Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET
| Автори | Payal Kumari, Swagat Nanda , Priyanka Saha, Rudra Sankar Dhar |
| Приналежність |
Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Mizoram, 796012 Aizawl, Mizoram, India |
| Е-mail | rdhar@uwaterloo.ca |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Дати | Одержано 09 січня 2022; у відредагованій формі 16 квітня 2022; опубліковано online 29 квітня 2022 |
| Посилання | Payal Kumari, Swagat Nanda, Priyanka Saha, Rudra Sankar Dhar, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 2, 02004 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02004 |
| PACS Number(s) | 77.84.Bw |
| Ключові слова | Tri-gate FinFET (2) , Напружений кремній, Структура HOI, High-k діелектрики (2) , Silvaco TCAD (3) , Короткоканальні ефекти (5) . |
| Анотація |
У поточному розвитку напівпровідникової галузі багатозатворні FETs, як-от тризатворні tri-gate (TG) FinFETs, були стимулом для продовження масштабування пристроїв із технологією нижче 32 нм. Застосування напруженого кремнію ще більше посилило струми приводу. Струми витоку були зменшені за рахунок використання high-k матеріалів, що призвело до поліпшення комутаційних характеристик пристрою. Мотивом статті є розробка та характеристика пристрою TG n-FinFET з 10 нм каналом, що включає тришаровий канал із напруженим кремнієм та багатошарові high-k діелектричні матеріали як оксид затвора. Електричні характеристики та короткоканальні ефекти (SCEs) усіх пристроїв визначалися шляхом заміни оксиду затвора SiO2 на багатошаровий оксид затвора із 0,5 нм SiO2 та 0,5 нм EOT з різних high-k діелектричних матеріалів, таких як ZrO2, Al2O3, Si3N4, та HfO2. Помічено, що SCEs та характеристики витоку значно покращуються завдяки використанню багатошарових high-k діелектричних матеріалів, таких як HfO2, а деформація в області каналу значно поліпшує струм приводу, не заважаючи SCEs. Таким чином, комбінація діелектриків з напруженого кремнію та HfO2 показала покращення характеристик розробленого пристрою при зменшеній площі інтегральної схеми. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив загартування на механічні властивості монокристала In2Se2.7Sb0.3 [02001-1-02001-3]2) Електрохімічна поведінка чистих ефективних електродів Mn2O3, отриманих за недорогою технікою потенціостатичного електроосадження [02002-1-02002-6]
3) Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET [02003-1-02003-5]
4) Кімнатне та високотемпературне дослідження рідкісноземельних халькогенідів [02005-1-02005-5]
5) Метод вимірювання діелектричної проникності та тангенса діелектричних втрат мікропорошків в широкому діапазоні частот [02006-1-02006-6]
6) Вплив зсуву зони провідності на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs [02007-1-02007-5]
7) Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти [02008-1-02008-4]
8) Високоселективна поведінка фотодетектора з гомопереходом на основі тонкоплівкового ZnO для УФ-зондування [02009-1-02009-7]
9) Ефект зміни каналу для довгоканального GaAs GAA транзистора без переходів [02010-1-02010-5]
10) Швидкий вологий хімічний синтез наночастинок оксиду міді (Cu2O): вплив концентрації прекурсора [02011-1-02011-5]
11) Чисельне дослідження температурної залежності тонкоплівкового сонячного елемента на основі CZTS [02012-1-02012-6]
12) Оптична провідність сферичної металевої наночастинки з урахуванням розмірної залежності енергії Фермі [02013-1-02013-6]
13) Вплив включення сірки на структурні, оптичні та електричні властивості хімічно осаджених тонких плівок ZnSe [02014-1-02014-5]
14) Мініатюрний порожнинний фільтр EBG, заповнений глиноземом 96 % для додатків V-діапазону [02015-1-02015-4]
15) Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв [02016-1-02016-5]
16) Електричні властивості наносинтезованого електролітного матеріалу PGDC [02017-1-02017-4]
17) Порівняння характеристик термостимульованої люмінесценції наноструктур CdS, отриманих зеленим синтезом та хімічним методом [02018-1-02018-6]
18) Оптичні властивості тонкої плівки TiO2: нанесення покриттів методом занурення [02019-1-02019-3]
19) Дослідження параметра Грюнайзена ZnO при високих тисках [02020-1-02020-4]
20) Вплив добавки на властивості покриття Ni-Fe [02021-1-02021-4]
21) Мініатюрна фрактальна антена з розширеною пропускною здатністю з використанням фракталів Джузеппе Пеано та килима Серпінського для UWB та супутникових додатків [02022-1-02022-5]
22) Порівняльне теоретичне дослідження оксидів ZnO та BeO з точки зору електронних властивостей [02023-1-02023-3]
23) Мікросмужкова патч-антена з RR у формі квадрата для додатків діапазону ISM [02024-1-02024-4]
24) Характеристика шпинелі алюмінатів магнію/барію, синтезованих золь-гель методом автогоріння [02025-1-02025-5]
25) Вплив осадження субмоношарових покриттів Cs на щільність електронних станів та параметри енергетичної зони CoSi2/Si(111) [02026-1-02026-4]
26) Thermal Properties of EuO, DyO and GdO Compounds [02027-1-02027-4]
27) Моделювання та реалізація n-канального польового транзистора з подвійним затвором та тришаровою системою каналів із спроектованою деформацією для збагаченого струму стоку [02028-1-02028-5]
28) Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB [02029-1-02029-4]
29) Corrigendum to the Manuscript Entitled “Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide” [J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04061 (2013)] [02030-1-02030-1]
