Структура та оптичні властивості тонких плівок CdS та CdTe для сонячних елементів на гнучких підкладках, отриманих магнетронним розпиленням на постійному струмі

Автори Г.І. Копач , Р.П. Мигущенко , Г.С. Хрипунов , А.І. Доброжан , M.M. Харченко
Афіліація

Національний Технічний Університет «Харківський Політехнічний Інститут», вул. Кирпичова, 2, 61002 Харків, Україна

Е-mail gkopach@ukr.net
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 5
Дати Одержано 31.08.2017, опубліковано online - 16.10.2017
Цитування Г.І. Копач, Р.П. Мигущенко, Г.С. Хрипунов, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 5, 05035 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(5).05035
PACS Number(s) 81.05.Dz, 81.15.Cd
Ключові слова Сульфід кадмію (10) , Телурид кадмію (10) , Магнетронне розпилення на постійному струмі, Сонячний елемент (33) , Тонкі плівки (67) .
Анотація Дослідженно кристалічну структуру та оптичні характеристики шарів широкозонного вікна CdS та базових шарів CdTe, отриманих за допомогою магнетронного розпилення на постійному струмі на скляних або поліімідних підкладках, а також вихідні параметрі гнучких тонкоплівкових сонячних елементів на їх основі. Ширина забороненої зони матеріалу у отриманих плівках CdS гексагональної модифікації становить Eg  2,38-2,41 еВ, а оптична прозорість плівок CdS становить 80-90%. Проведення хлоридної обробки шарів CdTe, отриманих при Т  300 °С, сприяє фазовому переходу вюртцит-сфалерит. Охолодження шарів ITO/CdS до кімнатної температури доперед конденсацією базового шару CdTe, винесення на повітря та послідуючий нагрів у вакуумі до необхідної температури підкладки призводить до збільшення коефіцієнту корисної дії та напруги холостого ходу гнучкого тонкоплівкового сонячного елемента поліімід/ITO/CdS/CdTe/Cu/Ag.

Перелік цитувань