Автори | D. Berbara1,2, M. Abboun Abid2, M. Hebali2,3, M. Benzohra4, D. Chalabi2 |
Афіліація |
1University Center Ahmed ben Yahia El-wancharissi of Tissemsilt, 38000 Tissemsilt, Algeria 2Laboratory: CaSiCCE, ENP Oran-M.A., 31000 Oran, Algeria 3Department of Electrotechnical, University Mustapha Stambouli of Mascara, 29000 Mascara, Algeria 4Department of Networking and Telecommunications, University of Rouen, Laboratory LECAP, 7600, France |
Е-mail | mourad.hebali@univ-mascara.dz |
Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 4 |
Дати | Одержано 16 березня 2020; у відредагованій формі 15 серпня 2020; опубліковано online 25 серпня 2020 |
Цитування | D. Berbara, M. Abboun Abid, M. Hebali, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 4, 04024 (2020) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(4).04024 |
PACS Number(s) | 85.75.Bb, 85.70. – w, 85.75. – d |
Ключові слова | 3C-SiC (2) , BSIM3v3 (2) , CMOS (19) , 130 нм технологія (2) , SRAM (4) . |
Анотація |
У роботі було вивчено електричну поведінку комірки пам'яті 6T-SRAM в 3C-SiC за 130 нм технологією CMOS. Вивчення впливу співвідношення комірок (CR), напруги живлення (VDD) і температури (T) на статичний запас шуму (SNM), а також впливу температури на час запису показало, що така комірка характеризується низькою потужністю (P 27 нВт), високою швидкістю (час запису τwrite 0,305 нс) і широким запасом шуму (RSNM 320 мВ), а також працює при низькій напрузі VDD 1.2 В і високій температурі до 350 °C. Порівняння з літературою показало, що комірка пам'яті 6T-SRAM в SiC за 130 нм технологією CMOS характеризується гарною електричною поведінкою та високими електричними характеристиками. |
Перелік посилань |