Розподіл щільності станів для визначення фотопровідності a-Si:H

Автори О.Ю. Бабиченко , О.Г. Пащенко
Афіліація

Харківський національний університет радіоелектроніки, пр. Науки 14, 61166 Харків, Україна

Е-mail oksana.babychenko@nure.ua
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 5
Дати Одержано 30.06.2017, у відредагованій формі - 09.07.2017, опубліковано online - 16.10.2017
Цитування О.Ю. Бабиченко, О.Г. Пащенко, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 5, 05044 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(5).05044
PACS Number(s) 73.50.Pz, 78.66.Jg
Ключові слова Сонячний елемент (33) , Аморфний кремній (7) , Фотопровідність (5) , Енергетичні зони (8) .
Анотація В роботі наведена емпірична модель спектральної залежності розподілу щільності електронних станів, яка охоплює основні особливості аморфного кремнію. Показано вплив ступеня розупорядкованості аморфної структури на форму і величину хвостів електронних станів валентної зони та зони провідності. Ці хвости в забороненій зоні впливають на багато унікальних властивостей аморфних напівпровідників. Результати можуть бути застосовані для оптимізації технології та моделюванні роботи багатьох приладів на основі аморфного кремнію (сонячних елементів, транзисторів та ін).

Перелік цитувань