Перенесення тепла в одновимірному димерному ланцюгу
| Автори | Tarika K. Patel, P.N. Gajjar |
| Афіліація |
Department of Physics, University School of Sciences, Gujarat University, Ahmedabad 380009, Gujarat, India |
| Е-mail | tarikapatel1987@gmail.com |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 5 |
| Дати | Одержано 27 квітня 2019; у відредагованій формі 24 жовтня 2019; опубліковано online 25 жовтня 2019 |
| Цитування | Tarika K. Patel, P.N. Gajjar, Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 5, 05001 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(5).05001 |
| PACS Number(s) | 44.10.+i, 66.70.+f, 63.20.Ry, 02.70.–c, 05.10.Gg |
| Ключові слова | Теплопровідність (12) , Термічний опір інтерфейсу, Димерний ланцюг, Термоелектричні матеріали (3) . |
| Анотація |
Явище перенесення тепла через одновимірний димерний ланцюг є важливим для розвитку нового покоління дрібномасштабних теплових приладів. Теплопровідність в одновимірній дво-компонентній структурі (подібної до димеру) вивчається за допомогою моделювання нерівноважної молекулярної динаміки. У цьому дослідженні розглядаються такі димери як AB….BA та BA….AB. В структурі ми взяли усього 11 шарів, і кожен шар має 20 осциляторів. Загальна кількість осциляторів цілого ланцюга становить N = 220. Крайні кінці димерного ланцюга з'єднані з тепловою ванною Ланжевена, щоб підтримувати постійну температуру на обох кінцях. Потенціал FPU-β використовується для обчислення міжмолекулярного потенціалу з β = 1. Температурний профіль, тепловий потік і теплопровідність вивчаються як функції маси осцилятора MB (0,1; 0,2 … 0,8; 0,9) у шарі B. Маса кожного осцилятора у шарі А зберігається постійною і рівною MA = 1.0, де MB < MA. Градієнт температури та термічний опір на кожному інтерфейсі розраховуються для обох димерних структур. Збільшення маси осцилятора шару В призводить до збільшення теплового потоку та теплопровідності структур. Виявлено, що ABABABABABA є більш теплопровідною структурою, ніж структура BABABABABAB. Таким чином, димер ABABABABABA є кращим теплопровідником, тоді як димер BABABABABAB є кращим термоелектричним матеріалом. |
|
Перелік цитувань |
Інші статті цього номера
1) Вплив обробки у водневій плазмі тліючого розряду на шари оксиду цинку, виготовлені імпульсним електрохімічним осадженням і методом SILAR [05002-1-05002-7]2) Фундаментальне дослідження властивостей квазімонокристалічного кремнію після хімічної обробки: порівняння з монокристалічним та багатокристалічним кремнієм [05003-1-05003-5]
3) Структурні та п'єзоелектричні властивості BSb під високим тиском: дослідження DFT [05004-1-05004-4]
4) Аналітична оцінка струму рекомбінації різкого асиметричного p-n переходу [05005-1-05005-8]
5) Зростання тонкої плівки паладію, нанесеної на струмові електроди з нержавіючої сталі вологим хімічним методом для суперконденсатора з активного вуглецю, та її електрохімічні властивості [05006-1-05006-5]
6) Вплив морфології поруватого шару GaAs на параметри контакту Шотткі паладій / поруватий GaAs [05007-1-05007-5]
7) Оцінка та вилучення електричних параметрів різних фотоелектричних моделей за допомогою ітераційних методів [05008-1-05008-7]
8) Вплив збільшення концентрацій при отриманні тонкої плівки Cu2ZnSnS4 [05009-1-05009-5]
9) Високовакуумний насос орбітронного типу: електрофізичні принципи роботи та особливості конструкції [05010-1-05010-7]
10) Структурні, оптичні, морфологічні та теплові властивості наночастинок CuO, підготовлених методом золь-гелю [05011-1-05011-4]
11) Ефективність поки що найкращого алгоритму ABC порівняно з аналітичними методами для вилучення параметрів діода Шоткі [05012-1-05012-5]
12) Фізичні уявлення впливу внутрішнього магнітного поля на процеси в трибоконтакті текстурованих лункових поверхонь [05013-1-05013-5]
13) Щільність поверхневих станів в 3D топологічних ізоляторах у присутності магнітного поля з урахуванням гексагональних спотворень решітки [05014-1-05014-6]
14) Функціоналізовані вуглецеві нанотрубки на поруватому кремнії для сенсорних застосувань [05015-1-05015-4]
15) Електричні властивості нанокристалів поруватого кремнію в діелектричній матриці [05016-1-05016-5]
16) Синтез та характеристики тонких плівок ZnS, легованих Cu, осаджених методом центрифугування [05017-1-05017-6]
17) Моделювання сферичних металевих нанокластерів, що містять моновакансію [05018-1-05018-8]
18) Вплив дефектів на якість контактних систем для фотоелектричних перетворювачів [05019-1-05019-5]
19) Структура, електричні та корозійні властивості квазікристалічних тонких плівок Al–Cu–Fe–Sc [05020-1-05020-5]
20) Вимушена прецесія феромагнітної наночастинки зі скінченною анізотропією, зваженої в рідині: нелінійні аспекти [05021-1-05021-5]
21) Формування хвилі просторового заряду з широким частотним спектром в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ клістронного типу з гвинтовим електронним пучком [05022-1-05022-8]
22) Параметр Грюнайзена та явна частина узагальнюючої міри ангармонізму твердих розчинів системи Fe-Ni [05023-1-05023-4]
23) DFT-моделювання протонування молекул аміаку на поверхні кремнію р-типу [05024-1-05024-4]
24) Оптичні та електричні властивості пористого кремнію n-типу, отриманого методом електрохімічного травлення та дослідження впливу на нього γ-випромінювання [05025-1-05025-6]
25) Покращені оптичні та діелектричні властивості нанокомпозитів PANI/rGO для застосування в суперконденсаторах [05026-1-05026-5]
26) Вплив відхилення від стехіометрії на термоелектричні властивості полікристалів і тонких плівок Bi2Te3 в температурному інтервалі 77-300 K [05027-1-05027-6]
27) Формування та моделювання нанорозмірних рівнів самоорганізованих структур в некристалічних тонких плівках систем Ge-As-Te(S, Se) [05028-1-05028-8]
28) Фізика і технологія гетеросистем на основі плівок германію і германію з галієм [05029-1-05029-4]
29) Ефективні маси носіїв у виродженій зоні провідності:взаємодія особливостей густини електронних станів та намагніченості [05030-1-05030-6]
30) Вплив умов технології на формування центрів світіння у квантових точках CdS [05031-1-05031-4]
31) Електронні та магнітні властивості перовскітів RMO3 (M = Co, Fe): дослідження з перших принципів [05032-1-05032-5]
32) Використання адсорбованих органічних молекул як легуючих домішок для створення вбудованих латеральних p-n переходів у листі чорного фосфорену [05033-1-05033-5]
33) Модифікація поверхні нанокристалів ZnО:Mn, синтезованих кріохімічним методом [05034-1-05034-5]
34) Моделювання фотонних кристалів мікрохвильового діапазону з використанням матриць інтерференції [05035-1-05035-4]
35) Актуальні проблеми комп’ютерної параметричної ідентифікації ЯМР та ЯКР спектрів: огляд [05036-1-05036-10]
36) Триботехнічні властивості багатошарових покриттів (TiZr)N/(TiSi) N з нанометровою товщиною [05037-1-05037-4]
37) Електрохімічне дослідження нанокомпозитів оксид графену/оксид ітрію, легованих азотом [05038-1-05038-4]
38) Вплив концентрації графенових нанопластинок на теплопровідність силіконової термопасти [05039-1-05039-4]
39) Вплив розміру зерна на деформацію в наноплівці оксиду міді для застосувань у газовій сенсориці [05040-1-05040-4]
40) Вплив заміщення іонів нікелю на структуру і електричні властивості нанорозмірного літій-залізного фериту, отриманого методом золь-гель автогоріння [05041-1-05041-7]
41) Вплив концентрації rGO на теплову стійкість нанокомпозитів PANI/rGO [05042-1-05042-3]
42) Оптичні властивості квантових точок ZnSe в вуглецевих матрицях [05043-1-05043-3]
