Вплив методів визначення параметрів бар'єрного переходу на їх точність

Автори В.С. Дмитрієв
Афіліація

Запорізька державна інженерна академія, пр. Соборний, 226, 69006 Запоріжжя, Україна

Е-mail dems562@gmail.com
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 5
Дати Одержано 15.06.2017, у відредагованій формі - 13.07.2017, опубліковано online - 16.10.2017
Цитування В.С. Дмитрієв, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 5, 05037 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(5).05037
PACS Number(s) 73.20. – r, 85.40.Sz, 85.30.Hi
Ключові слова Вольт-амперна характеристика (12) , Висота бар'єру Шотткі, Фактор неідеальності, Послідовний опір (4) , Арсенід галію (7) , Срібло (6) .
Анотація Точність основних якісних показників бар'єрних переходів (висота бар'єру b і фактор неідеальності η), залежить від точності вимірювання струму та напруги та від методу їх визначення. Розглянуто і апробовано методи визначення висоти бар'єру Шотткі за вольт-амперними характеристиками на прикладі бар'єрних переходів Ag/n - n+GaAs, виготовлених при різних режимах термообробки. Встановлено, що найбільш простим в реалізації є метод розрахунку параметрів вольт-амперної характеристики за методом Rhoderick E.H., проте він не враховує послідовний опір, через що можуть виникати додаткові помилки при визначенні ділянки вольт-амперної характеристики, де цим впливом нехтують. Встановлено, що найбільш точним методом є метод direct approximation, який враховує вплив послідовного опору при розрахунку фактора неідеальності та висоти бар'єру Шотткі.

Перелік цитувань