівняння показало гарне узгодження з точки зору числових значень, а також ефективності запропонованого нами методу вимірювання.

Перелік посилань