Роль плівок ППО у підвищенні ефективності сонячних елементів на основі гетеропереходів CdS/MoS2
| Автори | B. Zaidi1 , M.S. Ullah2 , B. Hadjoudja3, S. Gagui3, N. Houaidji3, B. Chouial3, C. Shekhar4 |
| Афіліація |
1Department of Physics, Faculty of Material Sciences, University of Batna 1, Batna, Algeria 2Department of Electrical and Computer Engineering, Florida Polytechnic University, Lakeland, USA 3Laboratory of Semiconductors, Department of Physics, University of Badji-Mokhtar, Annaba, Algeria 4Department of Applied Physics, Amity University Gurgaon, Haryana, India 122413 |
| Е-mail | zbeddiaf@gmail.com |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 2 |
| Дати | Одержано 17 грудня 2018; у відредагованій формі 02 квітня 2019; опубліковано online 15 квітня 2019 |
| Цитування | B. Zaidi, M.S. Ullah, B. Hadjoudja, et al., J. Nano- Electron. Phys. 11 No 2, 02030 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(2).02030 |
| PACS Number(s) | 84.60.Jt, 88.40.jm |
| Ключові слова | CdS/MoS2, Оксид цинку (23) , Оксид свинцю, Сонячні елементи (17) , Ємність-напруга, SCAPS-1D (22) . |
| Анотація |
Тонкоплівковий сонячний елемент є сонячним елементом другого покоління, який виготовляється шляхом нанесення одного або більше тонких шарів. Головною новизною даної роботи є вперше зроблений аналіз параметрів, що перешкоджають ефективності фотоелектричного пристрою на основі гетеропереходу CdS/MoS2. У роботі досліджено вплив прозорого провідного оксиду (ППО) з використанням тонкої плівки оксиду цинку ZnO або оксиду свинцю PbO на характеристики сонячних елементів гетеропереходу CdS/MoS2 (щільність струму короткого замикання JSC, напруга розімкнутого ланцюга VCO, потужність-напруга (P-V) і ємність-напруга (С-V)). Усі ці характеристики реалізовані в одновимірній програмі чисельного моделювання SCAPS.Отримані результати показують, що в результаті використання ППО, щільність струму короткого замикання JSC зменшується як функція прикладеної напруги для обох елементів. Незначне зниження щільності струму відбувається нижче 0.6 В і суттєве – вище цієї напруги. З іншого боку, щільність потужності зростає майже лінійно до максимуму ~ 3.83 і 3.29 мВт/см2 для ZnO і PbO TCO, відповідно. Зміна ємності з напругою аналогічна зміні щільності струму для обох конфігурацій, і було виявлено, що ефективність сонячних елементів з покриттям ZnO вище, ніж елементів, покритих PbO. |
|
Перелік цитувань |
Інші статті цього номера
1) Моделювання механічних властивостей нанокристалічного SiC методом молекулярної динаміки [02001-1-02001-5]2) Рентгенівське дослідження наноструктури SiC на плівках Cu [02002-1-02002-4]
3) Вплив домішки Au на структурні та оптичні властивості тонких плівок ZnO, отриманих методом CVD [02003-1-02003-4]
4) Залежність продуктивності органічних сонячних елементів як функції товщини активного шару, світлової інтенсивності та температури теплового відпалу [02004-1-02004-5]
5) Ініціювання процесу вибухової кристалізації в аморфних сплавах системи Fe-Zr імпульсною лазерною обробкою [02005-1-02005-4]
6) Чотирикомпонентний напівпровідник халькопіритів Al(Ga,Mn)As2 та AlGa(As,P): дослідження базових принципів [02006-1-02006-5]
7) Електричні властивості гетероструктури Сu2O/Cd1 – xZnxTe [02007-1-02007-5]
8) Defect Pool Numerical Model in Amorphous Semiconductor Device Modeling Program [02008-1-02008-5]
9) Генерація електромагнітних коливань субміліметрового діапазону діодами GazIn1 – zAs з використанням ударної іонізації [02009-1-02009-5]
10) Вплив нагрівання газу і RF потужності розпилення на електричні, структурні та оптичні властивості тонких плівок ITO [02010-1-02010-7]
11) Ефект впливу довжини каналу на порогові характеристики безперехідних циліндричних польових транзисторів із затвором з діелектриків з високою проникністю [02011-1-02011-5]
12) Оптичні властивості хімічно синтезованих нанокомпозитів PANI-TiO2 [02012-1-02012-5]
13) Візуалізація структури сигналів функціонування елементів складних динамічних систем – когнітивні аспекти [02013-1-02013-4]
14) Закономірності впливу режимів електронно-променевої технології на експлуатаційні характеристики оптичних елементів [02014-1-02014-7]
15) Дослідження моделювання постійного, змінного та перехідного струмів кантілівера MEMS [02015-1-02015-5]
16) Вплив далекодіючої пасивації домішкових атомів поверхневими обірваними зв’язками на провідність поруватого кремнію [02016-1-02016-8]
17) Вимірювання концентрації донорної домішки телуру в пластинчастих зразках вісмуту методом час-пролітної масової спектрометрії [02017-1-02017-4]
18) Механічні властивості ґраток лужноземельних металів кальцію і стронцію [02018-1-02018-7]
19) Спін-орбітальне розщеплення валентної зони в кремнієвих ниткоподібних кристалах під дією деформації [02019-1-02019-8]
20) Взаємозв'язок між піроелектрикою та залишковою поляризацією в тонких плівках сегнетоелектричного полімеру з нанорозмірною структурою [02020-1-02020-5]
21) Нова технологія деконволюції для вдосконалення глибини різкостів мас-спектрометрії вторинних іонів [02021-1-02021-5]
22) Релятивістська корекція струму польової емісії у формалізмі Фаулера-Нордгейма [02022-1-02022-6]
23) Розрахунок рухливості електронів для напруженої наноплівки германію [02023-1-02023-6]
24) Дослідження адсорбції водню на h-BN за допомогою функціональної теорії щільності: ефекти домішки бору [02024-1-02024-5]
25) Одночасний вплив ширини забороненої зони віконного шару p-nc-SiOx:H та зворотного відбиття на характеристики сонячних елементів на основі a-Si:H [02025-1-02025-5]
26) Кристалічна структура і фізичні властивості високоентропійних сплавів [02026-1-02026-6]
27) Структура та фізико-механічні властивості надтвердих багатошарових покриттів (TiAlСrY/Zr)/(TiAlСrYN/ZrN) з подвійним періодом модуляції структури [02027-1-02027-6]
28) Екситонні властивості барвників на основі перилен-диімідів [02028-1-02028-3]
29) Формування та УФ дослідження наночастинок сульфіду свинцю [02029-1-02029-4]
30) Фізичні особливості двосторонньої дифузії літію в кремній для великогабаритних детекторів [02031-1-02031-4]
31) Міжфазна взаємодія як чинник діелектричних властивостей композитів на основі епоксидної смоли з графітовими нанопластинками [02032-1-02032-5]
32) Моделювання сенсора вібрацій на основі біморфної структури [02033-1-02033-8]
