Автори | О.О. Гомоннай1, О. Гордан2, П.П. Гуранич1, П. Гуранич1, О.Г. Сливка1, О.В. Гомоннай1,3, Д.Р.Т. Цан2 |
Афіліація | 1 Ужгородський національний університет, вул. Підгірна, 46, 88000 Ужгород, Україна 2 Кемніцький технічний університет, D-09107 Кемніц, Німеччина 3 Інститут електронної фізики НАН України, вул. Університетська, 21, 88000 Ужгород, Україна |
Е-mail | gomonnai.o@gmail.com |
Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 5 |
Дати | Одержано 30.06.2017, у відредагованій формі - 11.08.2017, опубліковано online - 16.10.2017 |
Цитування | О.О. Гомоннай, О. Гордан, П.П. Гуранич, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 5, 05025 (2017) |
DOI | 10.21272/jnep.9(5).05025 |
PACS Number(s) | 78.67. – n, 78.90. + t |
Ключові слова | Діелектрична функція (3) , Оптичні переходи, Структурні фазові переходи. |
Анотація | Дійсну та уявну частини діелектричної функції кристалу TlInS2 визначено в спектральному діапазоні від 1 до 5 еВ в інтервалі температур 133-293 К із спектроскопічних еліпсометричних досліджень. Енергії міжзонних переходів (критичних точок) отримано для TlInS2 з других похідних від діелектричних функцій. Обговорюються особливості в області структурних фазових переходів (190-220 К) та при нижчих температурах. |
Перелік цитувань |