Чисельне дослідження температурної залежності тонкоплівкового сонячного елемента на основі CZTS
| Автори | Abd Elhalim Benzetta1, Mahfoud Abderrezek2, Mohammed Elamine Djeghlal3 |
| Афіліація |
1Laboratoire Génie des Matériaux, Ecole Militaire Polytechnique BP 17-Bordj El-Bahri, 16046 Alger, Algérie 2Unité de Développement des Equipements Solaires, UDES / Centre de Développement des Energies Renouvelables, CDER, 42415 Tipaza, Algérie 3Laboratoire de Sciences et Génie des Matériaux Ecole Nationale Polytechnique 10, Avenue Hassen Badi, B.P, 182 El-Harrach, Alger, Algérie |
| Е-mail | mahfoud_cbi@yahoo.fr |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Дати | Одержано 12 листопада 2021; у відредагованій формі 18 квітня 2022; опубліковано online 29 квітня 2022 |
| Цитування | Abd Elhalim Benzetta, Mahfoud Abderrezek, Mohammed Elamine Djeghlal, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 2, 02012 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02012 |
| PACS Number(s) | 88.40.jm |
| Ключові слова | CZTS (14) , Тонка плівка (27) , SCAPS-1D (22) , Температура (40) . |
| Анотація |
У статті чисельно досліджений вплив температури на продуктивність тонкоплівкового сонячного елемента CZTS (Cu2ZnSnS4) за допомогою симулятора ємності сонячних елементів (SCAPS-1D). Ми оцінили температурну залежність енергетичної ширини забороненої зони (Eg) шарів сонячного елемента CZTS (ZnO, CdS та CZTS) між 300 і 350 К за формулою Варшні. Помічено тенденцію до зниження Eg із середніми коефіцієнтами звуження ширини забороненої зони близько 1,48(10 – 4, 3,61(10 – 4 та 7,37(10 – 4 еВ/К для ZnO, CdS та CZTS відповідно. Отримані результати показують, що Jsc збільшується, але Voc та FF зменшуються залежно від температури. В результаті ККД падає з 12,08 % при 300 К до 11,87 % при 350 К із зміною коефіцієнта – 0,036 %/К. Робоча температура 300 К вважається більш прийнятною для досягнення високої продуктивності та максимальної ефективності в сонячному спектрі AM 1,5 G (1000 Вт/м2). |
|
Перелік цитувань |
Інші статті цього номера
1) Вплив загартування на механічні властивості монокристала In2Se2.7Sb0.3 [02001-1-02001-3]2) Електрохімічна поведінка чистих ефективних електродів Mn2O3, отриманих за недорогою технікою потенціостатичного електроосадження [02002-1-02002-6]
3) Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET [02003-1-02003-5]
4) Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET [02004-1-02004-4]
5) Кімнатне та високотемпературне дослідження рідкісноземельних халькогенідів [02005-1-02005-5]
6) Метод вимірювання діелектричної проникності та тангенса діелектричних втрат мікропорошків в широкому діапазоні частот [02006-1-02006-6]
7) Вплив зсуву зони провідності на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs [02007-1-02007-5]
8) Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти [02008-1-02008-4]
9) Високоселективна поведінка фотодетектора з гомопереходом на основі тонкоплівкового ZnO для УФ-зондування [02009-1-02009-7]
10) Ефект зміни каналу для довгоканального GaAs GAA транзистора без переходів [02010-1-02010-5]
11) Швидкий вологий хімічний синтез наночастинок оксиду міді (Cu2O): вплив концентрації прекурсора [02011-1-02011-5]
12) Оптична провідність сферичної металевої наночастинки з урахуванням розмірної залежності енергії Фермі [02013-1-02013-6]
13) Вплив включення сірки на структурні, оптичні та електричні властивості хімічно осаджених тонких плівок ZnSe [02014-1-02014-5]
14) Мініатюрний порожнинний фільтр EBG, заповнений глиноземом 96 % для додатків V-діапазону [02015-1-02015-4]
15) Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв [02016-1-02016-5]
16) Електричні властивості наносинтезованого електролітного матеріалу PGDC [02017-1-02017-4]
17) Порівняння характеристик термостимульованої люмінесценції наноструктур CdS, отриманих зеленим синтезом та хімічним методом [02018-1-02018-6]
18) Оптичні властивості тонкої плівки TiO2: нанесення покриттів методом занурення [02019-1-02019-3]
19) Дослідження параметра Грюнайзена ZnO при високих тисках [02020-1-02020-4]
20) Вплив добавки на властивості покриття Ni-Fe [02021-1-02021-4]
21) Мініатюрна фрактальна антена з розширеною пропускною здатністю з використанням фракталів Джузеппе Пеано та килима Серпінського для UWB та супутникових додатків [02022-1-02022-5]
22) Порівняльне теоретичне дослідження оксидів ZnO та BeO з точки зору електронних властивостей [02023-1-02023-3]
23) Мікросмужкова патч-антена з RR у формі квадрата для додатків діапазону ISM [02024-1-02024-4]
24) Характеристика шпинелі алюмінатів магнію/барію, синтезованих золь-гель методом автогоріння [02025-1-02025-5]
25) Вплив осадження субмоношарових покриттів Cs на щільність електронних станів та параметри енергетичної зони CoSi2/Si(111) [02026-1-02026-4]
26) Thermal Properties of EuO, DyO and GdO Compounds [02027-1-02027-4]
27) Моделювання та реалізація n-канального польового транзистора з подвійним затвором та тришаровою системою каналів із спроектованою деформацією для збагаченого струму стоку [02028-1-02028-5]
28) Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB [02029-1-02029-4]
29) Corrigendum to the Manuscript Entitled “Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide” [J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04061 (2013)] [02030-1-02030-1]
