Про температурну залежність поздовжніх коливань електричної провідності в вузькозонних електронних напівпровідниках

Автори G. Gulyamov2, U.I. Erkaboev1, R.G. Rakhimov1, J.I. Mirzaev1
Приналежність

1Namangan Institute of Engineering and Technology, 160115 Namangan, Uzbekistan

2Namangan Engineering – Construction Institute, 160103 Namangan, Uzbekistan

Е-mail rkaboev1983@mail.ru
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 3
Дати Одержано 08 листопада 2019; у відредагованій формі 15 червня 2020; опубліковано online 25 червня 2020
Посилання G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, J.I. Mirzaev, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 3, 03012 (2020)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.12(3).03012
PACS Number(s) 71.20. – b, 71.28. + d
Ключові слова Коливання електронної теплоємності, Коливання магнітної сприйнятливості та коливання електропровідності, Електронні вузькозонні напівпровідники, Ефективна циклотронна маса.
Анотація

Розглянуто коливання поздовжньої електричної провідності, коливання магнітної сприйнятливості та коливання електронної теплоємності для вузькозонних електронних напівпровідників. Побудована теорія температурної залежності явищ квантових коливань у вузькозонних електронних напівпровідниках з урахуванням термічного розмивання рівнів Ландау. Досліджено коливання поздовжньої електричної провідності у вузькозонних електронних напівпровідниках при різних температурах. Отримано інтегральний вираз для поздовжньої електропровідності у вузькозонних електронних напівпровідниках з урахуванням дифузного розширення рівнів Ландау. Знайдена формула залежності коливань поздовжньої електричної провідності від ширини забороненої зони вузькозонних напівпровідників. Порівняно теорію з експериментальними результатами для Bi2Se3. Побудована теорія температурної залежності коливань магнітної сприйнятливості для вузькозонних електронних напівпровідників. За допомогою цих коливань магнітної сприйнятливості визначають ефективні циклотронні маси електронів. Результати розрахунків порівнюються з експериментальними даними. Запропонована модель пояснює результати експериментів у p-Bi2 – xFexTe3 при різних температурах.

Перелік посилань