Порівняльне теоретичне дослідження оксидів ZnO та BeO з точки зору електронних властивостей
| Автори | Y. Benkrima1 , A. Souigat1 , Y. Chaouche2, M.E. Soudani3, Z. Korichi1 , D. Slimani1 , N. Mahdadi4 |
| Приналежність |
1Ecole Normale Supérieure de Ouargla, 30000 Ouargla, Algeria 2Laboratoire de Physique Appliquée et Théorique, Larbi Tebessi University, Route de Constantine, 12002 Tebessa, Algeria 3Lab. Développement des Energies Nouvelles et Renouvelables en Zones Aride et Sahariennes, Univ Ouargla, Fac. des Mathématiques et des Sciences de la Matière, 30000 Ouargla, Algeria 4Physics Department, Ouargla University, 30000 Ouargla, Algeria |
| Е-mail | b-amina1@hotmail.fr |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Дати | Одержано 20 листопада 2021; у відредагованій формі 18 квітня 2022; опубліковано online 29 квітня 2022 |
| Посилання | Y. Benkrima, A. Souigat, Y. Chaouche, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 2, 02023 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02023 |
| PACS Number(s) | 71.20. – b |
| Ключові слова | Густина станів (DOS) (3) , ZnO (88) , BeO (2) , Структурні властивості (10) , Зонні структури. |
| Анотація |
ZnO та BeO є привабливими матеріалами з огляду на їх унікальні фізичні параметри, широку пряму заборонену зону, рівну 3,37 eV та 10,6 eV для ZnO та BeO відповідно та високу енергію зв'язку екситонів. Такі параметри роблять зазначені матеріали придатними для різних застосувань, ультрафіолетового (УФ) випромінювання та виявлення, пристроїв поверхневої акустичної хвилі (SAW), датчиків газу та прозорих провідних електродів. З цих причин наша робота зосереджена на дослідженні зонної структури та щільності станів обох напівпровідників ZnO і BeO з використанням теорії функціоналу щільності (DFT) з точки зору обміну та кореляції, наближення узагальненого градієнта (GGA) та наближення локальної щільності (LDA). Розраховані структурні параметри і значення середньої довжини зв'язку добре узгоджуються з іншими даними. Такі електронні властивості, як зонна структура сполук ZnO і BeO, визначені і порівняні з наявними значеннями енергетичної зони та інтерпретуються хімічно. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив загартування на механічні властивості монокристала In2Se2.7Sb0.3 [02001-1-02001-3]2) Електрохімічна поведінка чистих ефективних електродів Mn2O3, отриманих за недорогою технікою потенціостатичного електроосадження [02002-1-02002-6]
3) Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET [02003-1-02003-5]
4) Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET [02004-1-02004-4]
5) Кімнатне та високотемпературне дослідження рідкісноземельних халькогенідів [02005-1-02005-5]
6) Метод вимірювання діелектричної проникності та тангенса діелектричних втрат мікропорошків в широкому діапазоні частот [02006-1-02006-6]
7) Вплив зсуву зони провідності на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs [02007-1-02007-5]
8) Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти [02008-1-02008-4]
9) Високоселективна поведінка фотодетектора з гомопереходом на основі тонкоплівкового ZnO для УФ-зондування [02009-1-02009-7]
10) Ефект зміни каналу для довгоканального GaAs GAA транзистора без переходів [02010-1-02010-5]
11) Швидкий вологий хімічний синтез наночастинок оксиду міді (Cu2O): вплив концентрації прекурсора [02011-1-02011-5]
12) Чисельне дослідження температурної залежності тонкоплівкового сонячного елемента на основі CZTS [02012-1-02012-6]
13) Оптична провідність сферичної металевої наночастинки з урахуванням розмірної залежності енергії Фермі [02013-1-02013-6]
14) Вплив включення сірки на структурні, оптичні та електричні властивості хімічно осаджених тонких плівок ZnSe [02014-1-02014-5]
15) Мініатюрний порожнинний фільтр EBG, заповнений глиноземом 96 % для додатків V-діапазону [02015-1-02015-4]
16) Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв [02016-1-02016-5]
17) Електричні властивості наносинтезованого електролітного матеріалу PGDC [02017-1-02017-4]
18) Порівняння характеристик термостимульованої люмінесценції наноструктур CdS, отриманих зеленим синтезом та хімічним методом [02018-1-02018-6]
19) Оптичні властивості тонкої плівки TiO2: нанесення покриттів методом занурення [02019-1-02019-3]
20) Дослідження параметра Грюнайзена ZnO при високих тисках [02020-1-02020-4]
21) Вплив добавки на властивості покриття Ni-Fe [02021-1-02021-4]
22) Мініатюрна фрактальна антена з розширеною пропускною здатністю з використанням фракталів Джузеппе Пеано та килима Серпінського для UWB та супутникових додатків [02022-1-02022-5]
23) Мікросмужкова патч-антена з RR у формі квадрата для додатків діапазону ISM [02024-1-02024-4]
24) Характеристика шпинелі алюмінатів магнію/барію, синтезованих золь-гель методом автогоріння [02025-1-02025-5]
25) Вплив осадження субмоношарових покриттів Cs на щільність електронних станів та параметри енергетичної зони CoSi2/Si(111) [02026-1-02026-4]
26) Thermal Properties of EuO, DyO and GdO Compounds [02027-1-02027-4]
27) Моделювання та реалізація n-канального польового транзистора з подвійним затвором та тришаровою системою каналів із спроектованою деформацією для збагаченого струму стоку [02028-1-02028-5]
28) Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB [02029-1-02029-4]
29) Corrigendum to the Manuscript Entitled “Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide” [J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04061 (2013)] [02030-1-02030-1]
