Автори | В.С. Дмитрієв |
Афіліація | Запорізька державна інженерна академія, пр. Соборний, 226, 69006 Запоріжжя, Україна |
Е-mail | dems562@gmail.com |
Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 5 |
Дати | Одержано 15.06.2017, у відредагованій формі - 13.07.2017, опубліковано online - 16.10.2017 |
Цитування | В.С. Дмитрієв, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 5, 05037 (2017) |
DOI | 10.21272/jnep.9(5).05037 |
PACS Number(s) | 73.20. – r, 85.40.Sz, 85.30.Hi |
Ключові слова | Вольт-амперна характеристика (12) , Висота бар'єру Шотткі, Фактор неідеальності, Послідовний опір (4) , Арсенід галію (7) , Срібло (6) . |
Анотація | Точність основних якісних показників бар'єрних переходів (висота бар'єру b і фактор неідеальності η), залежить від точності вимірювання струму та напруги та від методу їх визначення. Розглянуто і апробовано методи визначення висоти бар'єру Шотткі за вольт-амперними характеристиками на прикладі бар'єрних переходів Ag/n - n+GaAs, виготовлених при різних режимах термообробки. Встановлено, що найбільш простим в реалізації є метод розрахунку параметрів вольт-амперної характеристики за методом Rhoderick E.H., проте він не враховує послідовний опір, через що можуть виникати додаткові помилки при визначенні ділянки вольт-амперної характеристики, де цим впливом нехтують. Встановлено, що найбільш точним методом є метод direct approximation, який враховує вплив послідовного опору при розрахунку фактора неідеальності та висоти бар'єру Шотткі. |
Перелік цитувань |