Метод вимірювання діелектричної проникності та тангенса діелектричних втрат мікропорошків в широкому діапазоні частот
| Автори | А.О. Думік1, О.А. Каленюк1,2, В.О. Москалюк1,2, А.П. Шаповалов1,2, С.І. Футимський1, О.Г. Турутанов3, В.Ю. Ляхно3 |
| Приналежність |
1Інститут металофізики імені Г.В. Курдюмова НАН України, бульвар Акад. Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна 2Київський академічний університет, бульвар Акад. Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна 3Фізико-технічний інститут низьких температур імені Б.І. Вєркіна НАН України, проспект Науки, 47, 61103 Харків, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Дати | Одержано 08 лютого 2022; у відредагованій формі 19 квітня 2022; опубліковано online 29 квітня 2022 |
| Посилання | А.О. Думік, О.А. Каленюк, В.О. Москалюк, et al., Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 2, 02006 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02006 |
| PACS Number(s) | 41.20.Jb, 84.40. – x, 84.30.Vn, 61.43.Gt |
| Ключові слова | Коаксіальна лінія, Мікропорошки, Діелектрична проникність (16) , Тангенс кута діелектричних втрат (3) , Змі-на фази, Оксид графену (2) . |
| Анотація |
Діелектричні та магнітні мікропорошки знайшли своє призначення у широкому спектрі науково-технічних задач. Наприклад, мікропорошки застосовують як основу поглинаючих мікрохвильових покриттів для зменшення відбиття хвилі в антирадарних системах. У надсучасних квантових обчислювальних схемах і детекторах з наднизьким рівнем шуму, мікропорошки використовуються як наповнювачі коаксіальних термоблокуючих фільтрів. Такі фільтри вкрай необхідні для забезпечення шумової ізоляції глибоко охолоджених пристроїв від вимірювальної апаратури, яка знаходиться при кімнатній температурі. Для розрахунків пристроїв на основі мікропорошків необхідно отримати їх діелектричні та магнітні характеристики. Для цього на низьких частотах використовують конденсаторні або індуктивні методи, а на мікрохвильових частотах – хвилеводні методи. В роботі запропоновано метод визначення діелектричних та магнітних характеристик мікропорошків для покриття проміжного діапазону метрових та сантиметрових довжин хвиль. Метод базується на вимірюванні частотних залежностей втрат та зміни фази сигналу, що проходить скрізь відрізок коаксіальної лінії передачі з мікропорошковим наповненням. З використанням запропонованого метода проведені дослідження мікропорошків з оксиду графену, графіту та карбонільного заліза та знайдені значення їх діелектричних/магнітних проникностей та тангенсів втрат в діапазоні частот 300 кГц – 26.5 ГГц. Приведено структурний аналіз форми та розмірів зерен мікропорошків. Зроблені розрахунки визначення достовірного частотного діапазону для вимірювання діелектричних/магнітних параметрів досліджених мікропорошків, та проведено оцінку чутливості запропонованої методики. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив загартування на механічні властивості монокристала In2Se2.7Sb0.3 [02001-1-02001-3]2) Електрохімічна поведінка чистих ефективних електродів Mn2O3, отриманих за недорогою технікою потенціостатичного електроосадження [02002-1-02002-6]
3) Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET [02003-1-02003-5]
4) Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET [02004-1-02004-4]
5) Кімнатне та високотемпературне дослідження рідкісноземельних халькогенідів [02005-1-02005-5]
6) Вплив зсуву зони провідності на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs [02007-1-02007-5]
7) Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти [02008-1-02008-4]
8) Високоселективна поведінка фотодетектора з гомопереходом на основі тонкоплівкового ZnO для УФ-зондування [02009-1-02009-7]
9) Ефект зміни каналу для довгоканального GaAs GAA транзистора без переходів [02010-1-02010-5]
10) Швидкий вологий хімічний синтез наночастинок оксиду міді (Cu2O): вплив концентрації прекурсора [02011-1-02011-5]
11) Чисельне дослідження температурної залежності тонкоплівкового сонячного елемента на основі CZTS [02012-1-02012-6]
12) Оптична провідність сферичної металевої наночастинки з урахуванням розмірної залежності енергії Фермі [02013-1-02013-6]
13) Вплив включення сірки на структурні, оптичні та електричні властивості хімічно осаджених тонких плівок ZnSe [02014-1-02014-5]
14) Мініатюрний порожнинний фільтр EBG, заповнений глиноземом 96 % для додатків V-діапазону [02015-1-02015-4]
15) Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв [02016-1-02016-5]
16) Електричні властивості наносинтезованого електролітного матеріалу PGDC [02017-1-02017-4]
17) Порівняння характеристик термостимульованої люмінесценції наноструктур CdS, отриманих зеленим синтезом та хімічним методом [02018-1-02018-6]
18) Оптичні властивості тонкої плівки TiO2: нанесення покриттів методом занурення [02019-1-02019-3]
19) Дослідження параметра Грюнайзена ZnO при високих тисках [02020-1-02020-4]
20) Вплив добавки на властивості покриття Ni-Fe [02021-1-02021-4]
21) Мініатюрна фрактальна антена з розширеною пропускною здатністю з використанням фракталів Джузеппе Пеано та килима Серпінського для UWB та супутникових додатків [02022-1-02022-5]
22) Порівняльне теоретичне дослідження оксидів ZnO та BeO з точки зору електронних властивостей [02023-1-02023-3]
23) Мікросмужкова патч-антена з RR у формі квадрата для додатків діапазону ISM [02024-1-02024-4]
24) Характеристика шпинелі алюмінатів магнію/барію, синтезованих золь-гель методом автогоріння [02025-1-02025-5]
25) Вплив осадження субмоношарових покриттів Cs на щільність електронних станів та параметри енергетичної зони CoSi2/Si(111) [02026-1-02026-4]
26) Thermal Properties of EuO, DyO and GdO Compounds [02027-1-02027-4]
27) Моделювання та реалізація n-канального польового транзистора з подвійним затвором та тришаровою системою каналів із спроектованою деформацією для збагаченого струму стоку [02028-1-02028-5]
28) Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB [02029-1-02029-4]
29) Corrigendum to the Manuscript Entitled “Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide” [J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04061 (2013)] [02030-1-02030-1]
