Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave
| Автори | M. Djerioui1, M. Hebali2 , M. Abboun Abid3 |
| Приналежність |
1ENS Ouargla, 300000 Ouargla, Algeria 2Department of Electrotechnical, University Mustapha Stambouli of Mascara, 29000 Mascara, Algeria 3ENP Oran, B.P 1523 Oran El M’Naouar, 31000 Oran, Algeria |
| Е-mail | djeriouimoh@gmail.com |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 5 |
| Дати | Одержано 20 червня 2022; у відредагованій формі 24 жовтня 2022; опубліковано online 28 жовтня 2022 |
| Посилання | M. Djerioui, M. Hebali, M. Abboun Abid, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 5, 05025 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(5).05025 |
| PACS Number(s) | 85.30.De |
| Ключові слова | Симетричний DG-SOI-MOSFET, Електрична характеристика, Провідність (84) , Мініатюризація, Чисельний метод (2) . |
| Анотація |
Пристрій SOI-MOSFET із подвійним затвором (DG) розглядається як наступне покоління схем VLSI. У роботі ми показуємо вплив мініатюризації на попит та проблеми симетричної планарної конструкції DG-SOI-MOSFET низької потужності та високої продуктивності. Застосовуючи графічний підхід, який використовувався раніше і складається з чисельного моделювання, дійсного для всіх умов зсуву, від підпорогової до сильної інверсії та від лінійної до насичення, ми візуалізували еволюцію характеристик передачі, а також вихідних і електричних характеристик і вихідної провідності шляхом зміни кожного з параметрів незалежно: товщини оксиду (tox), довжини (L) і ширини каналу (W). Отримані результати дозволили перевірити, як кожен параметр впливає на різні електричні властивості DG-SOI-MOSFET. Було виявлено, що L, W і tox значним чином впливають на зазначені властивості, а даний транзистор також включає ефекти модуляції довжини каналу (CLM) та індуковане стоком зниження бар'єру (DIBL). Це дослідження показало здатність передбачити електричну поведінку DG-SOI-MOSFET за його геометричними розмірами та можливість вибору оптимальних розмірів для забезпечення високої продуктивності цього транзистора як в аналогових, так і в цифрових схемах. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Структурні, морфологічні та оптичні характеристики диселеніду кобальту, вирощеного методом прямого переносу пари (DVT) [05001-1-05001-4]2) Мікрохвильові властивості ГНП-полімерних композитів з сегрегованою провідною мережею [05002-1-05002-5]
3) Характеристики комбінованого (Si та Ge) інвертора FinFET-CMOS на основі співвідношення транзисторів навантаження до драйверу [05003-1-05003-6]
4) На шляху до інтелектуальних систем моніторингу: алгоритми штучного інтелекту на основі виявлення та діагностики несправностей на сонячних фотоелектричних електростанціях [05004-1-05004-5]
5) Мікродефекти та електричні властивості кристалів β-Ga2O3 та β-Ga2O3:Mg, вирощених методом зонної плавки [05005-1-05005-5]
6) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [05006-1-05006-6]
7) Розрахунок електронної хвильової функції та потенціалу кристала в напівпровіднику зі структурою сфалериту при заданій температурі [05007-1-05007-5]
8) Аналіз потужності та порогової напруги 12T SRAM комірки 14 нм FinFET для додатків із низьким енергоспоживанням [05008-1-05008-6]
9) Еволюційна анізотропна поведінка листа DC04 з використанням функції Hill48 за гіпотезою неасоційованого правила потоку [05009-1-05009-5]
10) Вплив температури та товщини основи на фотоелектричні параметри сонячних елементів з аморфного кремнію [05010-1-05010-6]
11) Енергетичні характеристики майже сферичних металевих наночастинок [05011-1-05011-5]
12) Дослідження моно- та полікристалічних кремнієвих сонячних елементів різної форми для фотоелектричних пристроїв у форматі 3D: експеримент та моделювання [05012-1-05012-8]
13) Леговані фтором супергідрофобні наноквіти SnO2 (FTO), осаджені за допомогою розпилювального піролізу для застосування в сонячних елементах [05013-1-05013-6]
14) Технологічні особливості виготовлення реальних контактних систем для приладів наносистемної техніки [05014-1-05014-5]
15) Реалізація та аналіз L-подібного тунельного польового транзистора з використанням затвора та оксидної інженерії [05015-1-05015-4]
16) Effect of Phase Contrast and Geometrical Parameters on Bending Behavior of Sandwich Beams with FG Isotropic Face Sheets [05016-1-05016-6]
17) Розробка та аналіз дводіапазонної (27/38 ГГц) патч-антени еліптичної форми для додатків 5G [05017-1-05017-5]
18) Оцінка стану заліза у вологих зонах за допомогою георадара з антеною-метеликом, яка працює на частоті 1,6 ГГц [05018-1-05018-6]
19) Прогнозування електрофізичних і магнітних властивостей багатокомпонентних (високоентропійних) плівкових сплавів [05019-1-05019-4]
20) Електропровідні та поляризаційні властивості клатрату InSe[CS(NH2)2[С14Н10]] [05020-1-05020-6]
21) Вплив довжини поверхневої дифузії на шорсткість тонких шарів, отриманих випадковим осадженням [05021-1-05021-5]
22) Теоретичне дослідження впливу упаковки на температуру оптоволоконних кабелів [05022-1-05022-5]
23) Дослідження фотореактивності неорганічних нанокристалів зі значними органічними кольорами [05023-1-05023-10]
24) Кінетика фотопровідності в двосторонньому макропористому кремнії [05024-1-05024-5]
25) Порівняння структурних та оптичних властивостей плівок CdSe, вирощених методами CSD та CBD [05026-1-05026-5]
26) Фрактальна структура нанопористого вуглецю, отриманого гідротермальною карбонізацією рослинної сировини [05027-1-05027-4]
27) Зондування інтерфейсу за допомогою раманівської спектроскопії [05028-1-05028-4]
28) Гетерошари гексагонального α-CdTe [05029-1-05029-5]
29) Теоретичне дослідження шпінельної структури CuCr2O4 в тетрагональній фазі з використанням теорії функціоналу густини [05030-1-05030-7]
