Автори | М.Я. Сенета , Р.М. Пелещак , В.Б. Британ |
Афіліація | Дрогобицький державний педагогічний університет умені Івана Франка, в ул. Івана Франка, 24, 82100 Дрогобич, Україна |
Е-mail | marsen18@i.ua |
Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 5 |
Дати | Одержано 14.08.2017, опубліковано online - 16.10.2017 |
Цитування | М.Я. Сенета, Р.М. Пелещак, В.Б. Британ, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 5, 05023 (2017) |
DOI | 10.21272/jnep.9(5).05023 |
PACS Number(s) | 73.20.At, 73.20.Hb, 68.60.Bs |
Ключові слова | Адсорбовані атоми, Акустична квазірелеєвська хвиля, Електронні стани (5) . |
Анотація | Розвинуто теорію електронних станів на поверхні напівпровідника з нерівностями, які створені як адсорбованими атомами, так і акустичною квазірелеєвською хвилею. Отримано спектр поверхневих електронних станів на адсорбованій поверхні напівпровідника GaAs у довгохвильовому, резонансному та короткохвильовому наближеннях з урахуванням взаємодії перших трьох електронних гармонік при дії акустичної квазірелеєвської хвилі. Показано, що залежності енергетичної ширини забороненої зони на поверхні напівпровідника і довжини просторової локалізації хвильової функції електрона від концентрації адсорбованих атомів в інтервалі мають немонотонний характер. |
Перелік цитувань |