Аналіз продуктивності GAA MOSFET при кріогенній температурі для субнанометрового режиму
| Автори | M. Lakshmana Kumar, Biswajit Jena |
| Приналежність |
Department of ECE, Koneru Lakshmaiah Education Foundation, Vaddeswaram-522502, Andhra Pradesh, India |
| Е-mail | biswajit18590@gmail.com |
| Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 6 |
| Дати | Одержано 12 серпня 2021; у відредагованій формі 17 грудня 2021; опубліковано online 20 грудня 2021 |
| Посилання | M. Lakshmana Kumar, Biswajit Jena, Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 6, 06034 (2021) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(6).06034 |
| PACS Number(s) | 85.30.Tv |
| Ключові слова | MOSFET (29) , Кріогенний, CMOS (18) , Квантовий процесор. |
| Анотація |
У роботі розглядається GAA MOSFET n-типу з різними довжинами затвора від 90 до 12 нм. Температурно-залежне моделювання проводиться з метою детального дослідження електричних характеристик. Діапазон температур, використаний у роботі, варіюється від 6 до 700 К, включаючи кріогенну температуру, і досліджується поведінка GAA MOSFET як напівпровідникового пристрою наступного покоління для квантових обчислювальних систем. Реалізація апаратного квантового процесора потребує інтеграції CMOS-контролера та схеми інтерфейсу зчитування, яка працюватиме при кріогенній температурі (6 К). У роботі досліджується критична поведінка струму стоку при кріогенній температурі та при нормальній кімнатній температурі. Проводиться порівняльний аналіз для вивчення впливу температури на продуктивність приладу. Запропонований пристрій при кріогенній температурі може працювати належним чином і стати передовим пристроєм для майбутніх квантових обчислювальних систем. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив густини дефектів на сонячні елементи n-c-Si на основі гетеропереходу з внутрішнім тонким шаром [06001-1-06001-4]2) Порівняльне дослідження впливу µc-Si:H, a-Si:H, pm-Si:H та µc-SiOx як пасивуючого шару на продуктивність сонячних елементів HIT n-c-Si [06002-1-06002-4]
3) Підвищена чутливість до вологості гідротермально синтезованих наночастинок оксиду олова [06003-1-06003-5]
4) Моделювання та імітація польового транзистора MOSFET (з high-k діелектриком) з використанням генетичних алгоритмів [06004-1-06004-5]
5) Розробка та аналіз високопродуктивного капсулоподібного біосенсора на 2D фотонних кристалах: застосування в біомедицині [06005-1-06005-6]
6) Порівняльне дослідження теплових та оптичних властивостей бінарних нанокомпозитів на основі PANI [06006-1-06006-4]
7) Порівняльний аналіз електричних властивостей нанокристалічних гідрату NiMoO4 та α-NiMoO4, отриманих гідротермальним методом [06007-1-06007-6]
8) Обробка воднем плівкових датчиків SPR: експерименти та теоретичне моделювання [06008-1-06008-5]
9) Вплив Ag на поверхневий стан TiO2, оптичну активність та його цитотоксичність [06009-1-06009-5]
10) Розподіл нерівноважних носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів [06010-1-06010-5]
11) Si- and Ge-FinFET Inverter Circuits Optimization Based on Driver to Load Transistor Fin Ratio [06011-1-06011-4]
12) Про оптогальванічну спектроскопію з роздільною здатністю в часі неону у розряді з порожнистим катодом [06012-1-06012-6]
13) Вплив вмісту дисиліциду молібдену на мікроструктуру та фазові перетворення покриттів ZrB2-MoSi2-10Al після відпалу на повітрі [06013-1-06013-4]
14) Оптичні властивості тонкої плівки ZnO: імітаційне дослідження для оптоелектронних застосувань [06014-1-06014-4]
15) Особливості фотоелектричних процесів в плівкових гетеросистемах сульфіду та телуриду кадмію з нанорозмірними шарами у тильних контактах [06015-1-06015-6]
16) Порівняльне дослідження оптоелектронних характеристик нелегованих, легованих Mg та спільно легованих F/Mg нанокристалічних тонких плівок ZnO для застосування в сонячних елементах [06016-1-06016-6]
17) Порівняльне дослідження та характеристики відновленого оксиду графену (RGO) та пористого відновленого оксиду графену (P-RGO) на основі відходів шкаралупи кокосового горіха [06017-1-06017-6]
18) Вплив форми армуючих частинок на поведінку композиційних матеріалів [06018-1-06018-4]
19) Суперпарамагнетизм в ниткоподібних кристалах Si1 – xGex (B, Hf) [06019-1-06019-5]
20) Топографічний аналіз впливу відпалювання на зернограничну структуру полікремнієвих плівок [06020-1-06020-4]
21) Електрохімічні властивості гібридних суперконденсаторів, сформованих на основі нанопористого вуглецю та вольфрамату нікелю [06021-1-06021-5]
22) Експериментальні дані про динамічні зміни радіоімпульсів при їх випромінюванні п'єзокерамічними електромеханічними перетворювачами [06022-1-06022-5]
23) Оксид титану, легований залізом: синтез, структурні, магнітні та фотокаталітичні властивості [06023-1-06023-7]
24) Властивості аморфного кремнезему, синтезованого із мідеплавильних шлаків [06024-1-06024-6]
25) Механізми зміцнення поверхневого шару дюралюмінію, модифікованого імпульсним релятивістським електронним сильнострумовим пучком [06025-1-06025-6]
26) Аналіз механізмів підвищення ефективності промислових кремнієвих сонячних батарей [06026-1-06026-8]
27) Чисельний аналіз динаміки наночастинок у в'язкій рідині: Детерміністичний підхід [06027-1-06027-5]
28) Енергетичні та частотні властивості планарних n+-n-n+ діодів з бічними активними границями [06028-1-06028-4]
29) Методи розрахунку передавальних функцій широкосмугових пластинчатих п'єзоперетворювачів з перехідними шарами [06029-1-06029-6]
30) Оцінка виготовлення пристроїв від FET до CFET: огляд [06030-1-06030-8]
31) Аналіз шуму перехресних перешкод за допомогою міжз'єднань графенової нанострічки шляхом зміни відстані між дротами та середнього вільного пробігу електронів [06031-1-06031-4]
32) Дослідження структурних, електричних та корозійних властивостей плівок NbN, нанесених методом магнетронного напилення (живлення постійним струмом) при різних потужностях [06032-1-06032-6]
33) Оптичні властивості гібридних тонких плівок CuSCN/стільбазолієвий барвник [06033-1-06033-4]
34) Вивчення та проектування масивів друкованих прямокутних мікросмугових антен на робочій частоті 27,5 ГГц для додатків 5G [06035-1-06035-5]
35) Вплив кута падіння світла на характеристики текстурованих кремнієвих сонячних елементів [06036-1-06036-5]
