Осадження рідкої фази плівок TiO2 для електронно-транспортного шару перовскітних сонячних елементів
| Автори | Ari Sulistyo Rini1, Mahagi P. Deraf1, H. Yanuar1 , A.A. Umar2 |
| Приналежність |
1Department of Physics, FMIPA, Universitas Riau, 28293 Pekanbaru, Indonesia 2Institute of Microengineering and Nanoelectronics (IMEN), Universiti Kebangsaan Malaysia, Selangor, Bangi 43600, Malaysia |
| Е-mail | yanuar.hamzah@gmail.com |
| Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 3 |
| Дати | Одержано 11 лютого 2020; у відредагованій формі 15 червня 2020; опубліковано online 25 червня 2020 |
| Посилання | Ari Sulistyo Rini, Mahagi P. Deraf, H. Yanuar, A.A. Umar, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 3, 03019 (2020) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(3).03019 |
| PACS Number(s) | 68.03.Fg, 81.15.Lm |
| Ключові слова | TiO2 (17) , Осадження рідкої фази, Електронно-транспортний матеріал, FESEM (8) , Перовскітні сонячні елементи. |
| Анотація |
Шар TiO2 відіграє важливу роль в органічних свинцево-галогенідних перовскітних сонячних елементах (PSCs) як електронно-транспортний шар, а також як блокуючий шар для запобігання рекомбінації носіїв на межі поділу легованого фтором оксиду олова (FTO) та перовскітого шару. Тонку плівку TiO2 успішно вирощували на підкладці FTO методом осадження рідкої фази. У цій роботі шари TiO2 вирощували в два заходи при температурі 50 ºC. Перший шар вирощували протягом 2 год, а другий шар згодом вирощували з різною тривалістю, а саме протягом 1, 2, 3 та 4 год. Оптичні, структурні та морфологічні властивості зразків характеризували відповідно за допомогою УФ-спектроскопії, XRD та FESEM/EDX. Потім тонку плівку TiO2 застосовували як електронно-транспортний матеріал (ETM) у PSC з конфігурацією n-i-p. Результати УФ-спектроскопії показали, що спектр максимального поглинання тонких плівок TiO2 відповідає діапазону довжин хвиль 300-450 нм для усіх зразків. На дифрактограмі виявлено, що зразок є структурою анатазу TiO2 з кристалічною орієнтацією (100), (004), (200) і (105) при кутах пікової дифракції 2(, рівними відповідно 25,50º; 37,92º; 48,04º і 54,84º. FESEM характеристика показала, що наноструктура TiO2 має стрижнеподібну морфологію. Пристрій PSC, виготовлений з використанням зразка TiO2 з другим шаром, вирощеним протягом 2 год, демонструє найвищу ефективність перетворення потужності, рівну 0,23 %. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Пучкові та секторні режими електронних потоків у циліндричному магнітному полі магнетронної гармати [03001-1-03001-5]2) Теоретичне дослідження щодо вдосконалення сонячних елементів на основі CIGS [03002-1-03002-5]
3) Підвищення продуктивності сонячних елементів a-Si:H шляхом введення наноструктурованого буферного шару p-nc-SiOx:H [03003-1-03003-5]
4) Optical Extraction Efficiency for External Cavity Quantum Cascade Lasers [03004-1-03004-5]
5) Числове моделювання параметрів FinFET транзисторів [03005-1-03005-4]
6) Числове моделювання розподілу температури та електричного поля при мікрохвильовому нагріванні нафтового коксу [03006-1-03006-5]
7) Наноструктуровані тонкі плівки ZnO і CuI на полі(етілентерафталатних) стрічках для захисту від ультрафіолетового випромінювання [03007-1-03007-8]
8) Механізми зміни провідності поруватого кремнію в атмосфері аміаку – DFT моделювання [03008-1-03008-7]
9) Розробка наночастинок фериту цинку міді: застосування в каталітичному вологому окисленні H2O2 фенолу [03009-1-03009-5]
10) Характеристики тонких плівок оксиду олова, отриманних методом центрифугування, для оптоелектронних застосувань [03010-1-03010-5]
11) Дослідження електричних та структурних властивостей наночастинок діоксиду марганцю [03011-1-03011-5]
12) Про температурну залежність поздовжніх коливань електричної провідності в вузькозонних електронних напівпровідниках [03012-1-03012-5]
13) Вплив лазерного опромінення на оптичні властивості високоомних кристалів CdTe та твердих розчинів Cd1 – хZnxTe в області фундаментального оптичного переходу Е0 [03013-1-03013-4]
14) Електронні властивості наногібридного капсуляту MCM-41 SmCl3 [03014-1-03014-5]
15) Застосування кремнієвої структури з глибоким бар'єром для виявлення солей хлорної кислоти [03015-1-03015-5]
16) Вирощування ZnO на підкладках макропоруватого Si методом ВЧ магнетронного розпилення [03016-1-03016-4]
17) Одноелектронний транзистор на основі металофулеренів Me@C60 (Me = Li, Na, K) [03017-1-03017-5]
18) Середньоквадратичні динамічні зміщення атомів та їх комплексів від положення рівноваги в кристалах [03018-1-03018-5]
19) Особливості випромінювання нанорозмірного SnO2 в пористій матриці [03020-1-03020-4]
20) Моделювання просторових характеристик кремнієвого сонячного елементу: підхід штучної нейронної мережі [03021-1-03021-4]
21) Вивчення когерентних властивостей екситону в напівпровідникових квантових точках [03022-1-03022-6]
22) Вплив додавання Fe на структурні та оптоелектронні властивості тонких плівок ZnO p/n типу, нанесених методом центрифугування [03023-1-03023-6]
23) Кутова еліпсометрія поверхневих шарів поруватого кремнію [03024-1-03024-4]
24) Біоактивні полімер-апатитні покриття з протимікробними властивостями на модельних титанових субстратах [03025-1-03025-5]
25) Вплив постійного магнітного поля на механічні властивості та термостабільність аморфних сплавів на основі Co, Fe та Ni [03026-1-03026-4]
26) Оптимізація електричних характеристик діода Шотткі Au/n-InN/InP на основі контактної техніки різних діаметрів [03027-1-03027-6]
27) Метод функцій Гріна для феромагнітних нанотрубок з надрешіткою [03028-1-03028-4]
28) Механізм стрибкової провідності в плівках Cd3As2, отриманих магнетронним розпиленням [03029-1-03029-4]
29) Синтез та електрохімічні властивості мезопористого α-MnO2 для застосування в суперконденсаторах [03030-1-03030-4]
30) Дисперсійні властивості нелінійності третього роду поверхневого плазмонного резонансу в золотих наночастинках [03031-1-03031-6]
31) Електропровідні та поляризаційні властивості неорганічно-органічного інкапсулянта MCM-41 (PTHQ) [03032-1-03032-5]
32) Біосенсори: будова, класифікація та застосування [03033-1-03033-9]
33) Електропровідність та магніторезистивні властивості плівкових сплавів на основі пермалою Fe0.5Ni0.5 та міді [03034-1-03034-4]
34) Вплив фазового складу композиційного матеріалу системи В-N-С на його фізико-механічні та трибологічні характеристики [03035-1-03035-5]
35) Модель тунельного струму у тунельному польовому транзисторі на базі двошарової графенової нанострічки за допомогою методу матриці переносу [03036-1-03036-5]
36) Дослідження електрофізичного впливу на протизносні властивості вуглеводневих рідин [03037-1-03037-6]
37) Розрахунок фізико-хімічних умов процесу формування захисних покриттів на основі карбідів та нітридів хрому [03038-1-03038-4]
38) Структурний і фазово-елементний розподіл у імпульсному плазмовому покритті, отриманому з використанням твердосплавного катоду [03039-1-03039-6]
39) Аналіз поведінки динамічних і структурних характеристик у попередньо продеформованих та опромінених Х-променями монокристалах NaCl [03040-1-03040-3]
