Характеристики тонких плівок оксиду олова, отриманних методом центрифугування, для оптоелектронних застосувань
| Автори | M. Maache1,2, A. Chala2,3, T. Devers4 |
| Афіліація |
1Department of Physics, Ziane ACHOUR University, 17000 Djelfa, Algeria 2PLTFA, Physical Laboratory of Thin Films and Applications, Mohamed Khider University, 07000 Biskra, Algeria 3Department of Science of matter, Mohamed Khider University, 07000 Biskra, Algeria 4University of Orleans, ICMN-UMR 7374 CNRS, IUT of Chartres, 28000 Chartres, France |
| Е-mail | moumos2001@gmail.com |
| Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 3 |
| Дати | Одержано 25 травня 2019; у відредагованій формі 15 червня 2020; опубліковано online 25 червня 2020 |
| Цитування | M. Maache, A. Chala, T. Devers, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 3, 03010 (2020) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(3).03010 |
| PACS Number(s) | 68.00.00 |
| Ключові слова | SnO2 (11) , Золь-гель (26) , Спінове покриття, Провідність (94) , Оптоелектронний (2) . |
| Анотація |
Золь-гелеву техніку застосовували для отримання тонких плівок чистого оксиду олова (SnO2). Плівки вирощували при кімнатній температурі на чистих скляних підкладках методом центрифугування. Дигідрат хлористого олова (II) використовували як вихідний матеріал, а 2-пропанол – як розчинник. Молярність олова зберігалася [Sn2+] = 0.3 M. На мікрофотографіях SEM опрацьованих плівок видно, що вони складаються із дуже дрібнозернистих частинок. XRD аналіз виявляє, що всі відпалені плівки складаються з однофазного SnO2, дифрактограми вказують на наявність піків (100), (101), (211), що відповідають тетрагональній фазі без будь-яких вторинних фаз. Зображення скануючої електронної мікроскопії та атомно-силової мікроскопії показують еволюцію різних поверхневих морфологій; усі плівки мають однорідну та рівномірну морфологію поверхні. Просвічуюча електронна мікроскопія підтверджує, що підготовлені плівки є нанокристалічними. Крім того, досліджується вплив багатошарового покриття на оптоелектронні властивості тонких плівок SnO2. У видимій області пропускна здатність перевищує 85 %. Питомий опір тонких плівок SnO2 значно зменшується з товщиною. Орієнтовне максимальне значення провідності становить 2.72 (Ω.см) – 1. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Пучкові та секторні режими електронних потоків у циліндричному магнітному полі магнетронної гармати [03001-1-03001-5]2) Теоретичне дослідження щодо вдосконалення сонячних елементів на основі CIGS [03002-1-03002-5]
3) Підвищення продуктивності сонячних елементів a-Si:H шляхом введення наноструктурованого буферного шару p-nc-SiOx:H [03003-1-03003-5]
4) Optical Extraction Efficiency for External Cavity Quantum Cascade Lasers [03004-1-03004-5]
5) Числове моделювання параметрів FinFET транзисторів [03005-1-03005-4]
6) Числове моделювання розподілу температури та електричного поля при мікрохвильовому нагріванні нафтового коксу [03006-1-03006-5]
7) Наноструктуровані тонкі плівки ZnO і CuI на полі(етілентерафталатних) стрічках для захисту від ультрафіолетового випромінювання [03007-1-03007-8]
8) Механізми зміни провідності поруватого кремнію в атмосфері аміаку – DFT моделювання [03008-1-03008-7]
9) Розробка наночастинок фериту цинку міді: застосування в каталітичному вологому окисленні H2O2 фенолу [03009-1-03009-5]
10) Дослідження електричних та структурних властивостей наночастинок діоксиду марганцю [03011-1-03011-5]
11) Про температурну залежність поздовжніх коливань електричної провідності в вузькозонних електронних напівпровідниках [03012-1-03012-5]
12) Вплив лазерного опромінення на оптичні властивості високоомних кристалів CdTe та твердих розчинів Cd1 – хZnxTe в області фундаментального оптичного переходу Е0 [03013-1-03013-4]
13) Електронні властивості наногібридного капсуляту MCM-41 SmCl3 [03014-1-03014-5]
14) Застосування кремнієвої структури з глибоким бар'єром для виявлення солей хлорної кислоти [03015-1-03015-5]
15) Вирощування ZnO на підкладках макропоруватого Si методом ВЧ магнетронного розпилення [03016-1-03016-4]
16) Одноелектронний транзистор на основі металофулеренів Me@C60 (Me = Li, Na, K) [03017-1-03017-5]
17) Середньоквадратичні динамічні зміщення атомів та їх комплексів від положення рівноваги в кристалах [03018-1-03018-5]
18) Осадження рідкої фази плівок TiO2 для електронно-транспортного шару перовскітних сонячних елементів [03019-1-03019-5]
19) Особливості випромінювання нанорозмірного SnO2 в пористій матриці [03020-1-03020-4]
20) Моделювання просторових характеристик кремнієвого сонячного елементу: підхід штучної нейронної мережі [03021-1-03021-4]
21) Вивчення когерентних властивостей екситону в напівпровідникових квантових точках [03022-1-03022-6]
22) Вплив додавання Fe на структурні та оптоелектронні властивості тонких плівок ZnO p/n типу, нанесених методом центрифугування [03023-1-03023-6]
23) Кутова еліпсометрія поверхневих шарів поруватого кремнію [03024-1-03024-4]
24) Біоактивні полімер-апатитні покриття з протимікробними властивостями на модельних титанових субстратах [03025-1-03025-5]
25) Вплив постійного магнітного поля на механічні властивості та термостабільність аморфних сплавів на основі Co, Fe та Ni [03026-1-03026-4]
26) Оптимізація електричних характеристик діода Шотткі Au/n-InN/InP на основі контактної техніки різних діаметрів [03027-1-03027-6]
27) Метод функцій Гріна для феромагнітних нанотрубок з надрешіткою [03028-1-03028-4]
28) Механізм стрибкової провідності в плівках Cd3As2, отриманих магнетронним розпиленням [03029-1-03029-4]
29) Синтез та електрохімічні властивості мезопористого α-MnO2 для застосування в суперконденсаторах [03030-1-03030-4]
30) Дисперсійні властивості нелінійності третього роду поверхневого плазмонного резонансу в золотих наночастинках [03031-1-03031-6]
31) Електропровідні та поляризаційні властивості неорганічно-органічного інкапсулянта MCM-41 (PTHQ) [03032-1-03032-5]
32) Біосенсори: будова, класифікація та застосування [03033-1-03033-9]
33) Електропровідність та магніторезистивні властивості плівкових сплавів на основі пермалою Fe0.5Ni0.5 та міді [03034-1-03034-4]
34) Вплив фазового складу композиційного матеріалу системи В-N-С на його фізико-механічні та трибологічні характеристики [03035-1-03035-5]
35) Модель тунельного струму у тунельному польовому транзисторі на базі двошарової графенової нанострічки за допомогою методу матриці переносу [03036-1-03036-5]
36) Дослідження електрофізичного впливу на протизносні властивості вуглеводневих рідин [03037-1-03037-6]
37) Розрахунок фізико-хімічних умов процесу формування захисних покриттів на основі карбідів та нітридів хрому [03038-1-03038-4]
38) Структурний і фазово-елементний розподіл у імпульсному плазмовому покритті, отриманому з використанням твердосплавного катоду [03039-1-03039-6]
39) Аналіз поведінки динамічних і структурних характеристик у попередньо продеформованих та опромінених Х-променями монокристалах NaCl [03040-1-03040-3]
