Вплив загартування на механічні властивості монокристала In2Se2.7Sb0.3
| Автори | Piyush J. Patel1, Sandip M. Vyas2, Vimal A. Patel2, Himanshu Pavagadhi2, Ravi Varasada2, Maunik P. Jani3 |
| Приналежність |
1Department of Physics, Adity Silver Oak Institute of Technology, Silver Oak University, Khyati Foundation, Gujarat, India 2Department of Physics, School of Sciences, Gujarat University, Ahmedabad 380009, Gujarat, India 3Department of Physics, Faculty of Science, The M.S. University of Baroda, Vadodara 390002, Gujarat, India |
| Е-mail | physicsathgce@gmail.com |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Дати | Одержано 11 січня 2022; у відредагованій формі 18 квітня 2022; опубліковано online 29 квітня 2022 |
| Посилання | Piyush J. Patel, Sandip M. Vyas, Vimal A. Patel, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 2, 02001 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02001 |
| PACS Number(s) | 81.10. – h, 81.40.Cd, 81.40.Ef |
| Ключові слова | Метод Бріджмена (3) , Твердість за Віккерсом, Розщеплення (4) , Загартування. |
| Анотація |
Напівпровідникові сполуки III-VI є цікавими матеріалами для виготовлення таких приладів як детектори іонізуючого випромінювання, твердотільні електроди, іонні акумулятори, а також фоточутливі гетероструктури та сонячні елементи. Структурна складність сімейства In-Se спонукала нас до дослідження невивченого складу In2Se3 та його властивостей із легуванням сурмою (Sb). Метою даної роботи є вивчення впливу сурми на нову конфігурацію In2Se3. Потрійні напівпровідникові сполуки у вигляді монокристалів або тонких плівок викликають значний інтерес через свої структурні, оптичні та електричні властивості, які дозволяють їх широко використовувати в багатьох електронних і оптоелектронних пристроях. Оскільки світовий енергетичний ринок шукає застосування, які пропонують більш ефективні електронні системи, монокристали In2Se2.7Sb0.3, синтезовані за модифікованою вертикальною технікою Бріджмена, відкривають шлях для захоплюючих інновацій у твердотільних фотоелектричних системах та секторах чистої енергії. Ми виростили монокристал In2Se2.7Sb0.3 за методикою Бріджмена-Стокбаргера. Температурний градієнт системи підтримували на рівні 60 С/см зі швидкістю росту 0,35 см/год. Випробування твердості має важливе значення для інтерпретації механічної поведінки матеріалів і корелює з іншими фізичними властивостями. Твердість до деформації вирощених кристалів залежить від міцності зчеплення та досконалості структури. Вимірювання мікротвердості розщеплених і загартованих зразків проводили за допомогою проекційного мікроскопа Віккерса. У статті результати досліджень обговорені та докладно викладені. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Електрохімічна поведінка чистих ефективних електродів Mn2O3, отриманих за недорогою технікою потенціостатичного електроосадження [02002-1-02002-6]2) Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET [02003-1-02003-5]
3) Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET [02004-1-02004-4]
4) Кімнатне та високотемпературне дослідження рідкісноземельних халькогенідів [02005-1-02005-5]
5) Метод вимірювання діелектричної проникності та тангенса діелектричних втрат мікропорошків в широкому діапазоні частот [02006-1-02006-6]
6) Вплив зсуву зони провідності на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs [02007-1-02007-5]
7) Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти [02008-1-02008-4]
8) Високоселективна поведінка фотодетектора з гомопереходом на основі тонкоплівкового ZnO для УФ-зондування [02009-1-02009-7]
9) Ефект зміни каналу для довгоканального GaAs GAA транзистора без переходів [02010-1-02010-5]
10) Швидкий вологий хімічний синтез наночастинок оксиду міді (Cu2O): вплив концентрації прекурсора [02011-1-02011-5]
11) Чисельне дослідження температурної залежності тонкоплівкового сонячного елемента на основі CZTS [02012-1-02012-6]
12) Оптична провідність сферичної металевої наночастинки з урахуванням розмірної залежності енергії Фермі [02013-1-02013-6]
13) Вплив включення сірки на структурні, оптичні та електричні властивості хімічно осаджених тонких плівок ZnSe [02014-1-02014-5]
14) Мініатюрний порожнинний фільтр EBG, заповнений глиноземом 96 % для додатків V-діапазону [02015-1-02015-4]
15) Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв [02016-1-02016-5]
16) Електричні властивості наносинтезованого електролітного матеріалу PGDC [02017-1-02017-4]
17) Порівняння характеристик термостимульованої люмінесценції наноструктур CdS, отриманих зеленим синтезом та хімічним методом [02018-1-02018-6]
18) Оптичні властивості тонкої плівки TiO2: нанесення покриттів методом занурення [02019-1-02019-3]
19) Дослідження параметра Грюнайзена ZnO при високих тисках [02020-1-02020-4]
20) Вплив добавки на властивості покриття Ni-Fe [02021-1-02021-4]
21) Мініатюрна фрактальна антена з розширеною пропускною здатністю з використанням фракталів Джузеппе Пеано та килима Серпінського для UWB та супутникових додатків [02022-1-02022-5]
22) Порівняльне теоретичне дослідження оксидів ZnO та BeO з точки зору електронних властивостей [02023-1-02023-3]
23) Мікросмужкова патч-антена з RR у формі квадрата для додатків діапазону ISM [02024-1-02024-4]
24) Характеристика шпинелі алюмінатів магнію/барію, синтезованих золь-гель методом автогоріння [02025-1-02025-5]
25) Вплив осадження субмоношарових покриттів Cs на щільність електронних станів та параметри енергетичної зони CoSi2/Si(111) [02026-1-02026-4]
26) Thermal Properties of EuO, DyO and GdO Compounds [02027-1-02027-4]
27) Моделювання та реалізація n-канального польового транзистора з подвійним затвором та тришаровою системою каналів із спроектованою деформацією для збагаченого струму стоку [02028-1-02028-5]
28) Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB [02029-1-02029-4]
29) Corrigendum to the Manuscript Entitled “Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide” [J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04061 (2013)] [02030-1-02030-1]
