Видима люмінесценція ІnGaN/GaN cвітлодіодів ультрафіолетового випромінювання 365 нм

Автори В.П. Велещук1, О.І. Власенко1, З.К. Власенко1, Д.М. Хміль1, О.М. Камуз1, І.В. Петренко2, В.П. Тартачник2, О.В. Шульга3, В.В. Борщ3
Приналежність

1 Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ, пр. Науки, 41, 03680 Київ, Україна

2 Інститут ядерних досліджень НАНУ, пр. Науки, 47, 03680 Київ, Україна

3 Полтавський національний технічний університет ім. Ю. Кондратюка, пр. Першотравневий, 24, 36011 Полтава, Україна

Е-mail vvvit@ukr.net
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 5
Дати Одержано 23.07.2017, опубліковано online - 16.10.2017
Посилання В.П. Велещук, О.І. Власенко, З.К. Власенко, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 5, 05031 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(5).05031
PACS Number(s) 85.60.Jb, 70.60.Fi, 81.70.Fy, 61.72.Ji
Ключові слова УФ світлодіод 365 нм, ІnGaN/GaN, Електролюмінесценція (2) .
Анотація У роботі вивчена видима електро- та фотолюмінесценція у світлодіодах ультрафіолетового випромінювання (  365 нм). Встановлено, що при температурі 77 К жовта електролюмінесценція відсутня і виникає при зростанні струму або температури. Виміряно потужність і ефективність (Лм/Вт) випромінювання жовтої електролюмінесценції у діапазоні довжин хвиль 450 – 740 нм. При зниженні температури спостерігається ріст інтенсивності люмінесценції в області спектру 393 – 460…490 нм.

Перелік посилань

English version of article