Характеристики тонких плівок оксиду олова, отриманних методом центрифугування, для оптоелектронних застосувань

Автори M. Maache1,2, A. Chala2,3, T. Devers4
Приналежність

1Department of Physics, Ziane ACHOUR University, 17000 Djelfa, Algeria

2PLTFA, Physical Laboratory of Thin Films and Applications, Mohamed Khider University, 07000 Biskra, Algeria

3Department of Science of matter, Mohamed Khider University, 07000 Biskra, Algeria

4University of Orleans, ICMN-UMR 7374 CNRS, IUT of Chartres, 28000 Chartres, France

Е-mail moumos2001@gmail.com
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 3
Дати Одержано 25 травня 2019; у відредагованій формі 15 червня 2020; опубліковано online 25 червня 2020
Посилання M. Maache, A. Chala, T. Devers, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 3, 03010 (2020)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.12(3).03010
PACS Number(s) 68.00.00
Ключові слова SnO2 (6) , Золь-гель (14) , Спінове покриття, Провідність (60) , Оптоелектронний.
Анотація

Золь-гелеву техніку застосовували для отримання тонких плівок чистого оксиду олова (SnO2). Плівки вирощували при кімнатній температурі на чистих скляних підкладках методом центрифугування. Дигідрат хлористого олова (II) використовували як вихідний матеріал, а 2-пропанол – як розчинник. Молярність олова зберігалася [Sn2+] = 0.3 M. На мікрофотографіях SEM опрацьованих плівок видно, що вони складаються із дуже дрібнозернистих частинок. XRD аналіз виявляє, що всі відпалені плівки складаються з однофазного SnO2, дифрактограми вказують на наявність піків (100), (101), (211), що відповідають тетрагональній фазі без будь-яких вторинних фаз. Зображення скануючої електронної мікроскопії та атомно-силової мікроскопії показують еволюцію різних поверхневих морфологій; усі плівки мають однорідну та рівномірну морфологію поверхні. Просвічуюча електронна мікроскопія підтверджує, що підготовлені плівки є нанокристалічними. Крім того, досліджується вплив багатошарового покриття на оптоелектронні властивості тонких плівок SnO2. У видимій області пропускна здатність перевищує 85 %. Питомий опір тонких плівок SnO2 значно зменшується з товщиною. Орієнтовне максимальне значення провідності становить 2.72 (Ω.см) – 1.

Перелік посилань