Ефект впливу довжини каналу на порогові характеристики безперехідних циліндричних польових транзисторів із затвором з діелектриків з високою проникністю
| Автори | Fairouz Lagraf1 , 2 , Djamil Rechem3 , 4 , Kamel Guergouri1 , Mourad Zaabat1 |
| Приналежність |
1Laboratory of Active Components and Materials, University Larbi Ben M’hidi Oum El Bouaghi, 4000, Algeria 2Faculty of Exact Sciences, Natural and Life Science, University Larbi Ben M’hidi Oum El Bouaghi, 4000, Algeria 3Laboratory of Materials and Structure of Electromechanical Systems and their Reliability, University Larbi Ben M’hidi Oum El Bouaghi, 4000, Algeria 4Department of Electrical Engineering, Faculty of Sciences and Applied Sciences, University Larbi Ben M’hidi Oum El Bouaghi, 4000, Algeria |
| Е-mail | fairouzph@gmail.com |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 2 |
| Дати | Одержано 19 січня 2019; у відредагованій формі 03 квітня 2019; опубліковано online 15 квітня 2019 |
| Посилання | Fairouz Lagraf, Djamil Rechem, Kamel Guergouri, et al., J. Nano- Electron. Phys. 11 No 2, 02011 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(2).02011 |
| PACS Number(s) | 87.16.A, 85.30.Tv |
| Ключові слова | Безперехідні MOSFET (2) , Ефект довжини каналу (2) , Діелектрики з високою проникністю (2) , Моделювання нанорозмірних пристроїв (2) . |
| Анотація |
Інтенсивне зменшення довжини каналу для польового транзистора з контактом метал-напівпровідник у якості затвору (MOSFET) накладає значні обмеження, зокрема, на управління ефектами короткого каналу в нанорозмірних MOSFET. Ці обмеження можуть погіршити продуктивність пристрою, що визначає межі мініатюризації MOSFET в наноелектронних приладах. Для того щоб зменшити вплив ефектів короткого каналу, було повідомлено про ряд нових конфігурацій. Завдяки більш високим можливостям масштабування, в майбутньому очікуються польові транзистори з двома затворами (DG-MOSFET). Однак, при постійній мініатюризації інші серйозні проблеми, пов'язані з максимальною дисипацією потужності та вартістю виготовлення, все ще зберігаються внаслідок високих витрат, які використовуються для розробки p-n-переходів. Нещодавно була запропонована нова конструкція під назвою безперехідний MOSFET без переходів джерело/сток, що є відмінною альтернативою звичайним MOSFET. Основною перевагою цієї структури є посилена процедура виготовлення шляхом усунення p-n-переходів. У даній роботі досліджено вплив довжини каналу та матеріалів високої щільності на підпорогові характеристики безперехідних циліндричних польових транзисторів (JLTMCSG-MOSFET) з високоелектричними діелектриками затворів та пробними матеріалами з використанням двовимірної аналітичної моделі. Ця модель базується на розв'язанні рівняння Пуассона в безперервних циліндричних областях використовуючи метод суперпозиції, де для отримання точного розв’язку використовувалися ряд Фур'є-Бесселя та метод сепарації. Продуктивність JLTMCSG-MOSFET малої потужності досліджено з точки зору розподілу поверхневого потенціалу, електричного поля, підпорогового струму, зниження індукованого стоком бар'єру, підпорогового нахилу і порогової напруги. Це дослідження проводиться в широкому діапазоні довжин каналів і з використанням високоелектричних затворів. Дане дослідження підтверджує, що використана аналітична модель корисна не тільки для моделювання схем, а й для проектування та оптимізації пристроїв як для логічних, так і для аналогових радіочастотних схем. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Моделювання механічних властивостей нанокристалічного SiC методом молекулярної динаміки [02001-1-02001-5]2) Рентгенівське дослідження наноструктури SiC на плівках Cu [02002-1-02002-4]
3) Вплив домішки Au на структурні та оптичні властивості тонких плівок ZnO, отриманих методом CVD [02003-1-02003-4]
4) Залежність продуктивності органічних сонячних елементів як функції товщини активного шару, світлової інтенсивності та температури теплового відпалу [02004-1-02004-5]
5) Ініціювання процесу вибухової кристалізації в аморфних сплавах системи Fe-Zr імпульсною лазерною обробкою [02005-1-02005-4]
6) Чотирикомпонентний напівпровідник халькопіритів Al(Ga,Mn)As2 та AlGa(As,P): дослідження базових принципів [02006-1-02006-5]
7) Електричні властивості гетероструктури Сu2O/Cd1 – xZnxTe [02007-1-02007-5]
8) Defect Pool Numerical Model in Amorphous Semiconductor Device Modeling Program [02008-1-02008-5]
9) Генерація електромагнітних коливань субміліметрового діапазону діодами GazIn1 – zAs з використанням ударної іонізації [02009-1-02009-5]
10) Вплив нагрівання газу і RF потужності розпилення на електричні, структурні та оптичні властивості тонких плівок ITO [02010-1-02010-7]
11) Оптичні властивості хімічно синтезованих нанокомпозитів PANI-TiO2 [02012-1-02012-5]
12) Візуалізація структури сигналів функціонування елементів складних динамічних систем – когнітивні аспекти [02013-1-02013-4]
13) Закономірності впливу режимів електронно-променевої технології на експлуатаційні характеристики оптичних елементів [02014-1-02014-7]
14) Дослідження моделювання постійного, змінного та перехідного струмів кантілівера MEMS [02015-1-02015-5]
15) Вплив далекодіючої пасивації домішкових атомів поверхневими обірваними зв’язками на провідність поруватого кремнію [02016-1-02016-8]
16) Вимірювання концентрації донорної домішки телуру в пластинчастих зразках вісмуту методом час-пролітної масової спектрометрії [02017-1-02017-4]
17) Механічні властивості ґраток лужноземельних металів кальцію і стронцію [02018-1-02018-7]
18) Спін-орбітальне розщеплення валентної зони в кремнієвих ниткоподібних кристалах під дією деформації [02019-1-02019-8]
19) Взаємозв'язок між піроелектрикою та залишковою поляризацією в тонких плівках сегнетоелектричного полімеру з нанорозмірною структурою [02020-1-02020-5]
20) Нова технологія деконволюції для вдосконалення глибини різкостів мас-спектрометрії вторинних іонів [02021-1-02021-5]
21) Релятивістська корекція струму польової емісії у формалізмі Фаулера-Нордгейма [02022-1-02022-6]
22) Розрахунок рухливості електронів для напруженої наноплівки германію [02023-1-02023-6]
23) Дослідження адсорбції водню на h-BN за допомогою функціональної теорії щільності: ефекти домішки бору [02024-1-02024-5]
24) Одночасний вплив ширини забороненої зони віконного шару p-nc-SiOx:H та зворотного відбиття на характеристики сонячних елементів на основі a-Si:H [02025-1-02025-5]
25) Кристалічна структура і фізичні властивості високоентропійних сплавів [02026-1-02026-6]
26) Структура та фізико-механічні властивості надтвердих багатошарових покриттів (TiAlСrY/Zr)/(TiAlСrYN/ZrN) з подвійним періодом модуляції структури [02027-1-02027-6]
27) Екситонні властивості барвників на основі перилен-диімідів [02028-1-02028-3]
28) Формування та УФ дослідження наночастинок сульфіду свинцю [02029-1-02029-4]
29) Роль плівок ППО у підвищенні ефективності сонячних елементів на основі гетеропереходів CdS/MoS2 [02030-1-02030-4]
30) Фізичні особливості двосторонньої дифузії літію в кремній для великогабаритних детекторів [02031-1-02031-4]
31) Міжфазна взаємодія як чинник діелектричних властивостей композитів на основі епоксидної смоли з графітовими нанопластинками [02032-1-02032-5]
32) Моделювання сенсора вібрацій на основі біморфної структури [02033-1-02033-8]
