Проект малошумного підсилювача з поточною архітектурою повторного використання та методом попереднього спотворення для наноелектронних датчиків, які працюють на частоті 2,4 ГГц

Автори K. Suganthi1 , B. Venila2, M.S. Abirami3, Ritam Dutta4
Приналежність

1Department of ECE, SRMIST, Chennai 603203 Tamil Nadu, India

2Department of Mathematics, SRMIST, Chennai 603203 Tamil Nadu, India

3Department of Computational Intelligence, SRMIST, Chennai 603203 Tamil Nadu, India

4CISR – ITER, Siksha ‘O’ Anusandhan University, Bhubaneswar 751030 Odisha, India

Е-mail ritamdutta1986@gmail.com
Випуск Том 14, Рік 2022, Номер 3
Дати Одержано 24 травня 2022; у відредагованій формі 22 червня 2022; опубліковано online 30 червня 2022
Посилання K. Suganthi, B. Venila, M.S. Abirami, Ritam Dutta, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 3, 03006 (2022)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.14(3).03006
PACS Number(s) 85.35. – p
Ключові слова CMOS-дизайн (2) , LNA (2) , Нанопідсилювач, Конструкція схеми, Наночутливі матеріали.
Анотація

У статті описується розробка різних конструкцій CMOS підсилювача з низьким рівнем шуму (LNA) для досягнення високої лінійності та низького рівня шуму в конструкціях нанодатчиків. Робоча частота становить 2,4 ГГц, а діапазон ISM підходить для додатків нанодатчиків. Новинка представлена структурою, що реконфігурується, з поточною архітектурою повторного використання для низького енергоспоживання, а метод попереднього спотворення використовується для досягнення хорошої лінійності без спотворень, що є кращим показником для конструкції підсилювача. Нанорозмірні конструкції отримано із збільшенням надійності. Пропонована конструкція LNA на основі CMOS має помірне підсилення з низьким коефіцієнтом шуму 2,6 дБ на частоті 2,4 ГГц та менше 2 дБ на частоті 5 ГГц. Хороша зворотна ізоляція досягається за рахунок коефіцієнту стоячої хвилі за напругою (VSWR), а оптимізований параметр S вхідних і вихідних коефіцієнтів відбиття становить менше – 10 дБ. Стабільність розробленого підсилювача та результати підсилення потужності сумісні з конструкцією наносенсора. Новизна, досягнута в конструкції, полягає у широкій смузі пропускання, хорошому показнику якості (FOM), малому розмірі, помірному підсиленні без спотворень, низькому рівні шуму та хорошій лінійності завдяки складній конструкції. Кім того, коефіцієнт підсилення потужності помірний, а сама конструкція займає невелику площу 0,5×0,2 мм2.

Перелік посилань