Вплив гідростатичного тиску на електронну структуру кристала NiMnAs

Автори С.В. Сиротюк , І.Є. Лопатинський , В.М. Швед , Н.О. Щербань
Приналежність

Національний університет ”Львівська політехніка”, вул. С. Бандери, 12, 79013 Львів, Україна

Е-mail
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 5
Дати Одержано 15.06.2017, у відредагованій формі - 07.08.2017, опубліковано online - 16.10.2017
Посилання С.В. Сиротюк, І.Є. Лопатинський, В.М. Швед, Н.О. Щербань, Ж. нано- електрон. 9 № 5, 05039 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(5).05039
PACS Number(s) 71.15.Ap, 71.20.Be, 71.27.+a
Ключові слова Енергетичний спектр електронів (2) , Спінова поляризація (2) , Сильна кореляція електронів (2) , Магнітній момент (2) , Вплив гідростатичного тиску.
Анотація Розраховані електронні енергетичні спектри та густини електронних станів напівметалевого кристала NiMnAs без урахування тиску та сильних електронних кореляцій та з включенням останніх в розрахункову схему. Виявлено великий вплив сильних кореляцій 3d електронів на значення ширини забороненої зони кристала. Знайдено, що за відсутності тиску й без урахування сильних кореляцій d електронів Ni й Mn кристал характеризується дуже вузькою непрямою міжзонною щілиною з рівнем Фермі у зоні провідності. За відсутності тиску включення в розрахунок сильних кореляцій приводить для носіїв зі спіном вниз до класичного напівпровідника з рівнем Фермі в забороненій зоні. Урахування сильних кореляцій і тиску приводить до занурення рівня Фермі у валентну зону. Розрахунки електронних властивостей кристала NiMnAs під дією гідростатичного тиску виконані вперше.

Перелік посилань

English version of article