Триботехнічні властивості багатошарових покриттів (TiZr)N/(TiSi) N з нанометровою товщиною
| Автори | В.М. Береснєв1 , С.В. Литовченко1 , Д.В. Горох1 , Б.О. Мазілін1 , В.А. Столбовий1,2, І.Н. Колодій2, Д.А. Колєсніков3, В.В. Грудницький2, П.А. Сребнюк1 , О.В. Глухов4 |
| Афіліація |
1Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, пл. Свободи, 4, 61000 Харків, Україна 2Національний науковий центр «Харківський фізико-технологічний інститут», вул. Академічна, 1, 61108 Харків, Україна 3Білгородський національний дослідницький університет, вул. Перемоги, 85, 308015 Білгород, Росія 4Національний університет радіоелектроніки, бульвар Науки, 14, 61166 Харків, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 5 |
| Дати | Одержано 27 квітня 2019; у відредагованій формі 23 жовтня 2019; опубліковано online 25 жовтня 2019 |
| Цитування | В.М. Береснєв, С.В. Литовченко, Д.В. Горох, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 5, 05037 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(5).05037 |
| PACS Number(s) | 61.46.–w, 62.20.Qp, 62-65.–g |
| Ключові слова | Вакуумне дугове осадження, Багатошарові нітридні покриття (2) , Структура (220) , Коефіцієнт тертя (7) , Твердість (65) . |
| Анотація |
Досліджено триботехнічні характеристики багатошарових нітридних покриттів (TiZr)N/(TiSi)N, отриманих методом вакуум-дугового осадження при кімнатній температурі. Проведено аналіз впливу умов осадження покриттів на механічні та трибологічні властивості покриттів з різними періодами модуляції (загальна товщина двошарового шару) цієї структури: у 1-й серії з близько 20.4 нм, у 2-й серії з λ ≈ 43,9 нм, і в 3-й серії зразків формувалося покриття товщиною λ ≈ 137 нм. Результати зносу були досліджені, і вони свідчать про те, що багатоелементні нітридні покриття зношуються за абразивним механізмом. Інтенсивність зносу в покриттях з кількістю шарів 360 (період λ = 20,4 нм) у 2 рази нижча, ніж в покриттях з 89 шарами (період λ = 137 нм). Значення коефіцієнта тертя під час випробувань становили 0,79-0,82. Твердість покриттів становила HV0.05 = 37.6 ГПа для зразків першої серії, HV0.05 = 31.2 ГПа для зразків другої серії та HV0.05 = 26.5 ГПа для зразків третьої серії. |
|
Перелік цитувань |
Інші статті цього номера
1) Перенесення тепла в одновимірному димерному ланцюгу [05001-1-05001-5]2) Вплив обробки у водневій плазмі тліючого розряду на шари оксиду цинку, виготовлені імпульсним електрохімічним осадженням і методом SILAR [05002-1-05002-7]
3) Фундаментальне дослідження властивостей квазімонокристалічного кремнію після хімічної обробки: порівняння з монокристалічним та багатокристалічним кремнієм [05003-1-05003-5]
4) Структурні та п'єзоелектричні властивості BSb під високим тиском: дослідження DFT [05004-1-05004-4]
5) Аналітична оцінка струму рекомбінації різкого асиметричного p-n переходу [05005-1-05005-8]
6) Зростання тонкої плівки паладію, нанесеної на струмові електроди з нержавіючої сталі вологим хімічним методом для суперконденсатора з активного вуглецю, та її електрохімічні властивості [05006-1-05006-5]
7) Вплив морфології поруватого шару GaAs на параметри контакту Шотткі паладій / поруватий GaAs [05007-1-05007-5]
8) Оцінка та вилучення електричних параметрів різних фотоелектричних моделей за допомогою ітераційних методів [05008-1-05008-7]
9) Вплив збільшення концентрацій при отриманні тонкої плівки Cu2ZnSnS4 [05009-1-05009-5]
10) Високовакуумний насос орбітронного типу: електрофізичні принципи роботи та особливості конструкції [05010-1-05010-7]
11) Структурні, оптичні, морфологічні та теплові властивості наночастинок CuO, підготовлених методом золь-гелю [05011-1-05011-4]
12) Ефективність поки що найкращого алгоритму ABC порівняно з аналітичними методами для вилучення параметрів діода Шоткі [05012-1-05012-5]
13) Фізичні уявлення впливу внутрішнього магнітного поля на процеси в трибоконтакті текстурованих лункових поверхонь [05013-1-05013-5]
14) Щільність поверхневих станів в 3D топологічних ізоляторах у присутності магнітного поля з урахуванням гексагональних спотворень решітки [05014-1-05014-6]
15) Функціоналізовані вуглецеві нанотрубки на поруватому кремнії для сенсорних застосувань [05015-1-05015-4]
16) Електричні властивості нанокристалів поруватого кремнію в діелектричній матриці [05016-1-05016-5]
17) Синтез та характеристики тонких плівок ZnS, легованих Cu, осаджених методом центрифугування [05017-1-05017-6]
18) Моделювання сферичних металевих нанокластерів, що містять моновакансію [05018-1-05018-8]
19) Вплив дефектів на якість контактних систем для фотоелектричних перетворювачів [05019-1-05019-5]
20) Структура, електричні та корозійні властивості квазікристалічних тонких плівок Al–Cu–Fe–Sc [05020-1-05020-5]
21) Вимушена прецесія феромагнітної наночастинки зі скінченною анізотропією, зваженої в рідині: нелінійні аспекти [05021-1-05021-5]
22) Формування хвилі просторового заряду з широким частотним спектром в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ клістронного типу з гвинтовим електронним пучком [05022-1-05022-8]
23) Параметр Грюнайзена та явна частина узагальнюючої міри ангармонізму твердих розчинів системи Fe-Ni [05023-1-05023-4]
24) DFT-моделювання протонування молекул аміаку на поверхні кремнію р-типу [05024-1-05024-4]
25) Оптичні та електричні властивості пористого кремнію n-типу, отриманого методом електрохімічного травлення та дослідження впливу на нього γ-випромінювання [05025-1-05025-6]
26) Покращені оптичні та діелектричні властивості нанокомпозитів PANI/rGO для застосування в суперконденсаторах [05026-1-05026-5]
27) Вплив відхилення від стехіометрії на термоелектричні властивості полікристалів і тонких плівок Bi2Te3 в температурному інтервалі 77-300 K [05027-1-05027-6]
28) Формування та моделювання нанорозмірних рівнів самоорганізованих структур в некристалічних тонких плівках систем Ge-As-Te(S, Se) [05028-1-05028-8]
29) Фізика і технологія гетеросистем на основі плівок германію і германію з галієм [05029-1-05029-4]
30) Ефективні маси носіїв у виродженій зоні провідності:взаємодія особливостей густини електронних станів та намагніченості [05030-1-05030-6]
31) Вплив умов технології на формування центрів світіння у квантових точках CdS [05031-1-05031-4]
32) Електронні та магнітні властивості перовскітів RMO3 (M = Co, Fe): дослідження з перших принципів [05032-1-05032-5]
33) Використання адсорбованих органічних молекул як легуючих домішок для створення вбудованих латеральних p-n переходів у листі чорного фосфорену [05033-1-05033-5]
34) Модифікація поверхні нанокристалів ZnО:Mn, синтезованих кріохімічним методом [05034-1-05034-5]
35) Моделювання фотонних кристалів мікрохвильового діапазону з використанням матриць інтерференції [05035-1-05035-4]
36) Актуальні проблеми комп’ютерної параметричної ідентифікації ЯМР та ЯКР спектрів: огляд [05036-1-05036-10]
37) Електрохімічне дослідження нанокомпозитів оксид графену/оксид ітрію, легованих азотом [05038-1-05038-4]
38) Вплив концентрації графенових нанопластинок на теплопровідність силіконової термопасти [05039-1-05039-4]
39) Вплив розміру зерна на деформацію в наноплівці оксиду міді для застосувань у газовій сенсориці [05040-1-05040-4]
40) Вплив заміщення іонів нікелю на структуру і електричні властивості нанорозмірного літій-залізного фериту, отриманого методом золь-гель автогоріння [05041-1-05041-7]
41) Вплив концентрації rGO на теплову стійкість нанокомпозитів PANI/rGO [05042-1-05042-3]
42) Оптичні властивості квантових точок ZnSe в вуглецевих матрицях [05043-1-05043-3]
