Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв
| Автори | С.І. Крюковський1, В. Аріков2, А.О. Воронко3, В.С. Антонюк3 |
| Афіліація |
1Науково-дослідна компанія «Електрон-Карат», вул. Стрийська, 202, 79031 Львів Україна 2Національний університет «Львівська політехніка», вул. С. Бандери, 12, 79013 Львів, Україна 3Національний технічний університет «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», пр. Перемоги, 37, 03056 Київ, Україна |
| Е-mail | victor.antoniuk@gmail.com |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Дати | Одержано 18 лютого 2022; у відредагованій формі 16 квітня 2022; опубліковано online 29 квітня 2022 |
| Цитування | С.І. Крюковський, В. Аріков, А.О. Воронко, В.С. Антонюк, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 2, 02016 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02016 |
| PACS Number(s) | 61.43Gt, 78.30Fs, 78.55m |
| Ключові слова | Арсенід галію (7) , Рідкоземельний елемент, Профіль розподілу носіїв заряду, Інтерфейс (11) , Прилади терагерцового діапазону. |
| Анотація |
В статті представлені результати по особливостях формування низькотемпературного арсеніду галію під впливом комплексного легування рідкісноземельним елементом ітербієм та алюмінієм. Методом CV-профілометрії досліджені електрофізичні властивості епітаксійних шарів, а структурні характеристики – з використанням XRD. Показано, що за певних оптимальних концентрацій ітербію (3,0-3,2·10 – 3 ат. %) та алюмінію (1·10 – 3 ат. %) можна отримувати структурно досконалі епітаксійні шари GaAs з низькою концентрацією носіїв, а модуляція швидкості зниження температури дозволяє отримати більш різку границю розділу шарів з різним рівнем легування. Такі шари можна використовувати в складі фотодіодних чи НВЧ структур. Встановлено, що збільшення концентрації ітербію в розплаві спричиняє погіршення структурних властивостей шарів, зумовлених генерацією додаткових дефектів, що може бути використано для створення оптоелектронних пристроїв терагерцового діапазону. |
|
Перелік цитувань |
Інші статті цього номера
1) Вплив загартування на механічні властивості монокристала In2Se2.7Sb0.3 [02001-1-02001-3]2) Електрохімічна поведінка чистих ефективних електродів Mn2O3, отриманих за недорогою технікою потенціостатичного електроосадження [02002-1-02002-6]
3) Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET [02003-1-02003-5]
4) Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET [02004-1-02004-4]
5) Кімнатне та високотемпературне дослідження рідкісноземельних халькогенідів [02005-1-02005-5]
6) Метод вимірювання діелектричної проникності та тангенса діелектричних втрат мікропорошків в широкому діапазоні частот [02006-1-02006-6]
7) Вплив зсуву зони провідності на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs [02007-1-02007-5]
8) Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти [02008-1-02008-4]
9) Високоселективна поведінка фотодетектора з гомопереходом на основі тонкоплівкового ZnO для УФ-зондування [02009-1-02009-7]
10) Ефект зміни каналу для довгоканального GaAs GAA транзистора без переходів [02010-1-02010-5]
11) Швидкий вологий хімічний синтез наночастинок оксиду міді (Cu2O): вплив концентрації прекурсора [02011-1-02011-5]
12) Чисельне дослідження температурної залежності тонкоплівкового сонячного елемента на основі CZTS [02012-1-02012-6]
13) Оптична провідність сферичної металевої наночастинки з урахуванням розмірної залежності енергії Фермі [02013-1-02013-6]
14) Вплив включення сірки на структурні, оптичні та електричні властивості хімічно осаджених тонких плівок ZnSe [02014-1-02014-5]
15) Мініатюрний порожнинний фільтр EBG, заповнений глиноземом 96 % для додатків V-діапазону [02015-1-02015-4]
16) Електричні властивості наносинтезованого електролітного матеріалу PGDC [02017-1-02017-4]
17) Порівняння характеристик термостимульованої люмінесценції наноструктур CdS, отриманих зеленим синтезом та хімічним методом [02018-1-02018-6]
18) Оптичні властивості тонкої плівки TiO2: нанесення покриттів методом занурення [02019-1-02019-3]
19) Дослідження параметра Грюнайзена ZnO при високих тисках [02020-1-02020-4]
20) Вплив добавки на властивості покриття Ni-Fe [02021-1-02021-4]
21) Мініатюрна фрактальна антена з розширеною пропускною здатністю з використанням фракталів Джузеппе Пеано та килима Серпінського для UWB та супутникових додатків [02022-1-02022-5]
22) Порівняльне теоретичне дослідження оксидів ZnO та BeO з точки зору електронних властивостей [02023-1-02023-3]
23) Мікросмужкова патч-антена з RR у формі квадрата для додатків діапазону ISM [02024-1-02024-4]
24) Характеристика шпинелі алюмінатів магнію/барію, синтезованих золь-гель методом автогоріння [02025-1-02025-5]
25) Вплив осадження субмоношарових покриттів Cs на щільність електронних станів та параметри енергетичної зони CoSi2/Si(111) [02026-1-02026-4]
26) Thermal Properties of EuO, DyO and GdO Compounds [02027-1-02027-4]
27) Моделювання та реалізація n-канального польового транзистора з подвійним затвором та тришаровою системою каналів із спроектованою деформацією для збагаченого струму стоку [02028-1-02028-5]
28) Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB [02029-1-02029-4]
29) Corrigendum to the Manuscript Entitled “Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide” [J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04061 (2013)] [02030-1-02030-1]
