Оптичні властивості тонкої плівки TiO2: нанесення покриттів методом занурення
| Автори | Joginder Singh1,2, Astha Singh2, Kuldeep Kumar3, Kundan Kumar4, R.A. Zargar5 |
| Приналежність |
1Department of Physics, GDC-Nowshera, 185234 Rajouri, India 2Department of Physics, JJT University, 333001 Rajasthan, India 3Department of Physics, 181201 GDC Akhnoor, India 4Department of Physics, Ranchi University, 834008 Ranchi, India 5Department of Physics, Baba Ghulam Shah Bdshah University, 185234 Rajouri, India |
| Е-mail | rayeesphy12@gmail.com |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Дати | Одержано 17 грудня 2021; у відредагованій формі 27 квітня 2022; опубліковано online 29 квітня 2022 |
| Посилання | Joginder Singh, Astha Singh, Kuldeep Kumar, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 2, 02019 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02019 |
| PACS Number(s) | 42.62.Fi, 61.46. – W, 77.22. – d |
| Ключові слова | Оптоелектроніка (2) , Покриття зануренням (4) , Тонка плівка (23) , TiO2 (17) , Заборонена зона (19) . |
| Анотація |
Тонкі плівки діоксиду титану (TiO2) знайшли широке застосування. Виготовлені плівки мають різну структуру, що може призвести до додаткових або покращених властивостей. Мета даної роботи полягала у виготовленні та вивченні оптичних характеристик тонких плівок TiO2, отриманих зануренням у золь-гель. TiO2 є добре відомим напівпровідником з можливістю застосування в оптоелектроніці, наприклад, в сонячних елементах, світлодіодах, рідкокристалічних дисплеях, тощо. Різні оптичні параметри, такі як показник заломлення, коефіцієнт екстинкції, заборонена зона та оптична провідність, були розраховані за різними формулами залежно від довжини хвилі в УФ та видимій областях. Встановлено, що прямий перехід забороненої зони складає 3,34 еВ, тоді як показник заломлення та коефіцієнт екстинкції змінюються в УФ-видимому діапазоні. Тонка плівка TiO2 демонструє коливальні моди Ti–O–Ti з ІЧ-спектрів. Дана дослідницька робота допоможе нам знайти найкращу технологію покриття тонких плівок для конструювання оптоелектронних пристроїв. Такі оптичні властивості допомагають оптимізувати найкраще співвідношення матеріал/властивість для перспективних пристроїв. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив загартування на механічні властивості монокристала In2Se2.7Sb0.3 [02001-1-02001-3]2) Електрохімічна поведінка чистих ефективних електродів Mn2O3, отриманих за недорогою технікою потенціостатичного електроосадження [02002-1-02002-6]
3) Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET [02003-1-02003-5]
4) Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET [02004-1-02004-4]
5) Кімнатне та високотемпературне дослідження рідкісноземельних халькогенідів [02005-1-02005-5]
6) Метод вимірювання діелектричної проникності та тангенса діелектричних втрат мікропорошків в широкому діапазоні частот [02006-1-02006-6]
7) Вплив зсуву зони провідності на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs [02007-1-02007-5]
8) Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти [02008-1-02008-4]
9) Високоселективна поведінка фотодетектора з гомопереходом на основі тонкоплівкового ZnO для УФ-зондування [02009-1-02009-7]
10) Ефект зміни каналу для довгоканального GaAs GAA транзистора без переходів [02010-1-02010-5]
11) Швидкий вологий хімічний синтез наночастинок оксиду міді (Cu2O): вплив концентрації прекурсора [02011-1-02011-5]
12) Чисельне дослідження температурної залежності тонкоплівкового сонячного елемента на основі CZTS [02012-1-02012-6]
13) Оптична провідність сферичної металевої наночастинки з урахуванням розмірної залежності енергії Фермі [02013-1-02013-6]
14) Вплив включення сірки на структурні, оптичні та електричні властивості хімічно осаджених тонких плівок ZnSe [02014-1-02014-5]
15) Мініатюрний порожнинний фільтр EBG, заповнений глиноземом 96 % для додатків V-діапазону [02015-1-02015-4]
16) Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв [02016-1-02016-5]
17) Електричні властивості наносинтезованого електролітного матеріалу PGDC [02017-1-02017-4]
18) Порівняння характеристик термостимульованої люмінесценції наноструктур CdS, отриманих зеленим синтезом та хімічним методом [02018-1-02018-6]
19) Дослідження параметра Грюнайзена ZnO при високих тисках [02020-1-02020-4]
20) Вплив добавки на властивості покриття Ni-Fe [02021-1-02021-4]
21) Мініатюрна фрактальна антена з розширеною пропускною здатністю з використанням фракталів Джузеппе Пеано та килима Серпінського для UWB та супутникових додатків [02022-1-02022-5]
22) Порівняльне теоретичне дослідження оксидів ZnO та BeO з точки зору електронних властивостей [02023-1-02023-3]
23) Мікросмужкова патч-антена з RR у формі квадрата для додатків діапазону ISM [02024-1-02024-4]
24) Характеристика шпинелі алюмінатів магнію/барію, синтезованих золь-гель методом автогоріння [02025-1-02025-5]
25) Вплив осадження субмоношарових покриттів Cs на щільність електронних станів та параметри енергетичної зони CoSi2/Si(111) [02026-1-02026-4]
26) Thermal Properties of EuO, DyO and GdO Compounds [02027-1-02027-4]
27) Моделювання та реалізація n-канального польового транзистора з подвійним затвором та тришаровою системою каналів із спроектованою деформацією для збагаченого струму стоку [02028-1-02028-5]
28) Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB [02029-1-02029-4]
29) Corrigendum to the Manuscript Entitled “Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide” [J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04061 (2013)] [02030-1-02030-1]
