Оптимізація 6Т бітової комірки із SRAM на основі співвідношення нанодротів SiNWT
| Автори | Yasir Hashim1, Waheb A. Jabbar2 |
| Приналежність |
1Department of Computer Engineering, Tishk International University (TIU), Erbil, Iraq 2Faculty of Electrical and Electronics Engineering Technology, Universiti Malaysia Pahang (UMP), Malaysia |
| Е-mail | yasir.hashim@ieee.org |
| Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 5 |
| Дати | Одержано 27 червня 2020; у відредагованій формі 15 жовтня 2020; опубліковано online 25 жовтня 2020 |
| Посилання | Yasir Hashim, Waheb A. Jabbar, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 5, 05020 (2020) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(5).05020 |
| PACS Number(s) | 62.23.Hj, 87.85.Dh |
| Ключові слова | MS Word, SRAM (4) , SiNWT (2) , Нанодріт (8) , N-MOS, Комірка пам'яті. |
| Анотація |
У сучасних технологіях первинною структурою пам'яті, яка широко використовується у багатьох додатках цифрових схем, є 6T бітова комірка із статичною оперативною пам'яттю (SRAM). Основною причиною мінімізації бітової комірки пам'яті до нанорозмірів є забезпечення інтегральних мікросхем SRAM найбільш можливим обсягом пам'яті на одну мікросхему, а основною частиною 6T бітової комірки із SRAM є MOSFET. Однією з нових структур MOSFET, які долають звичайні проблеми структури MOSFET при мінімізації до нанорозмірів, є кремнієвий нанодротовий транзистор (SiNWT). Це дослідження є першим, що вивчає та оптимізує співвідношення нанодротів драйвера та навантаження (KD/KL) для шести n-канальної бітової комірки із SRAM на основі SiNWT. Засіб моделювання MuGFET був використаний для розрахунку вихідних характеристик кожного транзистора окремо, а потім ці характеристики були реалізовані в програмному забезпеченні MATLAB для отримання кінцевих статичних характеристик 6Т бітової комірки із SRAM. Обговорено оптимізацію співвідношення нанодротів драйвера та навантаження нанорозмірної бітової комірки із SRAM на основі SiNWT n типу. У роботі оптимізація співвідношення KD/KL буде сильно залежати від напруги перегину та високих і низьких допустимих рівнів шумів (NMs) характеристик. Покращення NMs характеристик було здійснено за рахунок збільшення струму стоку (Ids) драйверного транзистора. Крім того, оптимізація в принципі буде залежати від того, чи є NMs рівними та високими, а напруга перегину (Vinf) наближається до значень Vdd/2, наскільки це можливо. Ці принципи використовувались як обмежувальні фактори для оптимізації. Результати показують, що оптимізація сильно залежить від співвідношення нанодротів, а найкращим співвідношенням було виявлено KD/KL = 4. Збільшення KD/KL призводить до постійного збільшення NMH, прийнятного NML та низького процентного приросту споживання статичної енергії (ΔP %) при KD/KL = 4. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Фізико-хімічні характеристики нанокластерів кремнію-германію [05001-1-05001-5]2) Квазірівноважні процеси релаксації електронного збудження молекули азидомалахітового зеленого [05002-1-05002-7]
3) Розрахунки з перших принципів електронних властивостей гетероструктур на основі ZnO/GaN [05003-1-05003-6]
4) Механічна поведінка зміцнених частинками термопластичних матричних композитів з використанням моделювання методом кінцевих елементів [05004-1-05004-5]
5) Особливості впливу ультразвукових хвиль на біологічні тканини різних типів [05005-1-05005-4]
6) Оптичні властивості плівок селеніду цинку, які леговані європієм [05006-1-05006-5]
7) Вивчення резонансних дифракційних явищ на ґратках точним методом зв’язаних хвиль з модифікованою системою рівнянь [05007-1-05007-6]
8) Перспективи полімерних сонячних елементів – це виробництво енергії за низькою вартістю [05008-1-05008-5]
9) Першопринципне дослідження рідкоземельних мононитридів ScN і YN під тиском [05009-1-05009-5]
10) Аналіз та оцінка впливу кліматичних умов на фотоелектричний модуль з аморфного кремнію [05010-1-05010-5]
11) Осадження покриття іонно-плазмовим розпиленням мішені з max фази Ti2AlC [05011-1-05011-6]
12) Вплив технологічних факторів на електрофізичні характеристики фотоперетворювачів [05012-1-05012-5]
13) Синхронізація антиферомагнітного джозефсонівського осцилятора зовнішнім сигналом [05013-1-05013-4]
14) Композити поліетиленоксиду/титанату барію: оптичні, електричні та теплові властивості [05014-1-05014-4]
15) Структурні та оптичні характеристики мультиферроїчних наночастинок BiFeO3, синтезованих при різних температурах відпалу [05015-1-05015-6]
16) Озоночутливі властивості тонких плівок нанокристалічного карбіду кремнію [05016-1-05016-4]
17) Термоелектричні властивості ниткоподібних кристалів InSb [05017-1-05017-4]
18) Електронні властивості фталоцианінів перехідних елементів, отриманих за методами гібридного функціонала та рівняння Бете-Солпітера [05018-1-05018-5]
19) Виготовлення нової серії чотирикомпонентних сплавів шляхом гібридного фазового спікання [05019-1-05019-5]
20) Design and Development of an Efficient Branch Predictor for an In-order RISC-V Processor [05021-1-05021-4]
21) Імітаційне дослідження тилового контакту метал-напівпровідник p-c-Si/Al кремнієвих сонячних елементів з гетеропереходами [05022-1-05022-4]
22) Чутливість сонячних елементів c-Si з HIT до структурних спотворень гідрогенізованого аморфного кремнію, що складає фронтальну частину пристрою [05023-1-05023-5]
23) Хвилеводні поляризатори з діафрагмами для опромінювачів супутникових антен Ku-діапазону [05024-1-05024-5]
24) Нанозаповнені антифрикційні полімерні композиційні матеріали для деталей вузлів тертя морського та річкового транспорту [05025-1-05025-6]
25) Формування нанопористої структури аміачної селітри в вихрових апаратах з попереднім зволоженням гранул [05026-1-05026-7]
26) Дослідження польових транзисторів на вуглецевих нанотрубках з коаксіальною геометрією [05027-1-05027-5]
27) Першопринципний розрахунок взаємодії крайової дислокації з домішковими атомами перехідних металів в кремнії [05028-1-05028-4]
28) Прямий синтез графену з переробленого сердечника акумулятора методом ексфоліації плазми низької густини та його застосування для видалення метиленового синього та родаміну В з водних розчинів [05029-1-05029-4]
29) Магнітні та магніторезистивні властивості тонкоплівкових сплавів на основі кобальту і міді [05030-1-05030-6]
30) Еволюція властивостей іонно-плазмових покриттів на основі нітридів тугоплавких металів [05031-1-05031-5]
31) Кутові розподіли розсіяних іонів і при ковзному падінні на поверхню (001)<110> [05032-1-05032-4]
32) Аналітичний розрахунок спектра частот і групових швидкостей акустичних фононів у квазідвовимірних наноструктурах [05033-1-05033-5]
33) Підвищення коефіцієнта посилення мікрополоскової патч-антени і решітчастої антени з використанням різних структур метаматеріалів для додатків телемедицини [05034-1-05034-5]
34) Дослідження нанопорошків нікелю та їх застосування як мастильних добавок [05035-1-05035-3]
