Ріст поверхневих мікро- і наноструктур у процесі профілювання вглиб кристалів PbTe плазмою Ar
| Автори | Д.М. Заячук1, В.Є. Слинько2, А. Чік3 |
| Приналежність | 1 Національний університет “Львівська політехніка”, вул. С. Бандери, 12, 79013 Львів, Україна 2 Чернівецьке відділення Інституту Проблем Матеріалознавства НАНУ, вул. І. Вільде, 5, 58001 Чернівці, Україна 3 Інститут Ядерних Досліджень Академії Наук Угорщини (ATOMKI), H-4026 Дебрецен, Bem ter 18/c, Угорщина |
| Е-mail | zayachuk@polynet.lviv.ua |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 5 |
| Дати | Одержано 18.07.2017, опубліковано online - 16.10.2017 |
| Посилання | Д.М. Заячук, В.Є. Слинько, А. Чік, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 5, 05034 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(5).05034 |
| PACS Number(s) | 81.70.Jb, 68.55.ag, 61.05. – a |
| Ключові слова | Вторинна нейтральна мас-спектрометрія, Профілювання вглиб, PbTe (3) , Розпорошення, Переосадження. |
| Анотація | Представлені особливості профілювання вглиб кристалів PbTe плазмою Ar енергії 350 еВ методом вторинної нейтральної масспектрометрії, що спричиняються умовами росту кристалів. Дослідження проведено на кристалах, вирощених з парової фази та з розплаву методом Бріджмена. Різні поверхні були розпорошені: поверхня природної огранки, що відповідає кристалографічній площині високої симетрії (100), природні бокові поверхні кристалічних зливків та поверхні, оброблені механічно підчас розрізання кристалів. На розпорошених поверхнях спостерігали зародкоутворення, ріст і повторне розпорошення масивів мікро- і наноскопічних поверхневих структур, переосаджених з розпорошених атомів Pb і Te. Встановлено, що ростові умови формування поверхонь кристалів PbTe дуже сильно впливають на процеси зародкоутворення і росту на них поверхневих мікро- і наноструктур в умовах неперервного бомбардування поверхні іонами Ar підчас профілювання кристалів вглиб. Показано, що це не перешкоджає належній оцінці складу досліджуваних об'єктів шляхом аналізу складу розпорошеної фази, якщо розпорошення проводити щонайменше 5-10 хвилин. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Електрохімічні властивості системи нанопористий вуглець/апротонний електроліт [05001-1-05001-5]2) Numerical Simulation and Mathematical Modeling of 3D DG SOI MOSFET with the Influence of Biasing with Back Gate [05002-1-05002-4]
3) Simulation and Performance Analysis of 32 nm FinFet based 4-Bit Carry Look Adder [05003-1-05003-4]
4) Кінетичні явища та термоелектричні властивості полікристалічних тонких плівок на основі сполук PbSnAgTe [05004-1-05004-6]
5) Структурно-фазові та електрофізичні властивості нанокомпозитів на базі системи «скло -Ni3B», отриманих відпалюваннямям електронним пучком [05005-1-05005-4]
6) Вплив морфології поверхні та особливостей структурної орієнтації парофазних конденсатів SnTe:1%Sb на їх термоелектричні параметри [05006-1-05006-4]
7) Optimisation of Doped Antimony Sulphide (Sb2S3) Thin Films for Enhanced Device Applications [05007-1-05007-4]
8) Вплив поверхневого легування на адсорбційну здатність нанопорошкових металооксидів для сенсорів газів [05008-1-05008-5]
9) Structural and Dielectric Characterization of Sm2MgMnO6 [05009-1-05009-5]
10) Вольтамперометричний аналіз фазового складу тонких плівок Zn-Ni, електроосаджених зі слабколужного полілігандного електроліту [05010-1-05010-7]
11) Tемпературна залежність провідності спряжених полімерів, легованих карбоновими нанотрубками [05011-1-05011-5]
12) Теорія міжзонного оптичного поглинання в квантових ямах на основі об’ємних матеріалів з анізотропними непараболічними зонами [05012-1-05012-8]
13) Superconductivity and Kondo Effect of PdxBi2Se3 Whiskers at Low Temperatures [05013-1-05013-5]
14) Електродинамічні характеристики кераміки на основі системи SrO – Al2O3 – SiO2 [05014-1-05014-5]
15) High-performance Monte Carlo Simulation of Multilayer Magnetic Films [05015-1-05015-4]
16) Морфологія поверхні тонких плівок CdTe отриманих методом відкритого випаровування у вакуумі [05016-1-05016-5]
17) Бічні планарні діодні переходи на листі графену з різними областями функціоналізації [05017-1-05017-8]
18) Вплив заміщення на механізм провідності ультрадисперсних літій-залізних шпінелей, заміщених іонами магнію [05018-1-05018-6]
19) Спектрально-люмінесцентні властивості титано-марганцевих оксидів [05019-1-05019-7]
20) Processes of Nucleation of Amorphous As-S Films at Condensation on Carbon Substrates [05020-1-05020-5]
21) Особливості мікроструктури та перколяційна поведінка поліпропіленгліколю, наповненого багатошаровими вуглецевими нанотрубками [05021-1-05021-6]
22) Термоелектричні властивості наноструктурованих матеріалів на основі телуриду свинцю [05022-1-05022-7]
23) Електронні стани на нерівній поверхні GaAs (100), створеній поверхневою акустичною хвилею та адсорбованими атомами [05023-1-05023-7]
24) Синтез, люмінесцентні та структурні властивості нанокристалів Cd1 – xCuxS і Cd1 xZnxS [05024-1-05024-6]
25) Спектроскопічні еліпсометричні дослідження та температурна поведінка діелектричних функцій шаруватого кристалу TlInS2 [05025-1-05025-6]
26) Отримання та оптичні властивості підкладинок з поверхневою наноструктурою [05026-1-05026-5]
27) Anisotropic Electrical Properties of a Square Superlattice [05027-1-05027-4]
28) Structural and Optoelectronic Properties of Nanocrystalline CdTe Thin Films Synthesized by Using SILAR Technique [05028-1-05028-4]
29) Вплив заміщення йонами Cd2+ на магнітні властивості Ni-Cd феритів [05029-1-05029-5]
30) Розмірний ефект у наночастинках триметилсилільованого кремнезему [05030-1-05030-5]
31) Видима люмінесценція ІnGaN/GaN cвітлодіодів ультрафіолетового випромінювання 365 нм [05031-1-05031-5]
32) Методичні засади вивчення питань нанотехнологій у курсі загальної фізики вищих навчальних закладів [05032-1-05032-8]
33) Оптичні явища і процеси, індуковані ультракороткими лазерними імпульсами в халькогенідних та халькогалоїдних склоподібних напівпровідниках [05033-1-05033-5]
34) Структура та оптичні властивості тонких плівок CdS та CdTe для сонячних елементів на гнучких підкладках, отриманих магнетронним розпиленням на постійному струмі [05035-1-05035-6]
35) The Structure of Mn and Co Nanoparticles Obtained in Direct Surfactant Micelles [05036-1-05036-4]
36) Вплив методів визначення параметрів бар'єрного переходу на їх точність [05037-1-05037-5]
37) Вплив товщини шарів MoNх/CrNy у багатошаровому покриті і азотування на структурні і механічні характеристики [05038-1-05038-4]
38) Вплив гідростатичного тиску на електронну структуру кристала NiMnAs [05039-1-05039-6]
39) Структура та електропровідність полімерних композиційних матеріалів,сформованих у магнітному полі [05040-1-05040-5]
40) Математичне моделювання фізичних процесів перетворення електромагнітного поля в поле пружних коливань в мікротовщинних шарах металів [05041-1-05041-7]
41) Estimation of the Dihedral Angle Between Metal Nanoparticles During Their Coalescence [05042-1-05042-4]
42) Використання суміші газів (C2H2+N2) для отримання надтвердих карбонітридних покриттів на основі молібдену [05043-1-05043-6]
43) Розподіл щільності станів для визначення фотопровідності a-Si:H [05044-1-05044-4]
44) Titanium Carbide Obtained by Magnetron Sputtering of Graphite on Heated Titanium Substrate [05045-1-05045-3]
45) Отримання та люмінесцентні властивості гетерошарів α-ZnSe з поверхневою наноструктурою [05046-1-05046-3]
46) Вплив термічного відпалу на оптичні властивості плівок телуриду кадмію [05047-1-05047-3]
47) Synthesis and Characterization of a New Aluminum Complex bis (8-hydroxy quinoline) (1-10 phenanthroline) Aluminum Al (Phen)q2 [05048-1-05048-3]
48) Defects in Graphene Nanoribbons and Flakes: Influence on the Conductivity [05049-1-05049-3]
