Автори | M. Lakshmana Kumar, Biswajit Jena |
Приналежність |
Department of ECE, Koneru Lakshmaiah Education Foundation, Vaddeswaram-522502, Andhra Pradesh, India |
Е-mail | biswajit18590@gmail.com |
Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 6 |
Дати | Одержано 12 серпня 2021; у відредагованій формі 17 грудня 2021; опубліковано online 20 грудня 2021 |
Посилання | M. Lakshmana Kumar, Biswajit Jena, Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 6, 06034 (2021) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(6).06034 |
PACS Number(s) | 85.30.Tv |
Ключові слова | MOSFET (31) , Кріогенний, CMOS (18) , Квантовий процесор. |
Анотація |
У роботі розглядається GAA MOSFET n-типу з різними довжинами затвора від 90 до 12 нм. Температурно-залежне моделювання проводиться з метою детального дослідження електричних характеристик. Діапазон температур, використаний у роботі, варіюється від 6 до 700 К, включаючи кріогенну температуру, і досліджується поведінка GAA MOSFET як напівпровідникового пристрою наступного покоління для квантових обчислювальних систем. Реалізація апаратного квантового процесора потребує інтеграції CMOS-контролера та схеми інтерфейсу зчитування, яка працюватиме при кріогенній температурі (6 К). У роботі досліджується критична поведінка струму стоку при кріогенній температурі та при нормальній кімнатній температурі. Проводиться порівняльний аналіз для вивчення впливу температури на продуктивність приладу. Запропонований пристрій при кріогенній температурі може працювати належним чином і стати передовим пристроєм для майбутніх квантових обчислювальних систем. |
Перелік посилань |