Щільність поверхневих станів в 3D топологічних ізоляторах у присутності магнітного поля з урахуванням гексагональних спотворень решітки

Автори I.М. Федулов
Афіліація

Югорський державний університет, вул. Чехова, 16, 628011 Ханти-Мансійськ, Росія

Е-mail infedoulov@mail.ru
Випуск Том 11, Рік 2019, Номер 5
Дати Одержано 22 червня 2019; у відредагованій формі 20 жовтня 2019; опубліковано online 25 жовтня 2019
Цитування I.М. Федулов, Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 5, 05014 (2019)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.11(5).05014
PACS Number(s) 73.20.At, 75.75. − c
Ключові слова Щільність поверхневих станів, Топологічний ізолятор, Спін-орбітальна взаємодія (3) , 2D електронний газ, Взаємодія Rashba, Магнітне поле (31) , Гексагональний ефект викривлення.
Анотація

Описано поведінку щільності поверхневих станів (DOS) в 3D топологічних ізоляторах Rashba-типу у присутності статичного магнітного поля. Враховується вплив гексагонального ефекту викривлення, властивого другому поколінню топологічного ізолятора, виконаного на основі Bi2Se3 і Bi2Te3. У роботі запропоновано метод чисельного знаходження DOS, що враховує вплив зовнішнього магнітного поля. Ми показали, що поведінка DOS в цьому топологічному ізоляторi має якісні відмінності від поведінки 2D електронного газу зі спін-орбітальною взаємодією Rashba-типу без гексагонального ефекту викривлення. Результати нашої роботи показали, що вже у випадку досить слабких полів замість очікуваного зростання DOS зі збільшенням прикладеного магнітного поля спостерігається її зменшення. Оцінки порогової величини поля дають порядок 1-10 Гс.

Перелік цитувань