Бічні планарні діодні переходи на листі графену з різними областями функціоналізації

Автори Р.М. Балабай , А.Г. Лубенець
Приналежність

Криворізький державний педагогічний університет, пр. Гагаріна, 54, 50086 Кривий Ріг, Україна

Е-mail krivoroganochka@gmail.com
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 5
Дати Одержано 14.08.2017, опубліковано online - 16.10.2017
Посилання Р.М. Балабай, А.Г. Лубенець, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 5, 05017 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(5).05017
PACS Number(s) 73.40.Lq, 82.45.Mp
Ключові слова Бічні планарні переходи, Графен (18) , Графан, Флюрографен, Хлорографен, Розрахунки із перших принципів (3) , Просторовий заряд, Густини електронних станів, Кулонівські потенціали.
Анотація Методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів отримані просторові розподіли густини валентних електронів, густини електронних станів, ширини валентних та заборонених зон, заряди на атомних остовах, кулонівські потенціали вздовж обраних напрямків у бічних планарних переходах графен/графан, графен/флюрографен та графен/хлорoграфен. Зафіксовані області з різними величинами просторового заряду в бічних планарних переходах графен/графан, графен/флюрографен та графен/хлорoграфен, що є причиною виникнення на переходах потенціальних бар’єрів. Функціоналізація графену різними адсорбатами змінює рельєф розподілу кулонівського потенціалу з ізотропного на анізотропницй. Найбільший скачок в рельєфі потенціалу зафіксований в планарному переході графен/графан. Визначені ширини заборонених зон бічних планарних переходів графен/графан, графен/флюрографен, графен/хлорографен, найбільше значення серед яких належить переходу графен/графан.

Перелік посилань

English version of article