Вплив концентрації графенових нанопластинок на теплопровідність силіконової термопасти
| Автори | M.T. Phuong1,2, P.V. Trinh1 , N.V. Tuyen1,2, N.N. Dinh1,2, P.N. Minh3, N.D. Dung4, B.H. Thang1,3 |
| Приналежність |
1Institute of Materials Science, Vietnam Academy of Science and Technology, 18 Hoang Quoc Viet St., Cau Giay Distr., Hanoi, Vietnam 2VNU University of Engineering and Technology, 144 Xuan Thuy Road, Cau Giay Distr., Hanoi, Vietnam 3Graduate University of Science and Technology, Vietnam Academy of Science and Technology, 18 Hoang Quoc Viet St., Cau Giay Distr., Hanoi, Vietnam 4Department of Materials Science & Engineering, National Tsing-Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan |
| Е-mail | trinhpv@ims.vast.vn |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 5 |
| Дати | Одержано 03 травня 2019; у відредагованій формі 21 жовтня 2019; опубліковано online 25 жовтня 2019 |
| Посилання | M.T. Phuong, P.V. Trinh, N.V. Tuyen, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 5, 05039 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(5).05039 |
| PACS Number(s) | 65.60.+a, 65.80.+n |
| Ключові слова | Графен (35) , Силіконова термопаста, Тепловий матеріал інтерфейсу, Теплопровідність (10) . |
| Анотація |
Ми повідомляємо про ефективний шлях до підвищення теплопровідності силіконової термопасти без погіршення її сумісності за рахунок використання високої теплопровідності та механічної гнучкості/пластичності графенових матеріалів. Силіконові термопасти, що містять графенові нанопластинки (ГНП), готувалися із застосуванням високоенергетичного помелу в кульовому млині. Зображення СЕМ показали, що ГНП були добре дисперговані у базовій термопасті. Досліджена теплопровідність термопасти. Отримані результати показали, що ГНП ефективні для підвищення теплопровідності термопаст. Найвище підвищення теплопровідності до 59 % було отримано для термопасти, що містить 0,75 об. % ГНП. Таке підвищення можна віднести до високої теплопровідності ГНП, хорошої сумісності та рівномірного диспергування ГНП у термопасті. Теплопровідність термопасти з більш високою концентрацією ГНП 1 об. % зменшувалася за рахунок утворення кластерів ГНП. Використовуючи модель Чу з підбором міжфазної термостійкості (Rk), ми виявили, що підвищення теплопровідності термопасти стосується термостійкості Rk між ГНП та матрицею термопасти. Найкращий спосіб поліпшити теплопровідність термопасти – це зменшити Rk. Отримані результати продемонстрували переваги ГНП в термопастах для розсіювання тепла в електронних пристроях високої потужності. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Перенесення тепла в одновимірному димерному ланцюгу [05001-1-05001-5]2) Вплив обробки у водневій плазмі тліючого розряду на шари оксиду цинку, виготовлені імпульсним електрохімічним осадженням і методом SILAR [05002-1-05002-7]
3) Фундаментальне дослідження властивостей квазімонокристалічного кремнію після хімічної обробки: порівняння з монокристалічним та багатокристалічним кремнієм [05003-1-05003-5]
4) Структурні та п'єзоелектричні властивості BSb під високим тиском: дослідження DFT [05004-1-05004-4]
5) Аналітична оцінка струму рекомбінації різкого асиметричного p-n переходу [05005-1-05005-8]
6) Зростання тонкої плівки паладію, нанесеної на струмові електроди з нержавіючої сталі вологим хімічним методом для суперконденсатора з активного вуглецю, та її електрохімічні властивості [05006-1-05006-5]
7) Вплив морфології поруватого шару GaAs на параметри контакту Шотткі паладій / поруватий GaAs [05007-1-05007-5]
8) Оцінка та вилучення електричних параметрів різних фотоелектричних моделей за допомогою ітераційних методів [05008-1-05008-7]
9) Вплив збільшення концентрацій при отриманні тонкої плівки Cu2ZnSnS4 [05009-1-05009-5]
10) Високовакуумний насос орбітронного типу: електрофізичні принципи роботи та особливості конструкції [05010-1-05010-7]
11) Структурні, оптичні, морфологічні та теплові властивості наночастинок CuO, підготовлених методом золь-гелю [05011-1-05011-4]
12) Ефективність поки що найкращого алгоритму ABC порівняно з аналітичними методами для вилучення параметрів діода Шоткі [05012-1-05012-5]
13) Фізичні уявлення впливу внутрішнього магнітного поля на процеси в трибоконтакті текстурованих лункових поверхонь [05013-1-05013-5]
14) Щільність поверхневих станів в 3D топологічних ізоляторах у присутності магнітного поля з урахуванням гексагональних спотворень решітки [05014-1-05014-6]
15) Функціоналізовані вуглецеві нанотрубки на поруватому кремнії для сенсорних застосувань [05015-1-05015-4]
16) Електричні властивості нанокристалів поруватого кремнію в діелектричній матриці [05016-1-05016-5]
17) Синтез та характеристики тонких плівок ZnS, легованих Cu, осаджених методом центрифугування [05017-1-05017-6]
18) Моделювання сферичних металевих нанокластерів, що містять моновакансію [05018-1-05018-8]
19) Вплив дефектів на якість контактних систем для фотоелектричних перетворювачів [05019-1-05019-5]
20) Структура, електричні та корозійні властивості квазікристалічних тонких плівок Al–Cu–Fe–Sc [05020-1-05020-5]
21) Вимушена прецесія феромагнітної наночастинки зі скінченною анізотропією, зваженої в рідині: нелінійні аспекти [05021-1-05021-5]
22) Формування хвилі просторового заряду з широким частотним спектром в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ клістронного типу з гвинтовим електронним пучком [05022-1-05022-8]
23) Параметр Грюнайзена та явна частина узагальнюючої міри ангармонізму твердих розчинів системи Fe-Ni [05023-1-05023-4]
24) DFT-моделювання протонування молекул аміаку на поверхні кремнію р-типу [05024-1-05024-4]
25) Оптичні та електричні властивості пористого кремнію n-типу, отриманого методом електрохімічного травлення та дослідження впливу на нього γ-випромінювання [05025-1-05025-6]
26) Покращені оптичні та діелектричні властивості нанокомпозитів PANI/rGO для застосування в суперконденсаторах [05026-1-05026-5]
27) Вплив відхилення від стехіометрії на термоелектричні властивості полікристалів і тонких плівок Bi2Te3 в температурному інтервалі 77-300 K [05027-1-05027-6]
28) Формування та моделювання нанорозмірних рівнів самоорганізованих структур в некристалічних тонких плівках систем Ge-As-Te(S, Se) [05028-1-05028-8]
29) Фізика і технологія гетеросистем на основі плівок германію і германію з галієм [05029-1-05029-4]
30) Ефективні маси носіїв у виродженій зоні провідності:взаємодія особливостей густини електронних станів та намагніченості [05030-1-05030-6]
31) Вплив умов технології на формування центрів світіння у квантових точках CdS [05031-1-05031-4]
32) Електронні та магнітні властивості перовскітів RMO3 (M = Co, Fe): дослідження з перших принципів [05032-1-05032-5]
33) Використання адсорбованих органічних молекул як легуючих домішок для створення вбудованих латеральних p-n переходів у листі чорного фосфорену [05033-1-05033-5]
34) Модифікація поверхні нанокристалів ZnО:Mn, синтезованих кріохімічним методом [05034-1-05034-5]
35) Моделювання фотонних кристалів мікрохвильового діапазону з використанням матриць інтерференції [05035-1-05035-4]
36) Актуальні проблеми комп’ютерної параметричної ідентифікації ЯМР та ЯКР спектрів: огляд [05036-1-05036-10]
37) Триботехнічні властивості багатошарових покриттів (TiZr)N/(TiSi) N з нанометровою товщиною [05037-1-05037-4]
38) Електрохімічне дослідження нанокомпозитів оксид графену/оксид ітрію, легованих азотом [05038-1-05038-4]
39) Вплив розміру зерна на деформацію в наноплівці оксиду міді для застосувань у газовій сенсориці [05040-1-05040-4]
40) Вплив заміщення іонів нікелю на структуру і електричні властивості нанорозмірного літій-залізного фериту, отриманого методом золь-гель автогоріння [05041-1-05041-7]
41) Вплив концентрації rGO на теплову стійкість нанокомпозитів PANI/rGO [05042-1-05042-3]
42) Оптичні властивості квантових точок ZnSe в вуглецевих матрицях [05043-1-05043-3]
