Характеристики комбінованого (Si та Ge) інвертора FinFET-CMOS на основі співвідношення транзисторів навантаження до драйверу
| Автори | Yasir Hashim, Safwan Mawlood Hussein |
| Приналежність |
Department of Computer Engineering, Faculty of Engineering, Tishk International University (TIU) – Erbil, Kurdistan Region, Iraq |
| Е-mail | yasir.hashim@ieee.org |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 5 |
| Дати | Одержано 07 серпня 2022; у відредагованій формі 20 жовтня 2022; опубліковано online 28 жовтня 2022 |
| Посилання | Yasir Hashim, Safwan Mawlood Hussein, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 5, 05003 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(5).05003 |
| PACS Number(s) | 62.23.Hj, 87.85.Dh |
| Ключові слова | FinFET (16) , CMOS (18) , Транзистор (21) , Інвертор (2) , Передаточні характеристики. |
| Анотація |
У статті пропонується новий метод адаптивного вибору найкращого співвідношення плавців драйвера до навантажувального транзистора логічного інвертора CMOS FinFET відповідно до кращих значень запасу по шуму та напруги перегину з порівнянням при використанні комбінованих Si і Ge як навантаження та/або напівпровідникового каналу драйвера в логічній схемі інвертора CMOS FinFET. Методика оптимізації співвідношення плавців драйвера до транзистора навантаження сильно залежить від поліпшення запасу по шуму та напруги перегину вихідних характеристик логічного інвертора CMOS. Першим кроком у цьому дослідженні інвертора CMOS-FinFET є отримання вихідних характеристик (Id-Vd) FinFET, а потім використання моделі моделювання MATLAB для створення передавальних характеристик CMOS FinFET. Досліджено передавальні характеристики логічного інвертора CMOS-FinFET із співвідношенням плавців Np/Nn 5/1, 4/1, 3/1, 2/1, 1/1, 1/2, 1/3, 1/4, 1/5. Запаси по шуму та напруга перегину використовуються як критичні фактори для отримання оптимального співвідношення плавців (Np/Nn). Результати показують, що оптимізація залежить від співвідношення плавців для всіх комбінованих напівпровідникових інверторів FinFET. Результати показують, що найкращі співвідношення для Si:Si, Si:Ge, Ge:Si та G:Ge становлять 2:1, 1:4, 2:1 та 1:3 відповідно. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Структурні, морфологічні та оптичні характеристики диселеніду кобальту, вирощеного методом прямого переносу пари (DVT) [05001-1-05001-4]2) Мікрохвильові властивості ГНП-полімерних композитів з сегрегованою провідною мережею [05002-1-05002-5]
3) На шляху до інтелектуальних систем моніторингу: алгоритми штучного інтелекту на основі виявлення та діагностики несправностей на сонячних фотоелектричних електростанціях [05004-1-05004-5]
4) Мікродефекти та електричні властивості кристалів β-Ga2O3 та β-Ga2O3:Mg, вирощених методом зонної плавки [05005-1-05005-5]
5) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [05006-1-05006-6]
6) Розрахунок електронної хвильової функції та потенціалу кристала в напівпровіднику зі структурою сфалериту при заданій температурі [05007-1-05007-5]
7) Аналіз потужності та порогової напруги 12T SRAM комірки 14 нм FinFET для додатків із низьким енергоспоживанням [05008-1-05008-6]
8) Еволюційна анізотропна поведінка листа DC04 з використанням функції Hill48 за гіпотезою неасоційованого правила потоку [05009-1-05009-5]
9) Вплив температури та товщини основи на фотоелектричні параметри сонячних елементів з аморфного кремнію [05010-1-05010-6]
10) Енергетичні характеристики майже сферичних металевих наночастинок [05011-1-05011-5]
11) Дослідження моно- та полікристалічних кремнієвих сонячних елементів різної форми для фотоелектричних пристроїв у форматі 3D: експеримент та моделювання [05012-1-05012-8]
12) Леговані фтором супергідрофобні наноквіти SnO2 (FTO), осаджені за допомогою розпилювального піролізу для застосування в сонячних елементах [05013-1-05013-6]
13) Технологічні особливості виготовлення реальних контактних систем для приладів наносистемної техніки [05014-1-05014-5]
14) Реалізація та аналіз L-подібного тунельного польового транзистора з використанням затвора та оксидної інженерії [05015-1-05015-4]
15) Effect of Phase Contrast and Geometrical Parameters on Bending Behavior of Sandwich Beams with FG Isotropic Face Sheets [05016-1-05016-6]
16) Розробка та аналіз дводіапазонної (27/38 ГГц) патч-антени еліптичної форми для додатків 5G [05017-1-05017-5]
17) Оцінка стану заліза у вологих зонах за допомогою георадара з антеною-метеликом, яка працює на частоті 1,6 ГГц [05018-1-05018-6]
18) Прогнозування електрофізичних і магнітних властивостей багатокомпонентних (високоентропійних) плівкових сплавів [05019-1-05019-4]
19) Електропровідні та поляризаційні властивості клатрату InSe[CS(NH2)2[С14Н10]] [05020-1-05020-6]
20) Вплив довжини поверхневої дифузії на шорсткість тонких шарів, отриманих випадковим осадженням [05021-1-05021-5]
21) Теоретичне дослідження впливу упаковки на температуру оптоволоконних кабелів [05022-1-05022-5]
22) Дослідження фотореактивності неорганічних нанокристалів зі значними органічними кольорами [05023-1-05023-10]
23) Кінетика фотопровідності в двосторонньому макропористому кремнії [05024-1-05024-5]
24) Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave [05025-1-05025-4]
25) Порівняння структурних та оптичних властивостей плівок CdSe, вирощених методами CSD та CBD [05026-1-05026-5]
26) Фрактальна структура нанопористого вуглецю, отриманого гідротермальною карбонізацією рослинної сировини [05027-1-05027-4]
27) Зондування інтерфейсу за допомогою раманівської спектроскопії [05028-1-05028-4]
28) Гетерошари гексагонального α-CdTe [05029-1-05029-5]
29) Теоретичне дослідження шпінельної структури CuCr2O4 в тетрагональній фазі з використанням теорії функціоналу густини [05030-1-05030-7]
