Оцінка та вилучення електричних параметрів різних фотоелектричних моделей за допомогою ітераційних методів
| Автори | B. Benabdelkrim1,2 , A. Benatillah2 , T. Ghaitaoui2,3 |
| Приналежність |
1Department of Material Sciences, Institute of Science and Technology, University of Ahmed Draia, Adrar, Algeria 2Laboratory of Energy, Environment and Systems of Information (LEESI), University Ahmed Draia Adrar, Algeria 3Unité de Recherche en Energies Renouvelables en Milieu Saharien, URERMS, Centre de Développement des Energies Renouvelables, CDER, 01000, ADRAR, Algéria |
| Е-mail | benaekbouchra@gmail.com |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 5 |
| Дати | Одержано 04 квітня 2019; у відредагованій формі 20 жовтня 2019; опубліковано online 25 жовтня 2019 |
| Посилання | B. Benabdelkrim, A. Benatillah, T. Ghaitaoui, Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 5, 05008 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(5).05008 |
| PACS Number(s) | 88.40.hj |
| Ключові слова | PV модулі, Однодіодна модель (2) , Дводіодна модель, Криві продуктивності I-V, Вилучення параметрів (3) . |
| Анотація |
Фотоелектричний (PV) модуль зазвичай представлений еквівалентною схемою, параметри якої обчислюються за допомогою експериментальної вольт-амперної характеристики (I-V). Ці параметри мають вирішальне значення для прогнозування точної роботи PV модуля. Точне визначення цих параметрів залишається проблемою для дослідників, що призвело до диверсифікації в моделях та чисельних методах, які використовуються для їх обчислення. Ці параметри запропонованих сонячних PV модулей були розраховані за допомогою ефективної ітераційної методики. У цьому дослідженні використовуються дві математичні (одно- та дводіодні) моделі для вилучення невідомих параметрів у стандартних умовах тестування трьох різних типів технологій PV модулів (багатокристалічної, монокристалічної та тонкоплівкової). Проведено порівняльний аналіз цих моделей на основі моделювання MATLAB в різних кліматичних умовах та під впливом варіацій параметрів моделі. Отримані результати показали добре узгодження з результатами, отриманими експериментально, оскільки ці моделі відрізняються високою чутливістю і реагують на будь-які зміни кліматичних умов (температура, опромінення). |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Перенесення тепла в одновимірному димерному ланцюгу [05001-1-05001-5]2) Вплив обробки у водневій плазмі тліючого розряду на шари оксиду цинку, виготовлені імпульсним електрохімічним осадженням і методом SILAR [05002-1-05002-7]
3) Фундаментальне дослідження властивостей квазімонокристалічного кремнію після хімічної обробки: порівняння з монокристалічним та багатокристалічним кремнієм [05003-1-05003-5]
4) Структурні та п'єзоелектричні властивості BSb під високим тиском: дослідження DFT [05004-1-05004-4]
5) Аналітична оцінка струму рекомбінації різкого асиметричного p-n переходу [05005-1-05005-8]
6) Зростання тонкої плівки паладію, нанесеної на струмові електроди з нержавіючої сталі вологим хімічним методом для суперконденсатора з активного вуглецю, та її електрохімічні властивості [05006-1-05006-5]
7) Вплив морфології поруватого шару GaAs на параметри контакту Шотткі паладій / поруватий GaAs [05007-1-05007-5]
8) Вплив збільшення концентрацій при отриманні тонкої плівки Cu2ZnSnS4 [05009-1-05009-5]
9) Високовакуумний насос орбітронного типу: електрофізичні принципи роботи та особливості конструкції [05010-1-05010-7]
10) Структурні, оптичні, морфологічні та теплові властивості наночастинок CuO, підготовлених методом золь-гелю [05011-1-05011-4]
11) Ефективність поки що найкращого алгоритму ABC порівняно з аналітичними методами для вилучення параметрів діода Шоткі [05012-1-05012-5]
12) Фізичні уявлення впливу внутрішнього магнітного поля на процеси в трибоконтакті текстурованих лункових поверхонь [05013-1-05013-5]
13) Щільність поверхневих станів в 3D топологічних ізоляторах у присутності магнітного поля з урахуванням гексагональних спотворень решітки [05014-1-05014-6]
14) Функціоналізовані вуглецеві нанотрубки на поруватому кремнії для сенсорних застосувань [05015-1-05015-4]
15) Електричні властивості нанокристалів поруватого кремнію в діелектричній матриці [05016-1-05016-5]
16) Синтез та характеристики тонких плівок ZnS, легованих Cu, осаджених методом центрифугування [05017-1-05017-6]
17) Моделювання сферичних металевих нанокластерів, що містять моновакансію [05018-1-05018-8]
18) Вплив дефектів на якість контактних систем для фотоелектричних перетворювачів [05019-1-05019-5]
19) Структура, електричні та корозійні властивості квазікристалічних тонких плівок Al–Cu–Fe–Sc [05020-1-05020-5]
20) Вимушена прецесія феромагнітної наночастинки зі скінченною анізотропією, зваженої в рідині: нелінійні аспекти [05021-1-05021-5]
21) Формування хвилі просторового заряду з широким частотним спектром в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ клістронного типу з гвинтовим електронним пучком [05022-1-05022-8]
22) Параметр Грюнайзена та явна частина узагальнюючої міри ангармонізму твердих розчинів системи Fe-Ni [05023-1-05023-4]
23) DFT-моделювання протонування молекул аміаку на поверхні кремнію р-типу [05024-1-05024-4]
24) Оптичні та електричні властивості пористого кремнію n-типу, отриманого методом електрохімічного травлення та дослідження впливу на нього γ-випромінювання [05025-1-05025-6]
25) Покращені оптичні та діелектричні властивості нанокомпозитів PANI/rGO для застосування в суперконденсаторах [05026-1-05026-5]
26) Вплив відхилення від стехіометрії на термоелектричні властивості полікристалів і тонких плівок Bi2Te3 в температурному інтервалі 77-300 K [05027-1-05027-6]
27) Формування та моделювання нанорозмірних рівнів самоорганізованих структур в некристалічних тонких плівках систем Ge-As-Te(S, Se) [05028-1-05028-8]
28) Фізика і технологія гетеросистем на основі плівок германію і германію з галієм [05029-1-05029-4]
29) Ефективні маси носіїв у виродженій зоні провідності:взаємодія особливостей густини електронних станів та намагніченості [05030-1-05030-6]
30) Вплив умов технології на формування центрів світіння у квантових точках CdS [05031-1-05031-4]
31) Електронні та магнітні властивості перовскітів RMO3 (M = Co, Fe): дослідження з перших принципів [05032-1-05032-5]
32) Використання адсорбованих органічних молекул як легуючих домішок для створення вбудованих латеральних p-n переходів у листі чорного фосфорену [05033-1-05033-5]
33) Модифікація поверхні нанокристалів ZnО:Mn, синтезованих кріохімічним методом [05034-1-05034-5]
34) Моделювання фотонних кристалів мікрохвильового діапазону з використанням матриць інтерференції [05035-1-05035-4]
35) Актуальні проблеми комп’ютерної параметричної ідентифікації ЯМР та ЯКР спектрів: огляд [05036-1-05036-10]
36) Триботехнічні властивості багатошарових покриттів (TiZr)N/(TiSi) N з нанометровою товщиною [05037-1-05037-4]
37) Електрохімічне дослідження нанокомпозитів оксид графену/оксид ітрію, легованих азотом [05038-1-05038-4]
38) Вплив концентрації графенових нанопластинок на теплопровідність силіконової термопасти [05039-1-05039-4]
39) Вплив розміру зерна на деформацію в наноплівці оксиду міді для застосувань у газовій сенсориці [05040-1-05040-4]
40) Вплив заміщення іонів нікелю на структуру і електричні властивості нанорозмірного літій-залізного фериту, отриманого методом золь-гель автогоріння [05041-1-05041-7]
41) Вплив концентрації rGO на теплову стійкість нанокомпозитів PANI/rGO [05042-1-05042-3]
42) Оптичні властивості квантових точок ZnSe в вуглецевих матрицях [05043-1-05043-3]
