Спектроскопічні еліпсометричні дослідження та температурна поведінка діелектричних функцій шаруватого кристалу TlInS2

Автори О.О. Гомоннай1, О. Гордан2, П.П. Гуранич1, П. Гуранич1, О.Г. Сливка1, О.В. Гомоннай1,3, Д.Р.Т. Цан2
Приналежність

1 Ужгородський національний університет, вул. Підгірна, 46, 88000 Ужгород, Україна

2 Кемніцький технічний університет, D-09107 Кемніц, Німеччина

3 Інститут електронної фізики НАН України, вул. Університетська, 21, 88000 Ужгород, Україна

Е-mail gomonnai.o@gmail.com
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 5
Дати Одержано 30.06.2017, у відредагованій формі - 11.08.2017, опубліковано online - 16.10.2017
Посилання О.О. Гомоннай, О. Гордан, П.П. Гуранич, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 5, 05025 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(5).05025
PACS Number(s) 78.67. – n, 78.90. + t
Ключові слова Діелектрична функція (3) , Оптичні переходи, Структурні фазові переходи.
Анотація Дійсну та уявну частини діелектричної функції кристалу TlInS2 визначено в спектральному діапазоні від 1 до 5 еВ в інтервалі температур 133-293 К із спектроскопічних еліпсометричних досліджень. Енергії міжзонних переходів (критичних точок) отримано для TlInS2 з других похідних від діелектричних функцій. Обговорюються особливості в області структурних фазових переходів (190-220 К) та при нижчих температурах.

Перелік посилань