Аналітична оцінка струму рекомбінації різкого асиметричного p-n переходу
| Автори | О.Б. Галат , О.Л. Донченко |
| Приналежність |
Харківський національний університет радіоелектроніки, пр. Науки, 14, 61166 Харків, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 5 |
| Дати | Одержано 24 травня 2019; у відредагованій формі 21 жовтня 2019; опубліковано online 25 жовтня 2019 |
| Посилання | О.Б. Галат, О.Л. Донченко, Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 5, 05005 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(5).05005 |
| PACS Number(s) | 73.40.Lq |
| Ключові слова | Рекомбінація через пастки, Струм рекомбінації, Коефіцієнт ідеальності (7) , Диференційний коефіцієнт ідеальності, Фотоперетворювач (4) , Похибка розрахунку. |
| Анотація |
При моделюванні асиметричного p-n переходу високолегована область в наближенні малих струмів не впливає на розподіл носіїв в низьколегованої області, в якій зосереджений весь об'ємний заряд. У даній роботі проведена аналітична оцінка струму рекомбінації через пастки в області просторового заряду і в квазинейтральной області. Для отримання аналітичного уявлення застосовується наближення лінійності розподілу потенціалу в околиці перетину максимальної рекомбінації. Запропоновано методику аналітичної оцінки інтеграла питомої об'ємної швидкості рекомбінації по області просторового заряду, що не береться через елементарні функції. Підтверджено можливість підвищення точності аналітичної оцінки рекомбінаційного струму через пастки в області просторового заряду. Визначено диференційний коефіцієнт ідеальності і проаналізована його динаміка в залежності від напруги на переході. Виконано порівняльний аналіз наступних оцінок струму рекомбінації: струм рекомбінації в області просторового заряду за елементарної оцінки, дифузний струм з низьколегованої квазинейтральной області, струм рекомбінації через пастки в квазинейтральной області, струм у разі лінійної апроксимації потенціалу в області максимальної рекомбінації через аналітичний інтеграл, реальний струм рекомбінації. Наведено аналіз похибки розрахунку струму рекомбінації від рівня легування слаболегірованних області і прикладеної напруги. З наведених даних видно, що оцінка похибки розрахунку струму через аналітичний інтеграл не перевищує 10 % що цілком достатньо для її застосування при моделюванні струму рекомбінації більшості силових напівпровідникових приладів. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Перенесення тепла в одновимірному димерному ланцюгу [05001-1-05001-5]2) Вплив обробки у водневій плазмі тліючого розряду на шари оксиду цинку, виготовлені імпульсним електрохімічним осадженням і методом SILAR [05002-1-05002-7]
3) Фундаментальне дослідження властивостей квазімонокристалічного кремнію після хімічної обробки: порівняння з монокристалічним та багатокристалічним кремнієм [05003-1-05003-5]
4) Структурні та п'єзоелектричні властивості BSb під високим тиском: дослідження DFT [05004-1-05004-4]
5) Зростання тонкої плівки паладію, нанесеної на струмові електроди з нержавіючої сталі вологим хімічним методом для суперконденсатора з активного вуглецю, та її електрохімічні властивості [05006-1-05006-5]
6) Вплив морфології поруватого шару GaAs на параметри контакту Шотткі паладій / поруватий GaAs [05007-1-05007-5]
7) Оцінка та вилучення електричних параметрів різних фотоелектричних моделей за допомогою ітераційних методів [05008-1-05008-7]
8) Вплив збільшення концентрацій при отриманні тонкої плівки Cu2ZnSnS4 [05009-1-05009-5]
9) Високовакуумний насос орбітронного типу: електрофізичні принципи роботи та особливості конструкції [05010-1-05010-7]
10) Структурні, оптичні, морфологічні та теплові властивості наночастинок CuO, підготовлених методом золь-гелю [05011-1-05011-4]
11) Ефективність поки що найкращого алгоритму ABC порівняно з аналітичними методами для вилучення параметрів діода Шоткі [05012-1-05012-5]
12) Фізичні уявлення впливу внутрішнього магнітного поля на процеси в трибоконтакті текстурованих лункових поверхонь [05013-1-05013-5]
13) Щільність поверхневих станів в 3D топологічних ізоляторах у присутності магнітного поля з урахуванням гексагональних спотворень решітки [05014-1-05014-6]
14) Функціоналізовані вуглецеві нанотрубки на поруватому кремнії для сенсорних застосувань [05015-1-05015-4]
15) Електричні властивості нанокристалів поруватого кремнію в діелектричній матриці [05016-1-05016-5]
16) Синтез та характеристики тонких плівок ZnS, легованих Cu, осаджених методом центрифугування [05017-1-05017-6]
17) Моделювання сферичних металевих нанокластерів, що містять моновакансію [05018-1-05018-8]
18) Вплив дефектів на якість контактних систем для фотоелектричних перетворювачів [05019-1-05019-5]
19) Структура, електричні та корозійні властивості квазікристалічних тонких плівок Al–Cu–Fe–Sc [05020-1-05020-5]
20) Вимушена прецесія феромагнітної наночастинки зі скінченною анізотропією, зваженої в рідині: нелінійні аспекти [05021-1-05021-5]
21) Формування хвилі просторового заряду з широким частотним спектром в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ клістронного типу з гвинтовим електронним пучком [05022-1-05022-8]
22) Параметр Грюнайзена та явна частина узагальнюючої міри ангармонізму твердих розчинів системи Fe-Ni [05023-1-05023-4]
23) DFT-моделювання протонування молекул аміаку на поверхні кремнію р-типу [05024-1-05024-4]
24) Оптичні та електричні властивості пористого кремнію n-типу, отриманого методом електрохімічного травлення та дослідження впливу на нього γ-випромінювання [05025-1-05025-6]
25) Покращені оптичні та діелектричні властивості нанокомпозитів PANI/rGO для застосування в суперконденсаторах [05026-1-05026-5]
26) Вплив відхилення від стехіометрії на термоелектричні властивості полікристалів і тонких плівок Bi2Te3 в температурному інтервалі 77-300 K [05027-1-05027-6]
27) Формування та моделювання нанорозмірних рівнів самоорганізованих структур в некристалічних тонких плівках систем Ge-As-Te(S, Se) [05028-1-05028-8]
28) Фізика і технологія гетеросистем на основі плівок германію і германію з галієм [05029-1-05029-4]
29) Ефективні маси носіїв у виродженій зоні провідності:взаємодія особливостей густини електронних станів та намагніченості [05030-1-05030-6]
30) Вплив умов технології на формування центрів світіння у квантових точках CdS [05031-1-05031-4]
31) Електронні та магнітні властивості перовскітів RMO3 (M = Co, Fe): дослідження з перших принципів [05032-1-05032-5]
32) Використання адсорбованих органічних молекул як легуючих домішок для створення вбудованих латеральних p-n переходів у листі чорного фосфорену [05033-1-05033-5]
33) Модифікація поверхні нанокристалів ZnО:Mn, синтезованих кріохімічним методом [05034-1-05034-5]
34) Моделювання фотонних кристалів мікрохвильового діапазону з використанням матриць інтерференції [05035-1-05035-4]
35) Актуальні проблеми комп’ютерної параметричної ідентифікації ЯМР та ЯКР спектрів: огляд [05036-1-05036-10]
36) Триботехнічні властивості багатошарових покриттів (TiZr)N/(TiSi) N з нанометровою товщиною [05037-1-05037-4]
37) Електрохімічне дослідження нанокомпозитів оксид графену/оксид ітрію, легованих азотом [05038-1-05038-4]
38) Вплив концентрації графенових нанопластинок на теплопровідність силіконової термопасти [05039-1-05039-4]
39) Вплив розміру зерна на деформацію в наноплівці оксиду міді для застосувань у газовій сенсориці [05040-1-05040-4]
40) Вплив заміщення іонів нікелю на структуру і електричні властивості нанорозмірного літій-залізного фериту, отриманого методом золь-гель автогоріння [05041-1-05041-7]
41) Вплив концентрації rGO на теплову стійкість нанокомпозитів PANI/rGO [05042-1-05042-3]
42) Оптичні властивості квантових точок ZnSe в вуглецевих матрицях [05043-1-05043-3]
