Мініатюрний порожнинний фільтр EBG, заповнений глиноземом 96 % для додатків V-діапазону
| Автори | L. Djouablia1,2, A. Zermane2,3, A. Labbani2,4 |
| Приналежність |
1University 20 Aout, 1955 Skikda, Algeria 2LHS, Laboratory of High Frequencies and Semi-conductors, University Constantine 1, Algeria 3University of Batna2, Technology Department, Algeria 4University of Constantine 1, Algeria |
| Е-mail | l.djouablia@univ-skikda.dz |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Дати | Одержано 03 лютого 2022; у відредагованій формі 18 квітня 2022; опубліковано online 29 квітня 2022 |
| Посилання | L. Djouablia, A. Zermane, A. Labbani, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 2, 02015 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02015 |
| PACS Number(s) | 41.20.Jb, 41.20.Jb, 42.79.Gn |
| Ключові слова | Міліметровий фільтр, Глинозем 96 %, Металевий наскрізний отвір, EBG (2) , V-діапазон (2) . |
| Анотація |
Метою представленої роботи є дослідження міліметрової 3D прямокутної металевої порожнини, заповненої діелектричною підкладкою з глинозему 96 % (Al2O3), придатної для мікрохвильової інтегральної схеми (MIC), із значенням відносної діелектричної проникності 9,4 і тангенсом кута діелектричних втрат 0,006 для проектування малогабаритних фільтрів. Загальний об'єм конструкції становить 1,451,451 мм3. Ця порожнина розглядається як смуговий фільтр, що працює в діапазоні частот 60 ГГц і призначений для додатків LTCC (system-in-package applications). На відміну від цього, фільтр представляє ефективну систему EBG з режекторною смугою на рівні – 10 дБ частоти 3,4 ГГц в діапазоні частот з центром на 57 ГГц, коли в порожнину завантажуються періодичні металеві наскрізні отвори, які утворюють зв'язані резонатори. Вибір діелектричної підкладки, металевих наскрізних отворів, їх розміри та тип дозволяють забезпечити оптимальні характеристики, пропускну здатність 4,3 ГГц, рівень передачі – 21 дБ на центральній частоті, низькі внесені втрати – 0,9 дБ та добротність Q. Отримані результати є дуже багатообіцяючими для застосування у малих елементах V-діапазону та мм-хвиль. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив загартування на механічні властивості монокристала In2Se2.7Sb0.3 [02001-1-02001-3]2) Електрохімічна поведінка чистих ефективних електродів Mn2O3, отриманих за недорогою технікою потенціостатичного електроосадження [02002-1-02002-6]
3) Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET [02003-1-02003-5]
4) Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET [02004-1-02004-4]
5) Кімнатне та високотемпературне дослідження рідкісноземельних халькогенідів [02005-1-02005-5]
6) Метод вимірювання діелектричної проникності та тангенса діелектричних втрат мікропорошків в широкому діапазоні частот [02006-1-02006-6]
7) Вплив зсуву зони провідності на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs [02007-1-02007-5]
8) Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти [02008-1-02008-4]
9) Високоселективна поведінка фотодетектора з гомопереходом на основі тонкоплівкового ZnO для УФ-зондування [02009-1-02009-7]
10) Ефект зміни каналу для довгоканального GaAs GAA транзистора без переходів [02010-1-02010-5]
11) Швидкий вологий хімічний синтез наночастинок оксиду міді (Cu2O): вплив концентрації прекурсора [02011-1-02011-5]
12) Чисельне дослідження температурної залежності тонкоплівкового сонячного елемента на основі CZTS [02012-1-02012-6]
13) Оптична провідність сферичної металевої наночастинки з урахуванням розмірної залежності енергії Фермі [02013-1-02013-6]
14) Вплив включення сірки на структурні, оптичні та електричні властивості хімічно осаджених тонких плівок ZnSe [02014-1-02014-5]
15) Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв [02016-1-02016-5]
16) Електричні властивості наносинтезованого електролітного матеріалу PGDC [02017-1-02017-4]
17) Порівняння характеристик термостимульованої люмінесценції наноструктур CdS, отриманих зеленим синтезом та хімічним методом [02018-1-02018-6]
18) Оптичні властивості тонкої плівки TiO2: нанесення покриттів методом занурення [02019-1-02019-3]
19) Дослідження параметра Грюнайзена ZnO при високих тисках [02020-1-02020-4]
20) Вплив добавки на властивості покриття Ni-Fe [02021-1-02021-4]
21) Мініатюрна фрактальна антена з розширеною пропускною здатністю з використанням фракталів Джузеппе Пеано та килима Серпінського для UWB та супутникових додатків [02022-1-02022-5]
22) Порівняльне теоретичне дослідження оксидів ZnO та BeO з точки зору електронних властивостей [02023-1-02023-3]
23) Мікросмужкова патч-антена з RR у формі квадрата для додатків діапазону ISM [02024-1-02024-4]
24) Характеристика шпинелі алюмінатів магнію/барію, синтезованих золь-гель методом автогоріння [02025-1-02025-5]
25) Вплив осадження субмоношарових покриттів Cs на щільність електронних станів та параметри енергетичної зони CoSi2/Si(111) [02026-1-02026-4]
26) Thermal Properties of EuO, DyO and GdO Compounds [02027-1-02027-4]
27) Моделювання та реалізація n-канального польового транзистора з подвійним затвором та тришаровою системою каналів із спроектованою деформацією для збагаченого струму стоку [02028-1-02028-5]
28) Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB [02029-1-02029-4]
29) Corrigendum to the Manuscript Entitled “Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide” [J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04061 (2013)] [02030-1-02030-1]
