Superconductivity and Kondo Effect of PdxBi2Se3 Whiskers at Low Temperatures

Автори	A.A. Druzhinin¹^,² , N.S. Liakh-Kaguy¹, I.P. Ostrovskii¹^,² , Yu.M. Khoverko¹^,² , K. Rogacki²
Афіліація	¹ Ukraine Lviv Polytechnic National University, 12, S. Bander str., 79013 Lviv, Ukraine ² International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures Wroclaw, Poland
Е-mail	druzh@polynet.lviv.ua, liakh76@gmail.com
Випуск	Том 9, Рік 2017, Номер 5
Дати	Одержано 20.05.2017, у відредагованій формі - 08.09.2017, опубліковано online - 16.10.2017
Цитування	A.A. Druzhinin, N.S. Liakh-Kaguy, I.P. Ostrovskii, et al., J. Nano- Electron. Phys. 9 No 5, 05013 (2017)
DOI	10.21272/jnep.9(5).05013
PACS Number(s)	73.43.Qt, 71.30.+h
Ключові слова	Bi2Se3 whiskers, Transverse magnetoresistance, Effect Kondo, Superconductivity (2) .
Анотація	Temperature dependencies of Bi2Se3 whiskers’ resistance with Pd doping concentration of (1-2)  1019 cm − 3 where measured in temperature range 1.5-77 K. At temperature 5.3 K a sharp drop in the whisker resistance was found. The effect observed is likely resulted from the whiskers partial transition in superconducting state at temperature 5.3 K, which is likely connected with -PdBi2 inclusions in the whiskers. Transverse magnetoresistance in n-type Bi2Se3 whiskers with different doping concentration in the vicinity to the metal-insulator transition from metal side of the transition was studied in magnetic field 0-10 T. The magnetic field suppression of superconductivity allows to determine the main parameters: upper critical magnetic field Bc2  1.5 T, superconductor coherence length (0)  15 nm, superconductive gap   0.8 meV. Besides on the temperature dependence of the whisker resistance and magnetoresistance a minimum was observed in the temperature range 20-25 K that is connected with appearance of Kondo effect.
	Перелік цитувань Повний текст Переклад англійською

Інші статті цього номера

1) Електрохімічні властивості системи нанопористий вуглець/апротонний електроліт [05001-1-05001-5]
2) Numerical Simulation and Mathematical Modeling of 3D DG SOI MOSFET with the Influence of Biasing with Back Gate [05002-1-05002-4]
3) Simulation and Performance Analysis of 32 nm FinFet based 4-Bit Carry Look Adder [05003-1-05003-4]
4) Кінетичні явища та термоелектричні властивості полікристалічних тонких плівок на основі сполук PbSnAgTe [05004-1-05004-6]
5) Структурно-фазові та електрофізичні властивості нанокомпозитів на базі системи «скло -Ni3B», отриманих відпалюваннямям електронним пучком [05005-1-05005-4]
6) Вплив морфології поверхні та особливостей структурної орієнтації парофазних конденсатів SnTe:1%Sb на їх термоелектричні параметри [05006-1-05006-4]
7) Optimisation of Doped Antimony Sulphide (Sb2S3) Thin Films for Enhanced Device Applications [05007-1-05007-4]
8) Вплив поверхневого легування на адсорбційну здатність нанопорошкових металооксидів для сенсорів газів [05008-1-05008-5]
9) Structural and Dielectric Characterization of Sm2MgMnO6 [05009-1-05009-5]
10) Вольтамперометричний аналіз фазового складу тонких плівок Zn-Ni, електроосаджених зі слабколужного полілігандного електроліту [05010-1-05010-7]
11) Tемпературна залежність провідності спряжених полімерів, легованих карбоновими нанотрубками [05011-1-05011-5]
12) Теорія міжзонного оптичного поглинання в квантових ямах на основі об’ємних матеріалів з анізотропними непараболічними зонами [05012-1-05012-8]
13) Електродинамічні характеристики кераміки на основі системи SrO – Al2O3 – SiO2 [05014-1-05014-5]
14) High-performance Monte Carlo Simulation of Multilayer Magnetic Films [05015-1-05015-4]
15) Морфологія поверхні тонких плівок CdTe отриманих методом відкритого випаровування у вакуумі [05016-1-05016-5]
16) Бічні планарні діодні переходи на листі графену з різними областями функціоналізації [05017-1-05017-8]
17) Вплив заміщення на механізм провідності ультрадисперсних літій-залізних шпінелей, заміщених іонами магнію [05018-1-05018-6]
18) Спектрально-люмінесцентні властивості титано-марганцевих оксидів [05019-1-05019-7]
19) Processes of Nucleation of Amorphous As-S Films at Condensation on Carbon Substrates [05020-1-05020-5]
20) Особливості мікроструктури та перколяційна поведінка поліпропіленгліколю, наповненого багатошаровими вуглецевими нанотрубками [05021-1-05021-6]
21) Термоелектричні властивості наноструктурованих матеріалів на основі телуриду свинцю [05022-1-05022-7]
22) Електронні стани на нерівній поверхні GaAs (100), створеній поверхневою акустичною хвилею та адсорбованими атомами [05023-1-05023-7]
23) Синтез, люмінесцентні та структурні властивості нанокристалів Cd1 – xCuxS і Cd1 xZnxS [05024-1-05024-6]
24) Спектроскопічні еліпсометричні дослідження та температурна поведінка діелектричних функцій шаруватого кристалу TlInS2 [05025-1-05025-6]
25) Отримання та оптичні властивості підкладинок з поверхневою наноструктурою [05026-1-05026-5]
26) Anisotropic Electrical Properties of a Square Superlattice [05027-1-05027-4]
27) Structural and Optoelectronic Properties of Nanocrystalline CdTe Thin Films Synthesized by Using SILAR Technique [05028-1-05028-4]
28) Вплив заміщення йонами Cd2+ на магнітні властивості Ni-Cd феритів [05029-1-05029-5]
29) Розмірний ефект у наночастинках триметилсилільованого кремнезему [05030-1-05030-5]
30) Видима люмінесценція ІnGaN/GaN cвітлодіодів ультрафіолетового випромінювання 365 нм [05031-1-05031-5]
31) Методичні засади вивчення питань нанотехнологій у курсі загальної фізики вищих навчальних закладів [05032-1-05032-8]
32) Оптичні явища і процеси, індуковані ультракороткими лазерними імпульсами в халькогенідних та халькогалоїдних склоподібних напівпровідниках [05033-1-05033-5]
33) Ріст поверхневих мікро- і наноструктур у процесі профілювання вглиб кристалів PbTe плазмою Ar [05034-1-05034-7]
34) Структура та оптичні властивості тонких плівок CdS та CdTe для сонячних елементів на гнучких підкладках, отриманих магнетронним розпиленням на постійному струмі [05035-1-05035-6]
35) The Structure of Mn and Co Nanoparticles Obtained in Direct Surfactant Micelles [05036-1-05036-4]
36) Вплив методів визначення параметрів бар'єрного переходу на їх точність [05037-1-05037-5]
37) Вплив товщини шарів MoNх/CrNy у багатошаровому покриті і азотування на структурні і механічні характеристики [05038-1-05038-4]
38) Вплив гідростатичного тиску на електронну структуру кристала NiMnAs [05039-1-05039-6]
39) Структура та електропровідність полімерних композиційних матеріалів,сформованих у магнітному полі [05040-1-05040-5]
40) Математичне моделювання фізичних процесів перетворення електромагнітного поля в поле пружних коливань в мікротовщинних шарах металів [05041-1-05041-7]
41) Estimation of the Dihedral Angle Between Metal Nanoparticles During Their Coalescence [05042-1-05042-4]
42) Використання суміші газів (C2H2+N2) для отримання надтвердих карбонітридних покриттів на основі молібдену [05043-1-05043-6]
43) Розподіл щільності станів для визначення фотопровідності a-Si:H [05044-1-05044-4]
44) Titanium Carbide Obtained by Magnetron Sputtering of Graphite on Heated Titanium Substrate [05045-1-05045-3]
45) Отримання та люмінесцентні властивості гетерошарів α-ZnSe з поверхневою наноструктурою [05046-1-05046-3]
46) Вплив термічного відпалу на оптичні властивості плівок телуриду кадмію [05047-1-05047-3]
47) Synthesis and Characterization of a New Aluminum Complex bis (8-hydroxy quinoline) (1-10 phenanthroline) Aluminum Al (Phen)q2 [05048-1-05048-3]
48) Defects in Graphene Nanoribbons and Flakes: Influence on the Conductivity [05049-1-05049-3]