Аналіз поведінки динамічних і структурних характеристик у попередньо продеформованих та опромінених Х-променями монокристалах NaCl
| Автори | О.М. Петченко , Г.О. Петченко , С.М. Бойко, А.В. Безуглий |
| Афіліація |
Харківський національний університет міського господарства імені О.М. Бекетова, вул. Маршала Бажанова, 17, 61002 Харків, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 3 |
| Дати | Одержано 01 листопада 2019; у відредагованій формі 15 червня 2020; опубліковано online 25 червня 2020 |
| Цитування | О.М. Петченко, Г.О. Петченко, С.М. Бойко, А.В. Безуглий, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 3, 03040 (2020) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(3).03040 |
| PACS Number(s) | 43.35. + d |
| Ключові слова | Дислокаційний декремент (3) , Деформація (36) , Опромінення (22) , Дислокації (5) , Коефіцієнт динамічного гальмування (2) , Середня ефективна довжина дислокаційного сегмента (2) . |
| Анотація |
Імпульсним ехо-методом у діапазоні частот 37,5-232,5 МГц на монокристалах NaCl із величиною залишкової деформації 0,5 % при кімнатній температурі вивчено поведінку дислокаційного декремента (d(f) в умовах варіювання дози Х-опромінення зразків в інтервалі 0-600 Р. Встановлено, що із зростанням дози опромінення спостерігається ефект гасіння амплітуди дислокаційного резонансу, що призводить до помітного відновлення вихідних акустичних характеристик кристалів. Також відзначається, що високочастотні асимптоти вказаних характеристик збігаються в суцільну лінію, що є характерною особливістю акустичного експерименту з опроміненими кристалами. З частотних кривих, знятих для кристалів з різними дозами опромінення, в рамках струнної дислокаційної теорії Гранато-Люкке визначено залежності коефіцієнта в’язкості В і середньої ефективної довжини дислокаційного сегменту L від дози Х-опромінення (. У рамках моделі Штерна і Гранато було вивчено хід експериментальних залежностей (m((), fm(() і L((). Виконано перевірку теоретичних передбачень моделі стосовно зростання чи спаду вказаних характеристик з часом Х-опромінення t за законом (1 + (t)2. Спостерігається добра відповідність поміж собою залежностей L((), одержаних в рамках розрахунку за теоріями Гранато-Люкке і Штерна-Гранато. Одержані результати демонструють той факт, що коефіцієнт динамічного гальмування дислокацій В не залежить від дози Х-опромінення у вивченому інтервалі доз 0-600 Р. Це підтверджує уявлення щодо того, що коефіцієнт демпфування В є фундаментальною характеристикою кристала, що залежить лише від взаємодії дислокацій з його фононною підсистемою і не залежить від параметрів дислокаційної структури кристалів. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Пучкові та секторні режими електронних потоків у циліндричному магнітному полі магнетронної гармати [03001-1-03001-5]2) Теоретичне дослідження щодо вдосконалення сонячних елементів на основі CIGS [03002-1-03002-5]
3) Підвищення продуктивності сонячних елементів a-Si:H шляхом введення наноструктурованого буферного шару p-nc-SiOx:H [03003-1-03003-5]
4) Optical Extraction Efficiency for External Cavity Quantum Cascade Lasers [03004-1-03004-5]
5) Числове моделювання параметрів FinFET транзисторів [03005-1-03005-4]
6) Числове моделювання розподілу температури та електричного поля при мікрохвильовому нагріванні нафтового коксу [03006-1-03006-5]
7) Наноструктуровані тонкі плівки ZnO і CuI на полі(етілентерафталатних) стрічках для захисту від ультрафіолетового випромінювання [03007-1-03007-8]
8) Механізми зміни провідності поруватого кремнію в атмосфері аміаку – DFT моделювання [03008-1-03008-7]
9) Розробка наночастинок фериту цинку міді: застосування в каталітичному вологому окисленні H2O2 фенолу [03009-1-03009-5]
10) Характеристики тонких плівок оксиду олова, отриманних методом центрифугування, для оптоелектронних застосувань [03010-1-03010-5]
11) Дослідження електричних та структурних властивостей наночастинок діоксиду марганцю [03011-1-03011-5]
12) Про температурну залежність поздовжніх коливань електричної провідності в вузькозонних електронних напівпровідниках [03012-1-03012-5]
13) Вплив лазерного опромінення на оптичні властивості високоомних кристалів CdTe та твердих розчинів Cd1 – хZnxTe в області фундаментального оптичного переходу Е0 [03013-1-03013-4]
14) Електронні властивості наногібридного капсуляту MCM-41 SmCl3 [03014-1-03014-5]
15) Застосування кремнієвої структури з глибоким бар'єром для виявлення солей хлорної кислоти [03015-1-03015-5]
16) Вирощування ZnO на підкладках макропоруватого Si методом ВЧ магнетронного розпилення [03016-1-03016-4]
17) Одноелектронний транзистор на основі металофулеренів Me@C60 (Me = Li, Na, K) [03017-1-03017-5]
18) Середньоквадратичні динамічні зміщення атомів та їх комплексів від положення рівноваги в кристалах [03018-1-03018-5]
19) Осадження рідкої фази плівок TiO2 для електронно-транспортного шару перовскітних сонячних елементів [03019-1-03019-5]
20) Особливості випромінювання нанорозмірного SnO2 в пористій матриці [03020-1-03020-4]
21) Моделювання просторових характеристик кремнієвого сонячного елементу: підхід штучної нейронної мережі [03021-1-03021-4]
22) Вивчення когерентних властивостей екситону в напівпровідникових квантових точках [03022-1-03022-6]
23) Вплив додавання Fe на структурні та оптоелектронні властивості тонких плівок ZnO p/n типу, нанесених методом центрифугування [03023-1-03023-6]
24) Кутова еліпсометрія поверхневих шарів поруватого кремнію [03024-1-03024-4]
25) Біоактивні полімер-апатитні покриття з протимікробними властивостями на модельних титанових субстратах [03025-1-03025-5]
26) Вплив постійного магнітного поля на механічні властивості та термостабільність аморфних сплавів на основі Co, Fe та Ni [03026-1-03026-4]
27) Оптимізація електричних характеристик діода Шотткі Au/n-InN/InP на основі контактної техніки різних діаметрів [03027-1-03027-6]
28) Метод функцій Гріна для феромагнітних нанотрубок з надрешіткою [03028-1-03028-4]
29) Механізм стрибкової провідності в плівках Cd3As2, отриманих магнетронним розпиленням [03029-1-03029-4]
30) Синтез та електрохімічні властивості мезопористого α-MnO2 для застосування в суперконденсаторах [03030-1-03030-4]
31) Дисперсійні властивості нелінійності третього роду поверхневого плазмонного резонансу в золотих наночастинках [03031-1-03031-6]
32) Електропровідні та поляризаційні властивості неорганічно-органічного інкапсулянта MCM-41 (PTHQ) [03032-1-03032-5]
33) Біосенсори: будова, класифікація та застосування [03033-1-03033-9]
34) Електропровідність та магніторезистивні властивості плівкових сплавів на основі пермалою Fe0.5Ni0.5 та міді [03034-1-03034-4]
35) Вплив фазового складу композиційного матеріалу системи В-N-С на його фізико-механічні та трибологічні характеристики [03035-1-03035-5]
36) Модель тунельного струму у тунельному польовому транзисторі на базі двошарової графенової нанострічки за допомогою методу матриці переносу [03036-1-03036-5]
37) Дослідження електрофізичного впливу на протизносні властивості вуглеводневих рідин [03037-1-03037-6]
38) Розрахунок фізико-хімічних умов процесу формування захисних покриттів на основі карбідів та нітридів хрому [03038-1-03038-4]
39) Структурний і фазово-елементний розподіл у імпульсному плазмовому покритті, отриманому з використанням твердосплавного катоду [03039-1-03039-6]
