Автори | O.Ю. Небеснюк , З.A. Ніконова , А.О. Ніконова , С.Л. Хрипко |
Афіліація |
Інженерний інститут Запорізького національного університету, пр. Соборний, 226, 69006 Запоріжжя, Україна |
Е-mail | 0811oksana@gmail.com |
Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 5 |
Дати | Одержано 27 квітня 2019; у відредагованій формі 20 жовтня 2019; опубліковано online 25 жовтня 2019 |
Цитування | O.Ю. Небеснюк, З.A. Ніконова, А.О. Ніконова, С.Л. Хрипко, Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 5, 05019 (2019) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(5).05019 |
PACS Number(s) | 85.40.Ls, 85.40.Ry |
Ключові слова | Пластина (4) , Дефекти (25) , Епітаксійні композиції, Контактні системи (2) , Фотоелектричні перетворювачі. |
Анотація |
Енергія є ключовим фактором, а також знаходиться у центрі економічних, соціальних та екологічних завдань сучасного розвитку. У статті запропоновано напрями поліпшення якості традиційних, а також освоєння нових напівпровідникових матеріалів і різних типів металізації. Особливо великі перспективи обіцяє застосування епітаксійних композицій для виготовлення фотоелектричних перетворювачів. Чітко проявляються тенденції створення найскладніших електронних пристроїв на основі багатошарових епітаксійних структур. При цьому формуються дуже високі вимоги до електрофізичних властивостей і досконалості структури кожного шару, ставляться завдання створення якісних та різких p-n переходів і гетеромеж на великих площах епітаксійних композицій. |
Перелік цитувань |