Швидкий вологий хімічний синтез наночастинок оксиду міді (Cu2O): вплив концентрації прекурсора
| Автори | Sachin S. Sawant , Chandrashekhar M. Mahajan |
| Приналежність |
Department of Engineering Sciences and Humanities, Vishwakarma Institute of Technology, Pune – 411037, Maharashtra, India |
| Е-mail | c_mahajan9@yahoo.com |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Дати | Одержано 16 лютого 2022; у відредагованій формі 18 квітня 2022; опубліковано online 29 квітня 2022 |
| Посилання | Sachin S. Sawant, Chandrashekhar M. Mahajan, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 2, 02011 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02011 |
| PACS Number(s) | 61.05.Cp, 61.46.Df, 68.37.Ma, 78.40.Kc |
| Ключові слова | Оксид міді (3) , Наночастинки (71) , Структурні властивості (10) , Оптичні властивості (26) , FTIR аналіз. |
| Анотація |
Швидкий синтез наночастинок Cu2O проводили методом вологого хімічного синтезу. В роботі йдеться про вплив молярної концентрації прекурсора CuSO4 (0,05-0,15 моль) на структурні, морфологічні та оптичні властивості наночастинок Cu2O. Рентгенодифракційний аналіз синтезованого порошку Cu2O демонструє кубічну структуру з нанокристалічною природою. Середній розмір кристалітів наночастинок Cu2O збільшується від 10 до 25 нм із збільшенням молярності прекурсора. Аналіз скануючою електронною мікроскопією (SEM) показує утворення нанокристалічного Cu2O зі збільшеним розміром частинок через збільшення молярності. FTIR спектроскопічний аналіз встановлює наявність характерних функціональних груп у Cu2O. Спектри UV-Vis показують характерний пік поглинання близько 485 нм, який відноситься до Cu2O. Вимірювання енергетичної ширини забороненої зони з графіка Тауца виявляють її зменшення зі збільшенням молярності прекурсора внаслідок збільшення розміру зерна. Енергетична ширина забороненої зони зменшується з 2,94 до 2,64 еВ за рахунок збільшення розміру зерна в основному через квантового розмірний ефект. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив загартування на механічні властивості монокристала In2Se2.7Sb0.3 [02001-1-02001-3]2) Електрохімічна поведінка чистих ефективних електродів Mn2O3, отриманих за недорогою технікою потенціостатичного електроосадження [02002-1-02002-6]
3) Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET [02003-1-02003-5]
4) Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET [02004-1-02004-4]
5) Кімнатне та високотемпературне дослідження рідкісноземельних халькогенідів [02005-1-02005-5]
6) Метод вимірювання діелектричної проникності та тангенса діелектричних втрат мікропорошків в широкому діапазоні частот [02006-1-02006-6]
7) Вплив зсуву зони провідності на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs [02007-1-02007-5]
8) Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти [02008-1-02008-4]
9) Високоселективна поведінка фотодетектора з гомопереходом на основі тонкоплівкового ZnO для УФ-зондування [02009-1-02009-7]
10) Ефект зміни каналу для довгоканального GaAs GAA транзистора без переходів [02010-1-02010-5]
11) Чисельне дослідження температурної залежності тонкоплівкового сонячного елемента на основі CZTS [02012-1-02012-6]
12) Оптична провідність сферичної металевої наночастинки з урахуванням розмірної залежності енергії Фермі [02013-1-02013-6]
13) Вплив включення сірки на структурні, оптичні та електричні властивості хімічно осаджених тонких плівок ZnSe [02014-1-02014-5]
14) Мініатюрний порожнинний фільтр EBG, заповнений глиноземом 96 % для додатків V-діапазону [02015-1-02015-4]
15) Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв [02016-1-02016-5]
16) Електричні властивості наносинтезованого електролітного матеріалу PGDC [02017-1-02017-4]
17) Порівняння характеристик термостимульованої люмінесценції наноструктур CdS, отриманих зеленим синтезом та хімічним методом [02018-1-02018-6]
18) Оптичні властивості тонкої плівки TiO2: нанесення покриттів методом занурення [02019-1-02019-3]
19) Дослідження параметра Грюнайзена ZnO при високих тисках [02020-1-02020-4]
20) Вплив добавки на властивості покриття Ni-Fe [02021-1-02021-4]
21) Мініатюрна фрактальна антена з розширеною пропускною здатністю з використанням фракталів Джузеппе Пеано та килима Серпінського для UWB та супутникових додатків [02022-1-02022-5]
22) Порівняльне теоретичне дослідження оксидів ZnO та BeO з точки зору електронних властивостей [02023-1-02023-3]
23) Мікросмужкова патч-антена з RR у формі квадрата для додатків діапазону ISM [02024-1-02024-4]
24) Характеристика шпинелі алюмінатів магнію/барію, синтезованих золь-гель методом автогоріння [02025-1-02025-5]
25) Вплив осадження субмоношарових покриттів Cs на щільність електронних станів та параметри енергетичної зони CoSi2/Si(111) [02026-1-02026-4]
26) Thermal Properties of EuO, DyO and GdO Compounds [02027-1-02027-4]
27) Моделювання та реалізація n-канального польового транзистора з подвійним затвором та тришаровою системою каналів із спроектованою деформацією для збагаченого струму стоку [02028-1-02028-5]
28) Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB [02029-1-02029-4]
29) Corrigendum to the Manuscript Entitled “Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide” [J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04061 (2013)] [02030-1-02030-1]
