Вирощування ZnO на підкладках макропоруватого Si методом ВЧ магнетронного розпилення
| Автори | В.В. Кідалов1, A.Ф. Дяденчук2, Ю.Ю. Бачеріков3, І.В. Рогозін1, Віталій В. Кідалов1 |
| Приналежність |
1Бердянський державний педагогічний університет, вул. Шмідта, 4, Бердянськ 71100, Україна 2Таврійський державний агротехнологічний університет імені Дмитра Моторного, проспект Б. Хмельницького, 18, Мелітополь 72312, Україна 3Інститут фізики напівпровідників імені В. Лашкарьова НАН України, 41, просп. Науки, Київ 03028, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 3 |
| Дати | Одержано 10 лютого 2020; у відредагованій формі 15 червня 2020; опубліковано online 25 червня 2020 |
| Посилання | В.В. Кідалов, A.Ф. Дяденчук, Ю.Ю. Бачеріков, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 3, 03016 (2020) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(3).03016 |
| PACS Number(s) | 78.30.Fs, 78.55.m, 61.43.Gt, 81.65.Cf |
| Ключові слова | Поруватий Si (2) , Плівки ZnO (4) , Метод ВЧ магнетронного розпилення. |
| Анотація |
Мета роботи полягала у дослідженні процесу утворення оксиду цинку методом ВЧ магнетронного розпилення на кремнієвих підкладках орієнтації (100) з попередньо нанесеною системою макропор. Зразки поруватого кремнію були отримані методом електрохімічного травлення. Було використано пластини Si (100) n-типу провідності. Осадження тонких плівок ZnO проводилося в ВЧ-розряді в середовищі аргону з киснем шляхом розпилення цинкової мішені. Мішень мала діаметр 80 мм і товщину 6 мм. Час осадження склав 1200 с. Тиск в камері вирощування підтримувався на рівні 10 – 3 Па. Температура підкладки була зафіксована на рівні 300 °С. Рентгенографічні дослідження ZnO показали, що плівки мають полікристалічну природу зі структурою типу вюрцит і гексагональною фазою. Кристаліти в покриттях ZnO були високо орієнтовані по осі с перпендикулярно до поверхні підкладки. Постійна решітки вздовж кристалографічної осі с плівки ZnO склала 5,2260 Å. Середній розмір кристалітів, розрахований за формулою Селякова-Шерера, становив 12 нм. Згідно СЕМ розмір зерен склав приблизно 50-100 нм. Дані розбіжності пояснені наявністю мікродеформацій в атомній матриці зразка, а також апаратурних факторів. Мікроелементний аналіз виявив практично ідеальну стехіометрію ZnO, вирощеного на поруватому Si/Si. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Пучкові та секторні режими електронних потоків у циліндричному магнітному полі магнетронної гармати [03001-1-03001-5]2) Теоретичне дослідження щодо вдосконалення сонячних елементів на основі CIGS [03002-1-03002-5]
3) Підвищення продуктивності сонячних елементів a-Si:H шляхом введення наноструктурованого буферного шару p-nc-SiOx:H [03003-1-03003-5]
4) Optical Extraction Efficiency for External Cavity Quantum Cascade Lasers [03004-1-03004-5]
5) Числове моделювання параметрів FinFET транзисторів [03005-1-03005-4]
6) Числове моделювання розподілу температури та електричного поля при мікрохвильовому нагріванні нафтового коксу [03006-1-03006-5]
7) Наноструктуровані тонкі плівки ZnO і CuI на полі(етілентерафталатних) стрічках для захисту від ультрафіолетового випромінювання [03007-1-03007-8]
8) Механізми зміни провідності поруватого кремнію в атмосфері аміаку – DFT моделювання [03008-1-03008-7]
9) Розробка наночастинок фериту цинку міді: застосування в каталітичному вологому окисленні H2O2 фенолу [03009-1-03009-5]
10) Характеристики тонких плівок оксиду олова, отриманних методом центрифугування, для оптоелектронних застосувань [03010-1-03010-5]
11) Дослідження електричних та структурних властивостей наночастинок діоксиду марганцю [03011-1-03011-5]
12) Про температурну залежність поздовжніх коливань електричної провідності в вузькозонних електронних напівпровідниках [03012-1-03012-5]
13) Вплив лазерного опромінення на оптичні властивості високоомних кристалів CdTe та твердих розчинів Cd1 – хZnxTe в області фундаментального оптичного переходу Е0 [03013-1-03013-4]
14) Електронні властивості наногібридного капсуляту MCM-41 SmCl3 [03014-1-03014-5]
15) Застосування кремнієвої структури з глибоким бар'єром для виявлення солей хлорної кислоти [03015-1-03015-5]
16) Одноелектронний транзистор на основі металофулеренів Me@C60 (Me = Li, Na, K) [03017-1-03017-5]
17) Середньоквадратичні динамічні зміщення атомів та їх комплексів від положення рівноваги в кристалах [03018-1-03018-5]
18) Осадження рідкої фази плівок TiO2 для електронно-транспортного шару перовскітних сонячних елементів [03019-1-03019-5]
19) Особливості випромінювання нанорозмірного SnO2 в пористій матриці [03020-1-03020-4]
20) Моделювання просторових характеристик кремнієвого сонячного елементу: підхід штучної нейронної мережі [03021-1-03021-4]
21) Вивчення когерентних властивостей екситону в напівпровідникових квантових точках [03022-1-03022-6]
22) Вплив додавання Fe на структурні та оптоелектронні властивості тонких плівок ZnO p/n типу, нанесених методом центрифугування [03023-1-03023-6]
23) Кутова еліпсометрія поверхневих шарів поруватого кремнію [03024-1-03024-4]
24) Біоактивні полімер-апатитні покриття з протимікробними властивостями на модельних титанових субстратах [03025-1-03025-5]
25) Вплив постійного магнітного поля на механічні властивості та термостабільність аморфних сплавів на основі Co, Fe та Ni [03026-1-03026-4]
26) Оптимізація електричних характеристик діода Шотткі Au/n-InN/InP на основі контактної техніки різних діаметрів [03027-1-03027-6]
27) Метод функцій Гріна для феромагнітних нанотрубок з надрешіткою [03028-1-03028-4]
28) Механізм стрибкової провідності в плівках Cd3As2, отриманих магнетронним розпиленням [03029-1-03029-4]
29) Синтез та електрохімічні властивості мезопористого α-MnO2 для застосування в суперконденсаторах [03030-1-03030-4]
30) Дисперсійні властивості нелінійності третього роду поверхневого плазмонного резонансу в золотих наночастинках [03031-1-03031-6]
31) Електропровідні та поляризаційні властивості неорганічно-органічного інкапсулянта MCM-41 (PTHQ) [03032-1-03032-5]
32) Біосенсори: будова, класифікація та застосування [03033-1-03033-9]
33) Електропровідність та магніторезистивні властивості плівкових сплавів на основі пермалою Fe0.5Ni0.5 та міді [03034-1-03034-4]
34) Вплив фазового складу композиційного матеріалу системи В-N-С на його фізико-механічні та трибологічні характеристики [03035-1-03035-5]
35) Модель тунельного струму у тунельному польовому транзисторі на базі двошарової графенової нанострічки за допомогою методу матриці переносу [03036-1-03036-5]
36) Дослідження електрофізичного впливу на протизносні властивості вуглеводневих рідин [03037-1-03037-6]
37) Розрахунок фізико-хімічних умов процесу формування захисних покриттів на основі карбідів та нітридів хрому [03038-1-03038-4]
38) Структурний і фазово-елементний розподіл у імпульсному плазмовому покритті, отриманому з використанням твердосплавного катоду [03039-1-03039-6]
39) Аналіз поведінки динамічних і структурних характеристик у попередньо продеформованих та опромінених Х-променями монокристалах NaCl [03040-1-03040-3]
