Вивчення впливу високої температури на статичні характеристики 14 нм TG SOI N FinFET
| Автори | A. Lazzaz1, K. Bousbahi1,2, M. Ghamnia1 |
| Приналежність |
1Laboratoire des Sciences de la Matière Condensée (LSMC), Oran 1 University, Oran, Alegria 2ESGEE d’Oran, Oran, Algeria |
| Е-mail | lazzaz.abdelaziz@gmail.com |
| Випуск | Том 15, Рік 2023, Номер 2 |
| Дати | Одержано 25 січня 2023; у відредагованій формі 17 квітня 2023; опубліковано online 27 квітня 2023 |
| Посилання | A. Lazzaz, K. Bousbahi, M. Ghamnia, Ж. нано- електрон. фіз. 15 № 2, 02005 (2023) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.15(2).02005 |
| PACS Number(s) | 82.20.Xr, 85.30.Tv |
| Ключові слова | CMOS (18) , Квантовий ефект (2) , Струм витоку (2) , FinFET (16) , Температурний ефект. |
| Анотація |
Постійне масштабування розмірів польових транзисторів метал-оксид-напівпровідник (MOSFET) описується законом Мура, що призводить до розробки складних технологій електронних компонентів. Через труднощі масштабування планарного CMOS-транзистора з надією на збереження ефективногокерування каналом, пристрої FinFET були представлені для подолання різних проблем, таких як збільшення струму витоку, зменшення струму ввімкнення та погіршення коефіцієнта продуктивності. Пристрої FinFET мають інші важливі переваги перед планарними транзисторами, такі як зменшення випадкових флуктуацій легування та підвищення порогової напруги. Група BSIM продовжує розробляти моделі для комплементарної технології метал-оксид-напівпровідник, представляючи компактні моделі, що залежать від геометрії пристрою та не залежать від матеріалу, що є важливим для проектування електроніки. У даній роботі був досліджений вплив зміни температури від 77 до 377 K на вхідні та вихідні характеристики TG SOI N FinFET 14 нм. Мета дослідження полягає в аналізі впливу температури на порогову напругу, струми увімкнення та вимкнення, підпорогове коливання, зниження бар’єру, викликане стоком, та струм витоку. Berkeley PTM (Predictive Technology Model) використовується в інструментах SPICE і TCAD Atlas. При підвищенні температури від 77 до 377 К спостерігається погіршення співвідношення продуктивності ION/IOFF. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Органічний польовий транзистор на основі адаптивної системи з нейро-нечітким виводом [02001-1-02001-9]2) Термодинамічне дослідження портландцементу, що містить багатостінні вуглецеві нанотрубки [02002-1-02002-6]
3) Синтез і характеристика кількашарового відновленого та модифікованого методом Хаммера нанолиста оксиду графену [02003-1-02003-3]
4) Розробка оптимізованого поглинаючого шару Cu2ZnSnS4, створеного SILAR методом [02004-1-02004-5]
5) Поверхнево-бар’єрні CdTe діоди для фотовольтаїки [02006-1-02006-5]
6) Аналіз продуктивності включення прихованого металевого шару в безперехідний багатоканальний польовий транзистор [02007-1-02007-4]
7) Прецизійна хаотична лазерна генерація [02008-1-02008-5]
8) Хімічне осадження плівок CdS з водного розчину, що містить триетаноламін [02009-1-02009-5]
9) Вимірювання високої та низької перехресної поляризації в мініатюрній надширокосмуговій компактній антенній решітці для багатоцільових РЛС [02010-1-02010-5]
10) Вплив дробової похідної за часом на профілі зовнішньої дифузії під час дегазації тонкої пластини у вакуумі [02011-1-02011-4]
11) Низьковольтний симетричний двозатворний органічний польовий транзистор [02012-1-02012-6]
12) Воднева обробка поверхневого шару золотої плівки на склі [02013-1-02013-5]
13) Ab initio дослідження пружних властивостей твердого розчину CdSe1 – xSx [02014-1-02014-7]
14) Дослідження та проектування патч-антени 5G міліметрового діапазону з резонансною частотою 60 ГГц [02015-1-02015-6]
15) Обчислювання фотоелектричних характеристик сонячних елементів CdS/Si: ефект антиблікових шарів [02016-1-02016-4]
16) Наночастинки ZnO, синтезовані за допомогою екстракту з листя Terminalia catappa та його характеристики [02017-1-02017-3]
17) Структурні та оптичні властивості тонких плівок Ba(Zr0.3Ti0.7)O3 та Ba(Zr0.5Ti0.5)O3, отриманих золь-гель методом [02018-1-02018-4]
18) Характеристики Suns-Voc кремнієвої сонячної батареї: експериментальне та симуляційне дослідження [02019-1-02019-5]
19) Дослідження Li-Al феритів методами ядерного магнітного резонансу, UV спектроскопії і мессбауерівської спектроскопії [02020-1-02020-9]
20) Комплексне дослідження оптичних і магнітних властивостей нанопорошків (In1 – xDyx)2O3, отриманих методом твердофазної реакції [02021-1-02021-7]
21) Фотоелектричні властивості гетеропереходу Mn2O3/n-InSe [02022-1-02022-5]
22) New Fractional Wavelet with Compact Support and Its Application to Signal Denoising [02023-1-02023-5]
23) The Charge Transfer for Nb(V)/Nb(IV) and Ta(V)/Ta(IV) Redox Couple in Electrode Surface: Experimental and Calculation Methods [02024-1-02024-3]
24) Покращена продуктивність зі зниженням токсичності сонячної батареї CIGS із використанням ультратонкого шару BaSi2 BSF [02025-1-02025-5]
25) Impact of Annealing Temperature on Surface Reactivity of ZnO Nanostructured Thin Films Deposited on Aluminum Substrate [02026-1-02026-4]
26) Ультразвуковий метод визначення швидкості кровотоку: фізичні основи та векторна візуалізація [02027-1-02027-4]
27) Мас-спектрометричне дослідження хімічного складу газового середовища у зоні проведення електроіскрового легування [02028-1-02028-4]
28) Дифракція природного світла на безмежній ґратці металевих стрічок [02029-1-02029-3]
29) Атомістичне декорування Ti2C максену срібними наночастинками [02030-1-02030-7]
30) Фізичні та технологічні принципи обробки сталі лазерним випромінюванням УФ-діапазону [02031-1-02031-4]
