Ефект зміни каналу для довгоканального GaAs GAA транзистора без переходів
| Автори | M. Faidzal Rasol1, Ainun T.1, Fatimah H.1, Zaharah J.1, Mastura S.Z.A.1, Rashidah A.1, Munawar A. Riyadi2 |
| Афіліація |
1School of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Universiti Teknologi Malaysia, 81310 UTM, Johor Bahru, Malaysia 2Department of Electrical Engineering, Diponegoro University, Semarang, Indonesia |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Дати | Одержано 16 лютого 2022; у відредагованій формі 19 квітня 2022; опубліковано online 29 квітня 2022 |
| Цитування | M. Faidzal Rasol, Ainun T., Fatimah H., та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 2, 02010 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02010 |
| PACS Number(s) | 85.30.Tv |
| Ключові слова | Короткоканальні ефекти (5) , Квантовомеханічні ефекти, Удосконалений матеріал і структура. |
| Анотація |
Починаючи з епохи Мура, для покращення електричних характеристик було введено використання передової архітектури пристроїв з наноматеріалів. У роботі повідомляється про дослідження характеристик довгоканального GaAs JGAA транзистора, включаючи квантово-механічний ефект. Для включення квантовомеханічного ефекту при проведенні аналізу використовується модель градієнта густини Пуассона. Тому радіус канала (Rchn), товщину оксиду (TOX) і концентрацію носіїв (Nd) змінювали для вивчення електричних характеристик пропонованого пристрою. За допомогою моделювання було виявлено, що струм включення (Ion) збільшується на 54 % при менших товщині оксиду та радіусу каналу. У роботі також висвітлюється недолік класичної моделі, в якій неможливо охопити квантовий ефект, де поточні відхилення показують 12 % різницю між класичною моделлю та квантовою моделлю. Наведені тут результати вказують на можливість використання JGAA транзистора для майбутніх додатків наноелектронних пристроїв. |
|
Перелік цитувань |
Інші статті цього номера
1) Вплив загартування на механічні властивості монокристала In2Se2.7Sb0.3 [02001-1-02001-3]2) Електрохімічна поведінка чистих ефективних електродів Mn2O3, отриманих за недорогою технікою потенціостатичного електроосадження [02002-1-02002-6]
3) Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET [02003-1-02003-5]
4) Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET [02004-1-02004-4]
5) Кімнатне та високотемпературне дослідження рідкісноземельних халькогенідів [02005-1-02005-5]
6) Метод вимірювання діелектричної проникності та тангенса діелектричних втрат мікропорошків в широкому діапазоні частот [02006-1-02006-6]
7) Вплив зсуву зони провідності на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs [02007-1-02007-5]
8) Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти [02008-1-02008-4]
9) Високоселективна поведінка фотодетектора з гомопереходом на основі тонкоплівкового ZnO для УФ-зондування [02009-1-02009-7]
10) Швидкий вологий хімічний синтез наночастинок оксиду міді (Cu2O): вплив концентрації прекурсора [02011-1-02011-5]
11) Чисельне дослідження температурної залежності тонкоплівкового сонячного елемента на основі CZTS [02012-1-02012-6]
12) Оптична провідність сферичної металевої наночастинки з урахуванням розмірної залежності енергії Фермі [02013-1-02013-6]
13) Вплив включення сірки на структурні, оптичні та електричні властивості хімічно осаджених тонких плівок ZnSe [02014-1-02014-5]
14) Мініатюрний порожнинний фільтр EBG, заповнений глиноземом 96 % для додатків V-діапазону [02015-1-02015-4]
15) Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв [02016-1-02016-5]
16) Електричні властивості наносинтезованого електролітного матеріалу PGDC [02017-1-02017-4]
17) Порівняння характеристик термостимульованої люмінесценції наноструктур CdS, отриманих зеленим синтезом та хімічним методом [02018-1-02018-6]
18) Оптичні властивості тонкої плівки TiO2: нанесення покриттів методом занурення [02019-1-02019-3]
19) Дослідження параметра Грюнайзена ZnO при високих тисках [02020-1-02020-4]
20) Вплив добавки на властивості покриття Ni-Fe [02021-1-02021-4]
21) Мініатюрна фрактальна антена з розширеною пропускною здатністю з використанням фракталів Джузеппе Пеано та килима Серпінського для UWB та супутникових додатків [02022-1-02022-5]
22) Порівняльне теоретичне дослідження оксидів ZnO та BeO з точки зору електронних властивостей [02023-1-02023-3]
23) Мікросмужкова патч-антена з RR у формі квадрата для додатків діапазону ISM [02024-1-02024-4]
24) Характеристика шпинелі алюмінатів магнію/барію, синтезованих золь-гель методом автогоріння [02025-1-02025-5]
25) Вплив осадження субмоношарових покриттів Cs на щільність електронних станів та параметри енергетичної зони CoSi2/Si(111) [02026-1-02026-4]
26) Thermal Properties of EuO, DyO and GdO Compounds [02027-1-02027-4]
27) Моделювання та реалізація n-канального польового транзистора з подвійним затвором та тришаровою системою каналів із спроектованою деформацією для збагаченого струму стоку [02028-1-02028-5]
28) Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB [02029-1-02029-4]
29) Corrigendum to the Manuscript Entitled “Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide” [J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04061 (2013)] [02030-1-02030-1]
