Вплив вмісту дисиліциду молібдену на мікроструктуру та фазові перетворення покриттів ZrB2-MoSi2-10Al після відпалу на повітрі
| Автори | І.Ю. Гончаров1,2 , В.М. Береснєв3 , М.Г. Ковальова1 , М.Н. Япринцев1 , О.Н. Вагіна1 , В.Ю. Новіков1 , В.В. Сирота2, Ю.Н. Тюрін4 |
| Приналежність |
1Бєлгородський національний дослідницький університет, вул. Перемоги, 85, 308015 Бєлгород, Росія 2Бєлгородський державний технологічний університет імені В.Г. Шухова, вул. Костюкова, 46, 308012 Бєлгород, Росія 3Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, пл. Свободи, 4, 61000 Харків, Україна 4Інститут електрозварювання імені Є.О. Патона НАН України, вул. Боженка, 11, 03650 Київ, Україна |
| Е-mail | goncharov@bsu.edu.ru |
| Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 6 |
| Дати | Одержано 09 листопада 2021; у відредагованій формі 02 грудня 2021; опубліковано online 20 грудня 2021 |
| Посилання | І.Ю. Гончаров, В.М. Береснєв, М.Г. Ковальова, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 6, 06013 (2021) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(6).06013 |
| PACS Number(s) | 68.37.Hk, 68.37.Yz |
| Ключові слова | Вуглець/вуглецеві композити, ZrB2-MoSi2, Багатокамерний прискорювач детонації, Мікроструктура (20) , In situ HT-XRD. |
| Анотація |
У роботі композитні покриття на основі ZrB2 з різним вмістом MoSi2 були виготовлені робототехнічним комплексом для детонаційного розпилення покриттів, обладнаним багатокамерним прискорювачем детонації (MCDS). Еволюцію мікроструктури та фазового складу покриттів ZrB2-xMoSi2 (х ( 24, 35, 45 мас. %)-10Al аналізували за допомогою диференціального скануючого калориметра, рентгенівської дифрактометрії (in situ HT-XRD) та скануючої електронної мікроскопії при температурі від 25 до 1400 °C (нормальна атмосфера та тиск). Під час аналізу було помічено, що m-SiO2 та ZrSiO4 з'являються при 960 °C. Також при досягненні температури 1235 °С у покриттях ZrB2-xMoSi2-10Al утворюються фіаніт та муліт. В покриттях ZrB2-xMoSi2-10Al при температурі 1400 °С збільшення вмісту MoSi2 у вихідному покритті призводить до майже повного зникнення кубічної фази діоксиду цирконію, а вміст муліту збільшується. Встановлено, що мікроструктура покриття змінюється зі збільшенням вмісту MoSi2 після окислення при 1400 °C від щільної до "більш дефектної". Покриття ZrB2-24MoSi2-10Al має рівномірну щільну мікроструктуру в порівнянні з покриттями, якф містять 35 та 45 мас. % MoSi2. Це сприяє його хорошій стійкості до окислення при високій температурі. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив густини дефектів на сонячні елементи n-c-Si на основі гетеропереходу з внутрішнім тонким шаром [06001-1-06001-4]2) Порівняльне дослідження впливу µc-Si:H, a-Si:H, pm-Si:H та µc-SiOx як пасивуючого шару на продуктивність сонячних елементів HIT n-c-Si [06002-1-06002-4]
3) Підвищена чутливість до вологості гідротермально синтезованих наночастинок оксиду олова [06003-1-06003-5]
4) Моделювання та імітація польового транзистора MOSFET (з high-k діелектриком) з використанням генетичних алгоритмів [06004-1-06004-5]
5) Розробка та аналіз високопродуктивного капсулоподібного біосенсора на 2D фотонних кристалах: застосування в біомедицині [06005-1-06005-6]
6) Порівняльне дослідження теплових та оптичних властивостей бінарних нанокомпозитів на основі PANI [06006-1-06006-4]
7) Порівняльний аналіз електричних властивостей нанокристалічних гідрату NiMoO4 та α-NiMoO4, отриманих гідротермальним методом [06007-1-06007-6]
8) Обробка воднем плівкових датчиків SPR: експерименти та теоретичне моделювання [06008-1-06008-5]
9) Вплив Ag на поверхневий стан TiO2, оптичну активність та його цитотоксичність [06009-1-06009-5]
10) Розподіл нерівноважних носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів [06010-1-06010-5]
11) Si- and Ge-FinFET Inverter Circuits Optimization Based on Driver to Load Transistor Fin Ratio [06011-1-06011-4]
12) Про оптогальванічну спектроскопію з роздільною здатністю в часі неону у розряді з порожнистим катодом [06012-1-06012-6]
13) Оптичні властивості тонкої плівки ZnO: імітаційне дослідження для оптоелектронних застосувань [06014-1-06014-4]
14) Особливості фотоелектричних процесів в плівкових гетеросистемах сульфіду та телуриду кадмію з нанорозмірними шарами у тильних контактах [06015-1-06015-6]
15) Порівняльне дослідження оптоелектронних характеристик нелегованих, легованих Mg та спільно легованих F/Mg нанокристалічних тонких плівок ZnO для застосування в сонячних елементах [06016-1-06016-6]
16) Порівняльне дослідження та характеристики відновленого оксиду графену (RGO) та пористого відновленого оксиду графену (P-RGO) на основі відходів шкаралупи кокосового горіха [06017-1-06017-6]
17) Вплив форми армуючих частинок на поведінку композиційних матеріалів [06018-1-06018-4]
18) Суперпарамагнетизм в ниткоподібних кристалах Si1 – xGex (B, Hf) [06019-1-06019-5]
19) Топографічний аналіз впливу відпалювання на зернограничну структуру полікремнієвих плівок [06020-1-06020-4]
20) Електрохімічні властивості гібридних суперконденсаторів, сформованих на основі нанопористого вуглецю та вольфрамату нікелю [06021-1-06021-5]
21) Експериментальні дані про динамічні зміни радіоімпульсів при їх випромінюванні п'єзокерамічними електромеханічними перетворювачами [06022-1-06022-5]
22) Оксид титану, легований залізом: синтез, структурні, магнітні та фотокаталітичні властивості [06023-1-06023-7]
23) Властивості аморфного кремнезему, синтезованого із мідеплавильних шлаків [06024-1-06024-6]
24) Механізми зміцнення поверхневого шару дюралюмінію, модифікованого імпульсним релятивістським електронним сильнострумовим пучком [06025-1-06025-6]
25) Аналіз механізмів підвищення ефективності промислових кремнієвих сонячних батарей [06026-1-06026-8]
26) Чисельний аналіз динаміки наночастинок у в'язкій рідині: Детерміністичний підхід [06027-1-06027-5]
27) Енергетичні та частотні властивості планарних n+-n-n+ діодів з бічними активними границями [06028-1-06028-4]
28) Методи розрахунку передавальних функцій широкосмугових пластинчатих п'єзоперетворювачів з перехідними шарами [06029-1-06029-6]
29) Оцінка виготовлення пристроїв від FET до CFET: огляд [06030-1-06030-8]
30) Аналіз шуму перехресних перешкод за допомогою міжз'єднань графенової нанострічки шляхом зміни відстані між дротами та середнього вільного пробігу електронів [06031-1-06031-4]
31) Дослідження структурних, електричних та корозійних властивостей плівок NbN, нанесених методом магнетронного напилення (живлення постійним струмом) при різних потужностях [06032-1-06032-6]
32) Оптичні властивості гібридних тонких плівок CuSCN/стільбазолієвий барвник [06033-1-06033-4]
33) Аналіз продуктивності GAA MOSFET при кріогенній температурі для субнанометрового режиму [06034-1-06034-4]
34) Вивчення та проектування масивів друкованих прямокутних мікросмугових антен на робочій частоті 27,5 ГГц для додатків 5G [06035-1-06035-5]
35) Вплив кута падіння світла на характеристики текстурованих кремнієвих сонячних елементів [06036-1-06036-5]
