Автори | О.Ю. Бабиченко , О.Г. Пащенко |
Афіліація | Харківський національний університет радіоелектроніки, пр. Науки 14, 61166 Харків, Україна |
Е-mail | oksana.babychenko@nure.ua |
Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 5 |
Дати | Одержано 30.06.2017, у відредагованій формі - 09.07.2017, опубліковано online - 16.10.2017 |
Цитування | О.Ю. Бабиченко, О.Г. Пащенко, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 5, 05044 (2017) |
DOI | 10.21272/jnep.9(5).05044 |
PACS Number(s) | 73.50.Pz, 78.66.Jg |
Ключові слова | Сонячний елемент (33) , Аморфний кремній (7) , Фотопровідність (5) , Енергетичні зони (8) . |
Анотація | В роботі наведена емпірична модель спектральної залежності розподілу щільності електронних станів, яка охоплює основні особливості аморфного кремнію. Показано вплив ступеня розупорядкованості аморфної структури на форму і величину хвостів електронних станів валентної зони та зони провідності. Ці хвости в забороненій зоні впливають на багато унікальних властивостей аморфних напівпровідників. Результати можуть бути застосовані для оптимізації технології та моделюванні роботи багатьох приладів на основі аморфного кремнію (сонячних елементів, транзисторів та ін). |
Перелік цитувань |