Електронні стани на нерівній поверхні GaAs (100), створеній поверхневою акустичною хвилею та адсорбованими атомами

Автори М.Я. Сенета , Р.М. Пелещак , В.Б. Британ
Афіліація

Дрогобицький державний педагогічний університет умені Івана Франка, в ул. Івана Франка, 24, 82100 Дрогобич, Україна

Е-mail marsen18@i.ua
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 5
Дати Одержано 14.08.2017, опубліковано online - 16.10.2017
Цитування М.Я. Сенета, Р.М. Пелещак, В.Б. Британ, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 5, 05023 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(5).05023
PACS Number(s) 73.20.At, 73.20.Hb, 68.60.Bs
Ключові слова Адсорбовані атоми, Акустична квазірелеєвська хвиля, Електронні стани (5) .
Анотація Розвинуто теорію електронних станів на поверхні напівпровідника з нерівностями, які створені як адсорбованими атомами, так і акустичною квазірелеєвською хвилею. Отримано спектр поверхневих електронних станів на адсорбованій поверхні напівпровідника GaAs у довгохвильовому, резонансному та короткохвильовому наближеннях з урахуванням взаємодії перших трьох електронних гармонік при дії акустичної квазірелеєвської хвилі. Показано, що залежності енергетичної ширини забороненої зони на поверхні напівпровідника і довжини просторової локалізації хвильової функції електрона від концентрації адсорбованих атомів в інтервалі мають немонотонний характер.

Перелік цитувань