Автори | S.S. Ghosh1 , S. Chattopadhyay2 , R.V.V. Krishna3, Ranjan Kumar Mahapatra4, A. Das1 , Sudipta Das5 |
Афіліація |
1Department of Electrical Engineering, Jadavpur University, Kolkata, West Bengal, India 2Department of Electrical Engineering, GKCIET, Malda, West Bengal, India 3Department of Electronics and Communication Engineering, Aditya College of Engineering & Technology, Aditya Nagar, ADB Road, Surampalem, 533437, A.P., India 4Department of Electronics and Communication Engineering, Koneru Lakshmaiah Education Foundation, Green Fileds, Vaddeswaram, 522302, A.P. India 5Department of Electronics and Communication Engineering, IMPS College of Engineering and Technology, Malda-732103, West Bengal, India |
Е-mail | ssghosh732103@gmail.com |
Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 3 |
Дати | Одержано 13 квітня 2024; у відредагованій формі 19 червня 2024; опубліковано online 28 червня 2024 |
Цитування | S.S. Ghosh, S. Chattopadhyay та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 16 №3, 03029 (2024) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(3).03029 |
PACS Number(s) | 85.30.Tv |
Ключові слова | Швидке перетворення Фур'є (FFT), Ідентифікація несправностей, H-мостовий інвертор (HBI), Мікромережа (MG), MOSFET (30) , Фотоелектрична система (2) . |
Анотація |
Польові транзистори метал-оксид-напівпровідник (MOSFET) є важливими компонентами звичайних силових електронних перетворювачів, які використовуються в інверторних системах мікромережі (MG) завдяки їх ефективності, швидкому перемиканню та компактному розміру. Мікромережеві інвертори (MGI) є життєво важливими для розподілених енергетичних систем (DES), перетворюючи електроенергію постійного струму з відновлюваних джерел у змінну. H-мостовий інвертор (HBI) у режимі MG забезпечує двонаправлений потік електроенергії, забезпечуючи як прив’язану до мережі, так і незалежну роботу. Несправність MOSFET у SPHBI може спричинити зміну ефективного опору MOSFET (MER). На надійність, безпеку та продуктивність системи MG можуть негативно вплинути збої MOSFET в H-мостовому інверторі. Ефективна система виявлення несправностей повинна бути включена в MGI, щоб зменшити вплив збоїв MOSFET. У цій статті представлено підхід до виявлення швидкої відмови перемикача MOSFET (MSF) в однофазному Н-мостовому інверторі MG, пов’язаному з фотоелектричною (PV) системою. Щоб ідентифікувати MSF, вихідний струм SPHBI був проаналізований за допомогою швидкого перетворення Фур’є (FFT). Для різних рівнів несправності було вивчено вплив MSF на компонент постійного струму (DCC), фундаментальний компонент струму (FCC), повне гармонійне спотворення струму (THCD) і субгармоніки (SHs). На основі найкращих атрибутів була зроблена спроба успішно розпізнати MSF, що також дозволяє вимірювати MER під час MSF. Крім того, запропоновано алгоритм виявлення MSF. |
Перелік посилань |