Вплив лазерного опромінення на оптичні властивості високоомних кристалів CdTe та твердих розчинів Cd1 – хZnxTe в області фундаментального оптичного переходу Е0

Автори П.О. Генцарь, С.М. Левицький
Приналежність

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, проспект Науки, 41, 03028 Київ, Україна

Е-mail rastneg@isp.kiev.ua
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 3
Дати Одержано 09 січня 2020; у відредагованій формі 20 червня 2020; опубліковано online 25 червня 2020
Посилання П.О. Генцарь, С.М. Левицький, Ж. нано- электрон. физ. 6 № 3, 03013 (2020)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.12(3).03013
PACS Number(s) 78.55.Hx, 78.40.Ha, 71.35.Cc
Ключові слова CdTe (10) , CdZnTe, Пропускання (11) , Відбивання (3) , Поглинання (25) , Лазерне опромінення (4) .
Анотація

У даній роботі проведено оптичні дослідження спектрів пропускання та відбивання монокристалів р-CdTe (111) та твердих розчинів Cd1 – хZnхTe (х = 0,1) в діапазоні (0,8-1,7)·10 – 6 м до та після лазерного опромінення на довжині електромагнітної хвилі   355 нм в інтервалі енергій 5,8-21,0 мДж/см2. Показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних матеріалів при даній лазерній обробці, що пояснюється інтегральним ефектом, тобто в процесі оптичного відбивання приймає участь тонкий приповерхневий шар напівпровідникового матеріалу та об’єм матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару відрізняється від комплексного показника заломлення об’ємного матеріалу). Отримані спектри відбивання зразків свідчать, що при опроміненні відбувається лазерно-стимульована взаємодія домішок і дефектів, що приводить до утворення нейтральних комплексів та зменшення інтенсивності процесів домішкового розсіювання. Встановлено, що основним механізмом впливу імпульсного лазерного опромінення на оптичні властивості тонких приповерхневих шарів досліджених кристалів є структурне гетерування, тобто поглинання, обумовлене наявністю ділянок напівпровідників що мають дефектну структуру і володіють здатністю активно поглинати точкові дефекти і зв’язувати домішки. В монокристалах р-CdTe (111) та твердих розчинах Cd1 – хZnхTe (х = 0,1) роль гетера виконують окисли кадмію, телуру, цинку та їх комплекси.

Перелік посилань