| Назва |
Effect of Grain Size on the Threshold Voltage for Double-Gate Polycrystaline Silicon MOSFET |
| Автори |
Mahesh Chandra, Alka Panwar, B.P. Tyag |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3 |
| Сторінки |
0474 - 0478 |
| Назва |
Two Dimensional Analytical Modeling for SOI and SON MOSFET and Their Performance Comparison |
| Автори |
Saptarsi Ghosh, Khomdram Jolson Singh, Sanjay Deb, Subir Kumar Sarkar |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3 |
| Сторінки |
0569 - 0575 |
| Назва |
Two-Dimensional Analytical Modeling of Threshold Voltage of Doped Short-Channel Triple-Material Double-Gate (Tm-Dg) MOSFET's |
| Автори |
Sarvesh Dubey, Dheeraj Gupta, Pramod Kumar Tiwari, S. Jit |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3 |
| Сторінки |
0576 - 0583 |
| Назва |
Pt-Ti/ALD-Al2O3/p-Si MOS Capacitors for Future ULSI Technology |
| Автори |
Ashok M. Mahajan, Anil G. Khairnar, Brian J. Thibeault |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 |
| Сторінки |
0647 - 0650 |
| Назва |
Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated Using DVT Grown n-MoSe2 Crystals With Cu-Schottky Gates |
| Автори |
C.K. Sumesh, K.D. Patel, V.M. Pathak, R.Srivastava |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 |
| Сторінки |
0709 - 0713 |
| Назва |
Strategic Review of Arsenide, Phosphide and Nitride MOSFETs |
| Автори |
Gourab Dutta, Palash Das, Partha Mukherjee, Dhrubes Biswas |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 |
| Сторінки |
0728 - 0740 |
| Назва |
MoSe2 / Polyaniline Solar Cells |
| Автори |
H.S. Patel, J.R. Rathod, K.D. Patel, V.M. Pathak, R. Srivastava |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 |
| Сторінки |
0741 - 0746 |
| Назва |
Electrostatics of Silicon Nano Transistor |
| Автори |
Lalit Singh, B.P. Tyag |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 |
| Сторінки |
0808 - 0813 |
| Назва |
A 2-D Analytical Threshold Voltage Model for Symmetric Double Gate MOSFET's Using Green’s Function |
| Автори |
Anoop Garg, S.N. Sinha, R.P. Agarwal |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
0894 - 0902 |
| Назва |
Role of Interface Charges on High-k Based Poly-Si and Metal Gate Nano-Scale MOSFETs |
| Автори |
N. Shashank, Vikram Singh, W.R. Taube, R.K. Nahar |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
0937 - 0941 |
| Назва |
High-k HfO2 Based Metal-Oxide-Semiconductor Devices Using Silicon and Silicon Carbide Semiconductor |
| Автори |
N.P. Maity, A. Pandey, S. Chakraborty, M. Roy |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
0947 - 0955 |
| Назва |
Design and Implementation of a Hybrid SET-CMOS Based Sequential Circuits |
| Автори |
Anindya Jana, Rajatsuvra Halder, J.K. Sing, Subir Kumar Sarkar |
| Випуск |
Том 4, Рік 2012, Номер 2 |
| Сторінки |
02004-1 - 02004-5 |
| Назва |
Prospects of III-Vs for Logic Applications |
| Автори |
U.P. Gomes, Y.K. Yadav, S. Chowdhury, K. Ranjan, S. Rathi, D. Biswas |
| Випуск |
Том 4, Рік 2012, Номер 2 |
| Сторінки |
02009-1 - 02009-5 |
| Назва |
Performance of a Double Gate Nanoscale MOSFET (DG-MOSFET) Based on Novel Channel Materials |
| Автори |
Rakesh Prasher, Devi Dass, Rakesh Vaid |
| Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 1 |
| Сторінки |
01017-1 - 01017-5 |
| Назва |
A Comparative Performance Study of Hybrid SET-CMOS Based Logic Circuits for the Estimation of Robustness |
| Автори |
Biswabandhu Jana, Anindya Jana, Jamuna Kanta Sing, Subir Kumar Sarkar |
| Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 3 |
| Сторінки |
03057-1 - 03057-6 |
| Назва |
Comparison of Atomic Level Simulation Studies of MOSFETs Containing Silica and Lantana Nanooxide Layers |
| Автори |
K. Bikshalu, M.V. Manasa, V.S.K. Reddy, P.C.S. Reddy, K. Venkateswara Rao |
| Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 4 |
| Сторінки |
04058-1 - 04058-3 |
| Назва |
Design and Analysis of a High Speed, Power Efficient 8 Bit ALU Based on SOI / SON MOSFET Technology |
| Автори |
Subhramita Basak, Anindya Jana, Subir Kumar Sarkar |
| Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 4 |
| Сторінки |
04062-1 - 04062-5 |
| Назва |
Synthesis of the Carbon Nanomaterials Based on Renewable Bioresources |
| Автори |
N.A. Chan, V.V. Chakov, A.P. Kuzmenko, S.G. Emelyanov,L.M. Chervyakov, M.B. Dobromyslov |
| Випуск |
Том 6, Рік 2014, Номер 3 |
| Сторінки |
03026-1 - 03026-4 |
| Назва |
Influence of Magnetic Pulseprocessing on Oxide Materials Physics and Mechanical Properties |
| Автори |
M.N. Shipko, V.V. Korovushkin, A.V. Smagina, V.G. Kostishyn, L.V. Kozhitov |
| Випуск |
Том 6, Рік 2014, Номер 3 |
| Сторінки |
03060-1 - 03060-5 |
| Назва |
The Formation and Study of the FeCo Nanoparticles Alloy in Structure of Metal-Carbon Nanocomposites FeCo/C |
| Автори |
L.V. Kozhitov, M.F. Bulatov, V.V. Korovushkin, V.G. Kostishin, D.G. Muratov, M.N. Shipko, S.G. Emelyanov, E.V. Yakushko |
| Випуск |
Том 7, Рік 2015, Номер 4 |
| Сторінки |
04103-1 - 04103-5 |
| Назва |
An Analytical Universal Model for Symmetric Double Gate Junctionless Transistors |
| Автори |
N. Bora, P. Das, R. Subadar |
| Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 2 |
| Сторінки |
02003-1 - 02003-4 |
| Назва |
Efficient Design of Reversible Code Converters Using Quantum Dot Cellular Automata |
| Автори |
Javeed Iqbal Reshi, M. Tariq Banday |
| Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 2 |
| Сторінки |
02042-1 - 02042-8 |
| Назва |
Структура та фізичні властивості композитів, сформованих на основі сульфіду молібдену |
| Автори |
Л.С. Яблонь, І.М. Будзуляк, М.В. Карпець, В.В. Стрельчук, С.І. Будзуляк, І.П. Яремій, О.М. Хемій, О.В. Морушко |
| Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 2 |
| Сторінки |
02029-1 - 02029-7 |
| Назва |
Magnetic Properties and Local Parameters of Crystal Structure for BaFe12O19 and SrFe12O19 Hexagonal Ferrites |
| Автори |
M.N. Shipko, V.G. Kostishyn, V.V. Korovushkin, I.M. Isaev, M.A. Stepovich, A.I. Tikhonov, E.S. Savchenko |
| Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 3 |
| Сторінки |
03004-1 - 03004-4 |
| Назва |
Effect of High-k Oxide on Double Gate Transistor Embedded in RF Colpitts Oscillator |
| Автори |
M. Bella, S. Latreche, C. Gontrand |
| Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 4 |
| Сторінки |
04022-1 - 04022-7 |
| Назва |
Effects of High-k Dielectrics with Metal Gate for Electrical Characteristics of SOI TRI-GATE FinFET Transistor |
| Автори |
Fatima Zohra Rahou, A.Guen Bouazza, B. Bouazza |
| Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 4 |
| Сторінки |
04037-1 - 04037-4 |
| Назва |
Comparative Analysis of CNTFET and CMOS Logic based Arithmetic Logic Unit |
| Автори |
K. Nehru, T. Nagarjuna, , G. Vijay, |
| Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 4 |
| Сторінки |
04018-1 - 04018-4 |
| Назва |
Simulation and Performance Analysis of 32 nm FinFet based 4-Bit Carry Look Adder |
| Автори |
S. Rashid, S. Khan, A. Singh, |
| Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 5 |
| Сторінки |
05003-1 - 05003-4 |
| Назва |
Analytical Modeling & Simulation of OFF-State Leakage Current for Lightly Doped MOSFETs |
| Автори |
Nitin Sachdeva, Munish Vashishath, P.K. Bansal |
| Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 6 |
| Сторінки |
06009-1 - 06009-4 |
| Назва |
HIFU Transducers Designs and Ultrasonic Treatment Methods for Biological Tissues |
| Автори |
A.N. Rybyanets, I.A. Shvetsov, S.A. Shcherbinin, E.I. Petrova, N.A. Shvetsova |
| Випуск |
Том 10, Рік 2018, Номер 2 |
| Сторінки |
02043-1 - 02043-3 |
| Назва |
A Graphical Method to Study Electrostatic Potentials of 25 nm Channel Length DG SOI MOSFETs |
| Автори |
M. Djerioui, M. Hebali, D. Chalabi, A. Saidane |
| Випуск |
Том 10, Рік 2018, Номер 4 |
| Сторінки |
04027-1 - 04027-4 |
| Назва |
An Analytical Modeling of Drain Current for Single Material Surrounded Gate Nanoscale SOI MOSFET |
| Автори |
Arjimand Ashraf, Prashant Mani |
| Випуск |
Том 10, Рік 2018, Номер 4 |
| Сторінки |
04012-1 - 04012-5 |
| Назва |
Charge Based Quantization Model for Triple-Gate FINFETS |
| Автори |
P. Vimala |
| Випуск |
Том 10, Рік 2018, Номер 5 |
| Сторінки |
05015-1 - 05015-5 |
| Назва |
Роль плівок ППО у підвищенні ефективності сонячних елементів на основі гетеропереходів CdS/MoS2 |
| Автори |
B. Zaidi, M.S. Ullah, B. Hadjoudja, S. Gagui, N. Houaidji, B. Chouial, C. Shekhar |
| Випуск |
Том 11, Рік 2019, Номер 2 |
| Сторінки |
02030-1 - 02030-4 |
| Назва |
Оптимізація 6Т бітової комірки із SRAM на основі співвідношення нанодротів SiNWT |
| Автори |
Yasir Hashim, Waheb A. Jabbar |
| Випуск |
Том 12, Рік 2020, Номер 5 |
| Сторінки |
05020-1 - 05020-4 |
| Назва |
Single Electron Transistor Based Current Mirror: Modelling and Performance Characterization |
| Автори |
Ashok.D. Vidhate, Shruti Suman |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 1 |
| Сторінки |
01017-1 - 01017-5 |
| Назва |
Ріст наноструктур золота на поверхні MoS2, модифікованій полівінілпіролідоном |
| Автори |
Т.І. Бородінова, В.І. Стьопкін, А.А. Васько, В.В. Черепанов, В.Г. Кравець |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 1 |
| Сторінки |
01018-1 - 01018-4 |
| Назва |
Моделювання та імітація польового транзистора MOSFET (з high-k діелектриком) з використанням генетичних алгоритмів |
| Автори |
Abdelkrim Mostefai, Smail Berrah, Hamza Abid |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 6 |
| Сторінки |
06004-1 - 06004-5 |
| Назва |
Si- and Ge-FinFET Inverter Circuits Optimization Based on Driver to Load Transistor Fin Ratio |
| Автори |
Yasir Hashim, Safwan Mawlood Hussein |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 6 |
| Сторінки |
06011-1 - 06011-4 |
| Назва |
Вплив вмісту дисиліциду молібдену на мікроструктуру та фазові перетворення покриттів ZrB2-MoSi2-10Al після відпалу на повітрі |
| Автори |
І.Ю. Гончаров, В.М. Береснєв, М.Г. Ковальова, М.Н. Япринцев, О.Н. Вагіна, В.Ю. Новіков, В.В. Сирота, Ю.Н. Тюрін |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 6 |
| Сторінки |
06013-1 - 06013-4 |
| Назва |
Оцінка виготовлення пристроїв від FET до CFET: огляд |
| Автори |
J. Lakshmi Prasanna, M. Ravi Kumar, Ch. Priyanka, Chella Santhosh |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 6 |
| Сторінки |
06030-1 - 06030-8 |
| Назва |
Аналіз продуктивності GAA MOSFET при кріогенній температурі для субнанометрового режиму |
| Автори |
M. Lakshmana Kumar, Biswajit Jena |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 6 |
| Сторінки |
06034-1 - 06034-4 |
| Назва |
Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET |
| Автори |
Jeevanarao Batakala, Rudra Sankar Dhar |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Сторінки |
02003-1 - 02003-5 |
| Назва |
Конструкція підсилювача з низьким рівнем шуму CMOS Cascode Low Noise Amplifier (CCLNA) для наносенсорних додатків |
| Автори |
K. Suganthi, S. Malarvizhi, Ritam Dutta |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 3 |
| Сторінки |
03020-1 - 03020-5 |
| Назва |
Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave |
| Автори |
M. Djerioui, M. Hebali, M. Abboun Abid |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 5 |
| Сторінки |
05025-1 - 05025-4 |
| Назва |
Вивчення впливу високої температури на статичні характеристики 14 нм TG SOI N FinFET |
| Автори |
A. Lazzaz, K. Bousbahi, M. Ghamnia |
| Випуск |
Том 15, Рік 2023, Номер 2 |
| Сторінки |
02005-1 - 02005-5 |
| Назва |
Інтелектуальний CMOS (Si та 4H-SiC) датчик температури за технологією 130 нм з наднизькою потужністю і високою чутливістю |
| Автори |
M. Hebali, B. Ibari, M. Bennaoum, M. Berka, M. El-A. Beyour, A. Maachou |
| Випуск |
Том 15, Рік 2023, Номер 6 |
| Сторінки |
06011-1 - 06011-4 |
| Назва |
Мікрохвильові властивості карбонових магнітних оболонкових структур, на основі скляних мікросфер, з покриттям, що складається з феромагнітних сполук та нановуглецю |
| Автори |
O.С. Яковенко, Л.Ю. Мацуй, Л.Л. Вовченко, O.В. Турков, В.В. Олійник, O.В. Журавков |
| Випуск |
Том 15, Рік 2023, Номер 6 |
| Сторінки |
06022-1 - 06022-7 |
| Назва |
Підвищення продуктивності ведичного множника за допомогою FinFET |
| Автори |
P. Vimala, Soumya G. Hosmani |
| Випуск |
Том 16, Рік 2024, Номер 2 |
| Сторінки |
02002-1 - 02002-5 |
